乾光电子从事于*高新*产业，*半导体照明工程研发及产业联盟成员单位，公司总面积1万多平方米，拥有行业中*的全自动LED生产线；公司已通过ISO9001、SGS环境体系、CE、RoHS等；公司主要产品包括：

一、  LED原器件：HIGH POWER LEDs、SMD LEDs、LAMP LEDs、IR LEDs等系列，产品广泛用于背光、汽车、照明等领域。

二、  LED数码管：单8、双8等各型号规格颜色数码管，产品广泛用于家用电器、数字显示、电器设备等领域。

三、  LED照明：日光管、软灯条、护拦管、灯带等系列产品，产品广泛用于家用照明、广告灯箱、城市建设等领域。

公司以“互信双赢，科技共享”为企业的管理理念，以“科技*、服务*”作为企业使命；以“用心服务、诚信沟通”作为企业服务理念，依靠多年积累的行业技*经验，和自身强大的*研发能力,在LED领域里不断*，相继研制、开发出多种类型产品；不断对产品的特性和结构进行优化，在日用照明发挥*的作用及价值。　乾光电子全体员工共同努力为成为国际光电领域行业*而奋斗，为打造“乾光”为*品牌而不懈努力。

LED主要参数与特性

1、LED电学特性

1.1 I-V特性表征LED芯片pn结制备性能主要参数。LED的I-V特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。      

如左图：

(1)正向*区：（图oa或oa′段）a点对于V₀为开启电压，当V＜Va，外加电场尚克服不少因载流子扩散而形成势垒电场，此时R很大；开启电压对于不同LED其值不同，GaAs为1V，红色GaAsP为1.2V，GaP为1.8V，GaN为2.5V。

（2）正向工作区：电流I_F与外加电压呈指数关系

I_F= I_S(e^qVF/KT–1)   -------------------------I_S为反向饱和电流。

V＞0时，V＞V_F的正向工作区I_F随V_F指数上升   I_F= I_Se^qVF/KT  

（3）反向*区：V＜0时pn结加反偏压

V= - V_R时，反向漏电流I_R（V= -5V）时，GaP为0V，GaN为10uA。

（4）反向击穿区V＜- V_R，V_R称为反向击穿电压；V_R电压对应I_R为反向漏电流。当反向偏压一直增加使V＜- V_R时，则出现I_R突然增加而出现击穿现象。由于所用化合物材料种类不同，各种LED的反向击穿电压V_R也不同。

1.2 C-V特性

鉴于LED的芯片有9×9mil (250×250um)，10×10mil，11×11mil (280×280um)，12×12mil (300×300um)，故pn结面积大小不一，使其结电容（*偏压）C≈n+pf左右。

C-V特性呈二次函数关系（如图2）。由1MH_Z交流信号用C-V特性测试仪测得。

1.3*大允许功耗PFm

当流过LED的电流为I_F、管压降为U_F则功率消耗为P=U_F×I_F

LED工作时，外加偏压、偏流*促使载流子复合发出光，还有一部分变为热，使结温升高。若结温为Tj、外部环境温度为Ta，则当Tj＞Ta时，内部热量借助管座向外传热，散逸热量（功率），可表示为P = K_T（Tj – Ta）。

1.4响应时间

响应时间表征某一显示器跟踪外部信息变化的快慢。现有几种显示LCD（液晶显示）约10^-3~10^-5S，CRT、PDP、LED都*10^-6~10^-7S（us级）。

①响应时间从使用角度来看，就是LED点亮与熄灭所延迟的时间，即图中t_r、t_f。图中t₀值很小，可忽略。

②响应时间主要取决于载流子寿命、器件的结电容及电路阻*。

LED的点亮时间——上升时间t_r是指接通电源使发光亮度*正常的10%开始，一直到发光亮度*正常值的90%所经历的时间。

LED熄灭时间——下降时间t_f是指正常发光减弱至原来的10%所经历的时间。

2.5发光亮度

亮度是LED发光性能又一重要参数，具有很强方向性。其*线方向的亮度B_O=I_O/A，指定某方向上发光体表面亮度等于发光体表面上单位投射面积在单位立体角内所辐射的光通量，单位为cd/m²或Nit。

若光源表面是理想漫反射面，亮度B_O与方向无关为常数。晴朗的蓝天和荧光灯的表面亮度约为7000Nit（尼特），从地面看太阳表面亮度约为14×10⁸Nit。

LED亮度与外加电流密度有关，一般的LED，J_O（电流密度）增加B_O也近似*。另外，亮度还与环境温度有关，环境温度升高，η_c（复合效率）下降，B_O减小。当环境温度不变，电流**引起pn结结温升高，温升后，亮度呈饱和状态。

