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高dv/dt*薄膜电容器

高dv/dt*薄膜电容器
高dv/dt*薄膜电容器
  • 额定电压:

    1000-3000(V)

  • 功率特性:

    *率

  • 调节方式:

    固定

  • 标称容量:

    0.0047-10(uF)

  • 频率特性:

    高频

  • 应用范围:

    高频消振

  • 型号:

    CBB11

  • 允许偏差:

    &plu*n;5(%)

  • 引线类型:

    同向引出线

  • 品牌:

    国产

  • 耐压值:

    3000(V)

  • 损耗:

    0.001

普通会员
产品分类
商品信息

高dv/dt*薄膜电容器说明:  特征与用途
1. 矩形阻燃塑料外壳,阻燃环氧树脂封装,单向引出结构。
2. 体积小,重量轻,电压高。
3. 能承受较大脉冲电流作用,每微秒电压可上升数百伏到数千伏。
4. 用于直流或脉动电路,*适用于彩电,*整机等。
5. *性高。
技术与性能指标
1. 执行标准:IEC 60384-17
2. 气候类别:55/100/21
3. 电容量允许偏差:&plu*n;5%(J);&plu*n;10%(K);&plu*n;20%(M)
4. 损耗角正切:≤0.0005(1KHz)
5. *缘电阻:CR≤100V ≥100000MΩ
6. 耐电压:2UR(2S)
7. 寿命试验:
(1)充放电10000次或(2)耐久性试验
.试验条件
  试验温度:85
  施加电压:1.5UR
  试验时间:1000h

.试验后性能
  电容量变化:C/C≤2%&plu*n;(2% 2pF)
  损耗角正切赠量:增量值的1.4
*缘电阻≥50%规定值

联系方式

企业名:鹤壁华信电子有限公司(国营第七九四厂)

类型:生产企业

电话:

联系人:张卫东

地址:河南鹤壁中国 河南 鹤壁市山城区 鹤壁市红旗街121号

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