在线询价：
军民用射频器件和模块
HONEYWELL（霍尼韦尔）
企业名：深圳双信达智能科技有限公司
类型：生产企业
电话： 0755-83665529
联系人：庄先生
QQ： 
邮箱：LJRX@163.COM
地址：广东深圳深圳南山区科技园产学研楼706
产品名称: 红外光源和红外发光管-理想应用于NDIR红外气体传感器等领域
产品规格: IRL715、MIRL17-900-Reflector
产品介绍: 红外光源和红外发光管-理想应用于NDIR红外气体传感器等领域
红外光源（IR Source）提供高强度的红外线发射，用于NDIR红外气体传感器，在工业，消费，研究和医学领域的得到广泛的应用。
一、宽带红外光源产品分类：
1、IRL 715 红外光源（低频电调制）
IRL 715 红外光源是一种白炽灯，尺寸 T-1，直径 3.17 mm，指定应用于NDIR红外吸收气体探测器。波长从可见光到 5 μm，适合CH ( 3..3.5 μm)，CO2 (4.15...4.4 μm)。有限制的适合CO（4.6 μm）的探测，尽管它的截断频率在 5 μm。
特点：
•白炽红外光源，直到4.4 μm；
•高可靠性；
•稳定的输出；
•短时间常数；
•长寿命，工作在5伏电源时，可达40000小时。
IRL715红外光源主要应用于NDIR红外气体传感器的激励光源。
2、EMIRS200 红外光源（高频电调制）
EMIRS200 红外光源是一种能工作在高频率，高强度输出的微型脉冲红外光源，发射光谱是一个灰体。它以无定形碳材料作为多层热电阻薄膜，通过电流后发热，产生的红外辐射。它的高发射率，高热传导性，以及很低的热驻留特性，使它在高频脉冲工作时，能快速得加热和冷却。能在连续工作模式以及脉冲模式下工作，温度范围从350C 到 550C。30Hz调制频率在 50% 占空比。我们提供TO-39标准封装EMIRS200以及带反光镜封装 EMIRS200- RE两种封装类型。
特点：
•宽光谱输出，提供1 - 20 um 的宽的发射光谱；
•快速响应，光源能进行超过100 Hz的调制；
•高效率，>0.9 的发射率，光谱接近黑体；
•长寿命、高性能价格比，>40,000小时以上的寿命，不需要单独调制，减少了维护以及产品价格。
EMIRS200 红外光源应用于爆炸气体探测系统，探测甲烷和其它易爆气体；燃烧效率和尾气排放监测系统，测量 CO, CO2 等；毒气探测，测量 SOx, NOx, NH3；空气质量监控系统；HVAC效率，通过测量 CO2 浓度，控制通风；分光光度计；医疗监护系统、麻醉气体监测系统，监测CO2 和麻醉气体；汽车尾气监测。
3、MIRL17－900 －Reflector红外光源（高频电调制）
MIRL17-900 红外光源是一种能工作在高频率，高强度输出的微型脉冲红外光源，发射光谱是一个灰体。它以无定形碳材料作为多层热电阻薄膜，通过电流后发热，产生的红外辐射。它的高发射率，高热传导性，以及很低的热驻留特性，使它在高频脉冲工作时，能快速地加热和冷却。能在连续工作模式以及脉冲模式下工作，温度范围达到 750C。我们提供TO-5或TO-39标准无窗封装、密封窗口封装、带抛物面反光镜无窗封装以及带抛物面反光镜密封窗口封装，四种封装形式。
窗口材料：
Windows λ Range - µm Part Number
Sapphire 0.1 - 5.0 MIRL17-SAP
CaF2 1.5 - 10 MIRL17-CAF
BaF2 0.2 - 11 MIRL17-BAF
Silicon 1.1 - 14 MIRL17-SIL
ZnSe 0.6 - 22 MIRL17-ZNSE
特点：
•宽光谱输出，提供1 - 20 um 的宽的发射光谱；
•快速响应，光源能进行超过100 Hz的电调制；
•高效率，>0.9 的发射率，光谱接近黑体
