电流传感器使用了 ASIC (*集成电路) 和磁阻式 (MR) 霍尼韦尔磁性传感器，温度漂移*低，因此其测量结果稳定、重复性好且精度很高。这是因为所使用的 ASIC 充分利用了磁阻传感*的特性。实际上，在整个工作温度范围内根本没有漂移。该传感器在 +5 伏单*电源下工作，内部电压基准值为 2.5 伏，该电压值*易于得到。传感器可以在内部基准电压或外部基准电压下工作，这样可以使用多个传感器，而不会出现偏移不均衡。三个主要插脚可以对传感器进行配置，以用于各种量程。视应用的不同，电流输出信号使用不同的负载电阻。该传感器提供了很好的灵*及优异的性能，能满足多种应用的需求。

特性
• 温度漂移*低
• 单*供电
• 在摄氏*下 40 度到摄氏*上 85
度的温度范围内，整体精度*高
• 增益可由用户调整
• 客户易于获得基准电压
• 自校准
• 可自动装配
• 电流输出
典型应用
• 伺服驱动
• 变速驱动
• 频率转换器
• 电源系统
• 过电流保护
• 不间断电源 UPS
• 电力测量
技术性信息
除非另行说明，否则电源电压为 +5 伏，温度为摄氏*上 25 度
电数据
额定电流 (输入)：  25 A.t (*值)
量程：  0 到 ± 56 A.t(1)
测量电阻(2)：  *小阻值  *大阻值
电压为 +5 伏  在*值为 ± 25 A.t 的情况下  0 欧姆  80 欧姆
在*值为 ± 56 A.t 的情况下  0 欧姆  31 欧姆
额定模拟输出电流：  12.5 毫安 (*值)
匝比：  1-2-3/2000
精度  在摄氏*上 25 度时(3) 在额定电流的情况下*大为 ± 0.24 %
  在摄氏*上 10 度到摄氏*上 50 度在额定电流的情况下*大为 ± 0.29 %
  在摄氏*下 40 度到摄氏*上 85 度在额定电流的情况下*大为 ± 0.30 %
电源电压：  +5 伏直流 (± 5 %)
内部基准电压：  +2.5 伏直流 (± 10 mV)
电*缘：  5.0 千伏 (*值)/50 赫兹/1 分钟
精度 – 动态性能
在摄氏*上 25 度时电流漂移为*  < ± 30 微安  (=25 A 的 0.24 %)
在摄氏*上 10 度到摄氏*上 50 度时的漂移电流的热漂移  < ± 5 微安  (=25 A 的 0.04 %)
在摄氏*下 45 度到摄氏*上 80 度时的漂移电流的热漂移  < ± 10 微安  (=25 A 的 0.08 %)
线性  < ± 0.1 %
在 90 % 的情况下的响应时间  < 200 毫微秒
dv/dt *干扰性  > 10 千伏/微秒
di/dt 紧随 dv/dt *扰变化而变化  > 100 安培/微秒
带宽 (-1 dB) 直流到 200 千赫
常规数据
工作温度摄氏*下 40 度到摄氏*上 85 度
存储温度 摄氏*下 40 度到摄氏*上 90 度
电流消耗  10 毫安 (+5 伏) 加输出电流
次级内电阻 (在摄氏*上 70 度的情况下)  50 欧姆
正电流沿箭头的方向
传感器外壳内部填充玻璃的聚酰胺 (UL94-V0)
  EN 50082-2, EN 50081-2, UL, CE
标称*缘电压 (RIV)/*缘等级  690 伏 (*值)/强制
外形尺寸[ 长 x 宽 x 高 ] (毫米)  34 x 12,6 x 25,5
环境等级污染程度 2，类别 III
固定方式将传感器固定在 PCB 板上
接线通过 6 x 0.8 毫米见方的插脚
二次接线通过 5 x 0.64 毫米见方的插脚