肖特基二*管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正*，以N型半导体B为负*，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中*有*少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起*宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动*相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

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