•长寿命、高性能价格比，>40,000小时以上的寿命，不需要单独调制，减少了维护以及产品价格。
MIRL17-900-Reflector红外光源典型应用于：爆炸气体探测系统，探测甲烷和其它易爆气体；燃烧效率和废气排放监测系统，测量 CO, CO2 等；有毒气体探测，测量 SOx, NOx, NH3等；空气质量监控系统；HVAC效率，通过测量 CO2 浓度，控制通风；分光光度计；医疗监护系统、麻醉气体监测系统，监测CO2 和麻醉气体；葡萄糖测量；汽车尾气监测。
4、pulsIR 红外光源（低频电调制）
pulsIR 红外光源典型应用于NDIR气体和化学监控探测设备。它装备了一个极低热集的灯丝，提供稳定，高效的带内红外线发射，波段 2-5 um、 8-12 um、 2-12 um和 2-20 um ，TO-8 或者 TO-5 封装。pulsIR 的灯丝设计允许它工作在较低的电压，降低了工作温度，延长了使用寿命，典型工作温度低于850 C (远低于普通石英卤素灯)，但提供更强的红外输出。这种较低的工作温度，减少了点燃易燃气体的机会，增加了电源效率，将驱动功率减小到，地降低了光学和探测器的寄生热。pulsIR 的典型电子脉冲调制频率从0.5 到 10 Hz ，允许较小型化和简单的密封光学通道设计，而不需要增加复杂的机械断路器，简化了系统设计。另外它能快速升温以及在脉冲工作模式，每个脉冲能量具有几百度的温度调制。
特点：
•宽带红外光源
•脉冲或者连续工作模式
•巨大的脉冲模式的温度调制
•高信噪比
•长期稳定性
•多种封装和窗口选项
pulsIR 红外光源理想应用于建筑物空气质量控制，制冷剂监控，燃烧废气监控，有毒气体和易燃气体探测，呼吸气体监控，麻醉气体监控，酒精测试。它已经被用在气体和化学分析，例如 CO、CO2、甲烷、 N2O、 Nox、 CFCs、卤素、碳氢化合物、PFCs、汽车尾气监测等方面。
5、reflectIR 红外光源（低频电调制）
reflectIR 红外光源理想地应用于NDIR气体和化学传感器系统，配合热电堆探测器。它提供稳定、高效的带内红外线发射，波段 2-5 um、8-12 um、2-12 um和 2-20 um ，半英寸抛物面反射器封装，化地增强了轴向光功率，改善了到达探测器的信号，适合应用于在一个较窄的光通道需要高强度红外光能量的设计。ReflectIR使用了独特的紧固螺旋型灯丝的设计，沿着抛物面反射器的轴向，增加了红外光耦合，比传统的红外光源，供给了更多的4um以上的红外能量。因此reflectIR 红外光源在较低的工作温度下（远低于850 C），能提供更多的红外输出，这种较低的工作温度，减少了点燃易燃气体的机会，增加了电源效率，将驱动功率减小到，地降低了光学和探测器的寄生热。reflectIR 的典型电子脉冲调制频率从0.5 到 10 Hz ，允许较小型化和简单的密封光学通道设计，而不需要增加复杂的机械断路器，简化了系统设计。另外它能快速升温以及在脉冲工作模式，每个脉冲能量具有几百度的温度调制。
特点：
•集成反射镜
•改善了效率
•更多的轴向 IR 功率
•大的温度调制
•电子脉冲调制
reflectIR 红外光源理想应用于建筑物空气质量控制，制冷剂监控，燃烧废气监控，有毒气体和易燃气体探测，呼吸气体监控，麻醉气体监控，酒精测试。它已经被用在气体和化学分析，例如 CO、CO2、甲烷、N2O、Nox、CFCs、卤素、碳氢化合物、PFCs、 汽车尾气监测等方面。
6、rfIR-55红外光源（高频电调制）
rfIR-55带抛物反射镜红外光源是一种具有MEMS技术，2 －20+ um电子调制红外光源。它应用金钢石碳薄膜技术，作为快速调制元件，调制频率100+ Hz，因此适合PbS 和 PbSe探测器。抛物反射镜加强了轴向的10倍以上的红外能量，比其它光源具有更好的优势。工作寿命3年以上。
