晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅;1957年美国通用电器公司开发出世界上*款晶闸管产品，并于1958年将其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个*：阳*，阴*和门*; 晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。

　　晶闸管的特点

　　“*发”。但是，如果阳*或控制*外加的是反向电压，晶闸管就不能导通。控制*的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。那么，用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断，可以断开阳*电源(图3中的开关S)或使阳*电流小于维持导通的*小值(称为维持电流)。如果晶闸管阳*和阴*之间外加的是交流电压或脉动直流电压，那么，在电压过*时，晶闸管会自行关断。

　　主要用途

　　普通晶闸管*基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二*管整流电路属于不可控整流电路。如果把二*管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。以*简单的单相半波可控整流电路为例，在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制*没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制*外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。画出它的波形(c)及(d)，只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出。Ug到来得早，晶闸管导通的时间就早;Ug到来得晚，晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制*上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从*值开始到触发脉冲到来*所经历的电角度称为控制角α;在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。

　　1:小功率塑封双向可控硅通常用作声光控灯光系统。额定电流：IA小于2A。

　　2：大;*率塑封和铁封可控硅通常用作功率型可控调压电路。像可调压输出直流电源等等。

　　3：大功率高频可控硅通常用作工业中;高频熔炼炉等。

　　晶闸管在电路中的主要用途

　　普通晶闸管*基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二*管整流电路属于不可控整流电路。如果把二*管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路、逆变、电机调速、电机励磁、无触点开关及自动控制等方面。现在我画一个*简单的单相半波可控整流电路〔图4(a)〕。在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制*没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制*外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。现在，画出它的波形图〔图4(c)及(d)〕，可以看到，只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出(波形图上阴影部分)。Ug到来得早，晶闸管导通的时间就早;Ug到来得晚，晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制*上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从*值开始到触发脉冲到来*所经历的电角度称为控制角α;在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。

　　可控硅的使用注意事项和损坏原因判别

　　使用注意事项

　　选用可控硅的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出*的余量。

　　1、选用可控硅的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不*过相应电流下的允许值。

　　2、使用可控硅之前，应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时，应立即更换。

　　3、严禁用兆欧表(即摇表)检查元件的*缘情况。

　　4、电流为5A以上的可控硅要装散热器，并且*所规定的冷却条件。为*散热器与可控硅管心接触良好，它们之间应涂上一薄层*硅油或硅脂，以帮于良好的散热。

　　5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。

　　6、要*可控硅控制*的正向过载和反向击穿。

　　损坏原因判别

　　当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时，可把管芯从冷却套中取出，打开芯盒再取出芯片，观察其损坏后的痕迹，以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。

　　1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。

　　2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，其位置在远离控制*上。

　　3电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同，而其位置在控制*附近或就在控制*上。

　　4、 边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。

　　工作原理

　　晶闸管T在工作过程中，它的阳*(A)和阴*(K)与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门*G和阴*K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。

　　晶闸管的工作条件：

　　1. 晶闸管承受反向阳*电压时，不管门*承受何种电压，晶闸管都处于反向阻断状态

　　2. 晶闸管承受正向阳*电压时，*在门*承受正向电压的情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态,这就是晶闸管的闸流特性,即可控特性.

　　3. 晶闸管在导通情况下，只要有*的正向阳*电压，不论门*电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门*失去作用。门*只起触发作用

　　4. 晶闸管在导通情况下，当主回路电压(或电流)减小到接近于*时，晶闸管关断。

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