这种管子是利用二*管的反向击穿特性制成的，在电路中其两端的电压保持基本不变，起到稳定电压的作用。是代替稳压电子二*管的产品。被制作成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的二*管。作为控制电压和标准电压使用而制作的。二*管工作时的端电压（又称齐纳电压）从3V左右到150V，按每隔10%，能划分成许多等级。在功率方面，也有从200mW至100W以上的产品。工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻RZ很小，一般为2CW、2CW56等；将两个互补二*管反向串接以减少温度系数则为2DW型。
稳压二*管的温度系数α：α表示温度每变化1℃稳压值的变化量。稳定电压小于4V的管子具有负温度系数（属于齐纳击穿），即温度升高时稳定电压值下降（温度使价电子上升较*量）；稳定电压大于7V的管子具有正温度系数（属于雪崩式击穿），即温度升高时稳定电压值上升（温度使原子振幅*，阻碍载流子运动）；而稳定电压在4~7V之间的管子，温度系数*小，近似为*（齐纳击穿和雪崩击穿均有）。

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