二、窄带红外发光管以及配套光电探测器产品分类：
GaSb-InAs红外发光管，发射1.6um-5.0um光谱范围的红外光，可以连续或者调制输出。适合光学气体传感器以及医疗诊断应用。标准TO-18封装、TO-5 内置热电阻带热电致能器封装、TO-18带抛物反射镜封装。可以提供1.65um-2.35 mm，mW级光功率输出红外发光管（1.65um、1.85um、1.95um、2.05um、2.15um、2.25um、2.35um），例如：LED16，LED20-TEC，LED23-PR
2.7um-5.0 mm，uW级光功率输出红外发光管（2.7um、2.9um、3.1 um、3.4 um、3.6 um、3.8 um、4.3 um、4.6 um、5.0 um），例如：LED34，LED38-TEC，LED46-PR
需要其它产品的详细资料，请联系！！
宽带光电探测器，快速响应时间，适合应用于高频调制红外激光辐射探测以及LED探测。标准TO-18封装、TO-5 内置热电阻带热电致能器封装、TO-18带抛物反射镜封装。分为三种类型光电管：PD24、PD25和PD36
典型应用于H2O传感器，CO2传感器，CH传感器，H2S传感器，需要详细资料，请联系！
SSD-ME007TX串口超声波测距模块是高性能，高性价比的非接触式距离感测模块,测量范围在0.02～4.00m，测量精度1cm，测量时与被测物体无直接接触，能够清晰稳定地显示测量结果。
• 体积小，使用便捷
• 电压低，功耗低
• 测量范围宽
• 测量精度高
• 盲区小
•应用防水测距场合
•测量物体间的间距
•程控小车避障
•机器人避障
•教学仪器
•安防、工业控制
工作电压 DC 5V
工作电流 15mA
工作频率 40KHz
测距范围 2cm - 4m
分辨率 1mm
测量角度 30度
串口波特率 9600,n,8,1
响应周期 100ms
工作温度 -10-60℃
存储温度 -20-80℃
规格尺寸 45*20*15mm
本模块在使用中将占用单片机的一个IO口，连接好电源后，模块内部每50ms进行测距，并从引脚OUT一帧，含4个8位数据，帧格式为：0XFF+H_DATA+L_DATA+SUM
1. 0XFF： 为一帧开始数据，用于判断。
2. H_DATA：距离数据的高8位。
3. L_DATA：距离数据的低8位。
4. SUM: 数据和，用于效验。其0XFF+H_DATA+L_DATA=SUM（仅低8位）
注：H_DATA与L_DATA合成16位数据，即以毫米为单位的距离值。
|
深圳商斯达微波光电部自成立以来，经过长期不懈的努力,现已发展成为国内的半导体经销商，公司以执着的精神，准确进行市场定位。公司在深圳、香港备有大量现货和国外直接货源，以薄利多销为经营理念，竭诚为广大用户提供服务。公司经营的品牌齐全，产品广泛应用于通信、仪器仪表、家用电器、工业控制、消费电子等诸多领域，并可为您提供军品级、工业品级、民用级偏冷门和已停产器件。与同行业相比，我们有众多优势，对不少已停产及偏冷门的IC产品，在深圳和香港备有大量库存，是众多科研单位、企业合格的配套供应商。我公司还代理国外高频、微波及光通讯元器件及模块，致力于为国内从事微波电子及光通讯产品的厂商及研究机构提供服务。公司以"质量第一，信誉至上，互惠互利"为经营宗旨，欢迎新老客户来电、来函查询，我们珍惜与您的每的交流合作，并希望和各界同仁共求发展，共展宏图。 代理和经销的品牌如下： 经营业务： 公司业务范围： 一、 国外主要品牌的军品级、工业级、民用级元器件，功能模块，停产及偏冷门IC； 二、提供SMD片状器件，二、三极管（微波、高频、射频、衰减、检波、变容等）； 三、TDK、MURATA、SAMSUNG陶瓷电容、AVX、VISHAY钽电容，军品电容、高频电容，各种规格进口铝电解； 四、国外各品牌高频、微波、光纤、通讯器件，军民用射频器件和模块，具体有射频管，隔离器、环型器、功放模块、混频器、耦合器 (800MHZ/900MHZ/1800MHZ/2100MHZ)各频段器件； 五、进口、国产、通信用DC/DC电源模块，规格齐全，并承接电源产品的设计开发； 六、为国内中小型电子制造企业提供完整的元器件配套服务。 