3热学特性

LED的光学参数与pn结结温有很大的关系。一般工作在小电流I_F＜10mA，或者10~20 mA长时间连续点亮LED温升不明显。若环境温度较高，LED的主波长或λp 就会向长波长漂移，B_O也会下降，尤其是点阵、大显示屏的温升对LED的*性、稳定性影响应专门设计散射通风装置。

LED的主波长随温度关系可表示为λp（ T′）=λ₀（T₀）+△T_g×0.1nm/℃

由式可知，每当结温

LED主要参数与特性

LED是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件的电学特性：I-V特性、C-V特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。

1、LED电学特性

1.1 I-V特性表征LED芯片pn结制备性能主要参数。LED的I-V特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。      

如左图：

(1)正向*区：（图oa或oa′段）a点对于V₀为开启电压，当V＜Va，外加电场尚克服不少因载流子扩散而形成势垒电场，此时R很大；开启电压对于不同LED其值不同，GaAs为1V，红色GaAsP为1.2V，GaP为1.8V，GaN为2.5V。

（2）正向工作区：电流I_F与外加电压呈指数关系

I_F= I_S(e^qVF/KT–1)   -------------------------I_S为反向饱和电流。

V＞0时，V＞V_F的正向工作区I_F随V_F指数上升   I_F= I_Se^qVF/KT  

（3）反向*区：V＜0时pn结加反偏压

V= - V_R时，反向漏电流I_R（V= -5V）时，GaP为0V，GaN为10uA。

（4）反向击穿区V＜- V_R，V_R称为反向击穿电压；V_R电压对应I_R为反向漏电流。当反向偏压一直增加使V＜- V_R时，则出现I_R突然增加而出现击穿现象。由于所用化合物材料种类不同，各种LED的反向击穿电压V_R也不同。

1.2 C-V特性

鉴于LED的芯片有9×9mil (250×250um)，10×10mil，11×11mil (280×280um)，12×12mil (300×300um)，故pn结面积大小不一，使其结电容（*偏压）C≈n+pf左右。

C-V特性呈二次函数关系（如图2）。由1MH_Z交流信号用C-V特性测试仪测得。

1.3*大允许功耗PFm

当流过LED的电流为I_F、管压降为U_F则功率消耗为P=U_F×I_F

LED工作时，外加偏压、偏流*促使载流子复合发出光，还有一部分变为热，使结温升高。若结温为Tj、外部环境温度为Ta，则当Tj＞Ta时，内部热量借助管座向外传热，散逸热量（功率），可表示为P = K_T（Tj – Ta）。

2.3光通量

光通量F是表征LED总光输出的辐射能量，它标志器件的性能优劣。F为LED向各个方向发光的能量之和，它与工作电流直接有关。随着电流增加，LED光通量随之*。可见光LED的光通量单位为流明（lm）。

LED向外辐射的功率——光通量与芯片材料、封装工艺水平及外加恒流源大小有关。目前单色LED的光通量*大约1 lm，白光LED的F≈1.5~1.8 lm（小芯片），对于1mm×1mm的功率级芯片制成白光LED，其F=18 lm。

2.5发光亮度

亮度是LED发光性能又一重要参数，具有很强方向性。其*线方向的亮度B_O=I_O/A，指定某方向上发光体表面亮度等于发光体表面上单位投射面积在单位立体角内所辐射的光通量，单位为cd/m²或Nit。

若光源表面是理想漫反射面，亮度B_O与方向无关为常数。晴朗的蓝天和荧光灯的表面亮度约为7000Nit（尼特），从地面看太阳表面亮度约为14×10⁸Nit。

LED亮度与外加电流密度有关，一般的LED，J_O（电流密度）增加B_O也近似*。另外，亮度还与环境温度有关，环境温度升高，η_c（复合效率）下降，B_O减小。当环境温度不变，电流**引起pn结结温升高，温升后，亮度呈饱和状态。

2.6寿命

老化：LED发光亮度随着长时间工作而出现光强或光亮度衰减现象。器件老化程度与外加恒流源的大小有关，可描述为B_t=B_Oe^-t/τ，B_t为t时间后的亮度，B_O为初始亮度。

通常把亮度降到B_t=1/2B_O所经历的时间t称为二*管的寿命。测定t要花很长的时间，通常以推算求得寿命。测量方法：给LED通以*恒流源，点燃10³~10⁴小时后，先后测得B_O，B_t=1000~10000，代入B_t=B_Oe^-t/τ求出τ；再把B_t=1/2B_O代入，可求出寿命t。

长期以来总认为LED寿命为10⁶小时，这是指单个LED在I_F=20mA下。随着功率型LED开发应用，国外学者认为以LED的光衰减百分比数值作为寿命的依据。如LED的光衰减为原来35%，寿命＞6000h。