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12+深圳公司现货IOR/MOS管SOP-8原装IRF7809*TRPBF场效应管

材料：
N-FET硅N沟道
种类：
*缘栅(MOSFET)
型号/规格：
IRF7809*TRPBF
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
品牌/商标：
IR/国际整流器
用途：
S/开关
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
功率 - 值：
2.5W
电流 - 连续漏*：
13.3A
漏源*电压 (Vdss)：
30V

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产品分类

二极管(4)
∟ 稳压二极管(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(1)∟ 肖特基二极管(1)
三极管(2)
∟ 低噪声三极管(1)
场效应管MOSFET(51)
∟ MOSFET(44)
光电子/光纤/激光(1)
∟ 光电光耦合器(光耦)(1)

新品上架

商品信息 更新时间：2012-12-15

参数
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 13.3A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 9 毫欧 @ 15A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 62nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 3780pF @ 16V
功率 - *大值 2.5W

N-通道*MOSFET
处理CPU*DC-DC转换器
低传导损耗
低开关损耗
*大限度地减少并行MOSFET的高电流
应用程序
100％测试的RG
无铅

描述
这种新的设备采用了*的HEXFET功率
MOSFET技术，实现了*的
导通电阻和栅*电荷平衡。减少
传导和开关损耗，使得它*适用于高
*DC-DC转换器，电源*新的
代微处理器。
*参数进行了优化的IRF7809*
*关键的同步降压转换器，包括
RDS（上）
栅*电荷和Cdv / dt引起导通*。
IRF7809*提供*低的RDS（on）
和高
与Cdv /dt*扰性同步FET应用程序的。
该包装是专为气相，*，
对流，或波峰焊技术。功率
大于2W的功耗可能在一个典型的
PCB安装的应用程序。