1.SEMCO金属包层电容:MCM系列： 1-1000 PF 10×10mm大个金属包层电容耐压500V MIN系列：1-350 PF 5×5mm 小个金属包层电容:1-350PF,耐压250V 2.片式空气微调电容,管式空气可调电容 3.高Q值高压贴片电容:高Q值、低ESR、工作频率可达3GHZ广泛应用于高频电路、 VHF-微波段、射频及放大电路中。 代理韩国三和“SAMWHA”电解电容、薄膜电容、贴片电容，日本“SANYO”OS-CON、POSCAP、EPCAP电容，“DAIN”安规电容，开发生产“FCON”电解电容器,高频电源。并已取得ISO14001品质管理系统证书及国际安全，主要配套于功放、音响、电表、开关电源、充电器、节能灯、镇流器、数码相机、数字通讯、监控器材等产品并可提供配套。所经销的产品受国内外各大厂商承认采用，备有充足现货及样品，接受国内及香港厂商订货/交货，欢迎垂询！
商斯达实业是早经销片式电子元器件的公司之一。10多年来，我们秉承“ 诚信、认真、执著、乐观 ”的经营理念，在新老客户的鼎力支持和全体员工不懈努力下，商斯达实业得以不断壮大，现已发展成集科、工、贸于一体的综合性实业公司。商斯达实业主要代理长电实业、 LRC （乐山无线电）半导体分立器件、 FH （风华英达）被动元件，同时分销 TDK , MURATA, AVX, VISHAY, ROHM, NEC, TOSHIBA, ZETEX, RENESAS , PANASONIC 等品牌的电子元件。
|
|||||
| 型 号 | 品 牌 | 描 述 | 典 型 应 用 | 封 装 | 资 料 |
| ATC100B8R2JW500XB | ATC |
|
|||
| ATC100B4R7JW500XB | ATC |
|
|||
| ATC100B1R8JW500XB | ATC |
|
|||
| ATC100B1R6JW500XB | ATC |
|
|||
| ATC100B100JW500XB | ATC |
|
|||
| ATC100B0R9JW500XB | ATC |
|
|||
| ATC100B120JW500XB |
|
||||
| ATC100B220KW500XB |
|
||||
| ATC100B101KW500XB |
|
||||
| ATC100B151KW500XB |
|
||||
| ATC100B471KW500XB |
|
||||
| SEMCO 10*10 1-680P/500V |
|
||||
| SEMCO 5*5 1-400P/250V |
|
||||
|
|
|||||
|
|
|||||
SEMCO金属包层电容:
美国SEMCO公司是世界高频金属包层电容制造商,其产品是利用浸制云母做介
质和低电感引线接头，然后用金色外壳夹合。这种材料使电容具有极好的稳定性,
和的高温特性,是高频放大设备不可缺少之零件,其产品包括:
MCM系列： 1-1000 PF 10×10mm大个金属包层电容耐压500V
MIN系列：1-350 PF 5×5mm 小个金属包层电容:1-350PF,耐压250V
TRONSER TRIMMER 片式空气微调电容
转子与定子：由黄铜经精密加工后镀银,Q值1MHZ-8000MHZ，广泛应用于通讯
设备中。容值: 1-14 PF； 2-23 PF，空气间隙:0.2mm ，测试电压:300V
管式空气可调电容
高Q值，高准确度(1%)，连续可调，定子和转子由精加工镀金黄铜管制作.
