铌电容取代钽电容，2002年初有望量产

由于钽粉供应*和价格居高*，电容供应商开始力推铌电容产品用来替代钽电容。有几家公司打算在2002年初开始批量制造铌电容，还有许多公司则已开始提供样品或制定计划。

Vishay公司已经开始提供铌电容样品，样品的工作电压分别为4V、6.3V和10V直流电，电容值在4.7至470微法拉。据Vishay公司副总裁兼*席执行官助理Glyndwr Smith介绍，该公司计划于2002年3月份实现铌电容批量生产。

日本NEC公司的发言人称，2.5伏、220微法拉的铌电容器件初始定价将与钽电容相同，明年年初实现量产后价格还会有所降低。

据报道德国EPCOS公司也在提供铌电容样品，并将在今年年底之前*投产。Vishay的Smith介绍说，铌电容的开发工作已经持续了几年时间，由于担心钽粉的供应可能无法满足未来钽电容的需求，元器件制造商从去年起加快了开发步伐。目前，钽电容是无线等移动产品的关键元器件。

去年由于需求强劲，钽电容从订货到交货的时间延长到了几个月，而供应商对钽粉资源的争夺也使得**承受一路走高的材料价格。另外供应商也担心，有些钽粉的原材料可能来自刚果共?国的一些非法采矿和贸易。

相比之下，铌金属的存储量较钽金属丰富得多。据美国地质勘测机构估计，2000年*铌储量为550万吨，而钽储量则*有60万吨。根据一些金属产品的价格分析，由于储量较为丰富，铌成本要比钽至少低廉10倍。供应商认为，这样就可以降低铌电容的生产成本。

与传统钽电容相比，这种新型替代品在性能上既有优势也有劣势。NEC公司发言人称，铌电容可以按照与常规片式钽电容相同的外型制造，许多情况下甚至能够采用同一条生产线。EPCOS公司称，铌的介电系数比钽高，因此允许缩小电容的外形尺寸或在相同大小芯片封装中置入更高的容量。不过，也有供应商承认铌电容在漏电流和工作温度稳定性等方面较钽电容差。

据*X公司应用经理Chris Reynolds分析，这些限制条件不会阻碍铌电容在低电压应用领域的使用，而目前钽电容在这一领域得到了大量的应用。*X公司计划在今年年底之前提供铌电容样品。

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