1.分类：Cl* I 温度补偿型，Cl* Ⅱ高介电容类， Cl* III半导体

2.应用范围：旁路、耦合、及开关浪涌抑制器等电子和电气设备

3.特点：

 Cl* I容量小，稳定性高，耐高频。

 Cl* Ⅱ容量范围宽，介电常数高。

 Cl* III容量大，体积小。

4.一般技术资料：

u  引用标准:  

GBT 2693-2001电子设备用固定电容器：总规范

GBT 5966-1996 电子设备用固定电容器 第8部分：分规范：1类瓷介固定电容器

GBT 5968-1996 电子设备用固定电容器 第9部分：分规范 2类瓷介固定电容器

GBT 11305-1989 电子设备用固定电容器 分规范：3 类瓷介电容器

u  气侯类别:     25/125/21

u  额定电压:     500V, 1KV, 2KV, 3KV

u  容量范围:     cl* I (1PF~680PF), cl* II(100PF~4700PF

u  电容量偏差:   Cl* I ±0.25%(C) 、±0.5%(D) 、±5%(J) 、±10%(K); cl* II ±5%(J) 、±10%(K)、±20%(M)、+80%/-20%(Z)

u  耐电压：       1.5U_R+500V

u  *缘电阻:      Cl* I≥10000MΩ

Cl* II ≥10000MΩ

Cl* III>100 MΩ

u  损耗角正切：  Cl* I ≤1.0%(25℃.1KHZ) Cl* II<5.0% Cl* III<5.0%

5.材料

u  介质:  Cl* I(NPO、SL); Cl* II （Y5E、Y5P、Y5U、Y5V）Cl* III Y5P、Y5U、Y5V

u  电*:      氧化银

u  引线:      镀锡铜包钢线

u  包封:      环氧树脂、酚醛树脂

企业名：深圳市特锐祥电子有限公司

类型：生产企业

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