60-（1-14PF，Q值>5000@200MHZ，250VDC）
60-（1-14PF，Q值>5000@200MHZ，250VDC）
60-（1-14PF，Q值>5000@200MHZ，250VDC）
HTK高Q值高压贴片电容:
高Q值、低ESR、工作频率可达3GHZ广泛应用于高频电路、VHF-微波段、
射频及放大电路中。
l 命名方法
HQ 0805 CG 101 J 500 W T
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧
高Q电容器 尺寸 温度系数 电容量 容差 电压 端电极类型 包装方式
① 片式电容器代号
字母代码
|
片式瓷介电容器
|
HQ
|
高品质因素型（低损耗）
|
②尺寸
规格
|
尺寸(mm)
|
||||
L
|
W
|
T（max）
|
B（min）
|
B（max）
|
|
0805
|
2.0±0.2
|
1.2±0.2
|
1.40
|
0.25
|
0.76
|
1206
|
3.2±0.2
|
1.6±0.2
|
1.40
|
0.25
|
0.76
|
1210
|
3.2±0.2
|
2.5±0.2
|
1.70
|
0.25
|
0.76
|
③温度系数
代号（EIA）
|
温度系数
|
工作温度
|
CG(COG)
|
0±30ppm/℃
|
-55℃至+125℃
|
HQ(H2G)
|
-33±30ppm/℃
|
|
LG(L2G)
|
-75±30ppm/℃
|
|
PH(P2H)
|
-150±60ppm/℃
|
|
RH(R2H)
|
-220±60ppm/℃
|
|
SH(S2H)
|
-330±60ppm/℃
|
|
TH(T2H)
|
-470±60ppm/℃
|
|
UJ(U2H)
|
-750±120ppm/℃
|
④标称静电容量
代号
|
容值
|
101
|
100pF
|
1R5
|
1.5 pF
|
⑤容差
代号
|
容差
|
适用范围
|
B
|
±0.1pF
|
≤10pF
|
C
|
±0.25pF
|
|
D
|
±0.5pF
|
|
F
|
±1%
|
＞10pF
|
G
|
±2%
|
|
J
|
±5%
|
⑥额定电压
代号
|
额定电压（直流）
|
500
|
50V
|
101
|
100V
|
251
|
250V
|
501
|
500V
|
⑦端电极类型
字母代码
|
端电极类型
|
W
|
镀镍、铅锡电极
|
P
|
银钯电极
|
⑧包装方式
字母代码
|
端电极类型
|
T
|
编带包装
|
B
|
带装
|
l 电容量范围一览表
类型
|
尺寸
|
额定电压
|
容值（pF）
|
CG
|
0805
|
50V
|
0.3～200
|
100V
|
0.3～200
|
||
250V
|
0.3～100
|
||
1210
|
500V
|
0.5～1000
|
|
HG
|
0805
|
50V
|
0.3～200
|
100V
|
0.3～200
|
||
250V
|
0.3～100
|
||
1210
|
500V
|
0.5～1000
|
|
LG
|
0805
|
50V
|
0.3～200
|
100V
|
0.3～200
|
||
250V
|
0.3～100
|
||
PH
|
0805
|
50V
|
0.3～200
|
100V
|
0.3～200
|
||
250V
|
0.3～100
|
||
RH
|
0805
|
50V
|
0.3～200
|
100V
|
0.3～200
|
||
250V
|
0.3～100
|
||
SH
|
0805
|
50V
|
0.3～200
|
100V
|
0.3～200
|
||
250V
|
0.3～100
|
||
TH
|
0805
|
50V
|
0.3～200
|
100V
|
0.3～200
|
||
250V
|
0.3～100
|
||
UJ
|
0805
|
50V
|
0.3～200
|
100V
|
0.3～200
|
||
250V
|
0.3～100
|
l 性能及测试方式
序
号
|
项目
|
规格
|
测试方法
|
|
1
|
使用温度范围
|
-55℃～+125℃
|
|
|
2
|
额定电压
|
参照上面
|
额定电压表示可以连续施加在电容器上
的直流电压或脉冲的峰值电压。
|
|
3
|
外形
|
无损坏或异常
|
目测检查
|
|
4
|
尺寸
|
参照上面
|
卡尺检查
|
|
5
|
耐电压
|
无损坏或异常
|
充放电电流小于50毫安，在电容器两端施加
250%的电压1到5秒钟。
|
|
6
|
绝缘电阻
|
大于10000M
|
测量绝缘电阻时，应在不超过额定电压
(500V)、25℃和75%RH的条件下， 充电1分钟以后进行。
|
|
7
|
静电容量
|
在规定的容量误差内
|
电容的容量、Q值及D、F应在25℃的环境
频率 1±0.1MHz电压 1±0.2Vrms
|
|
8
|
Q值及D.F
|
Q≥5000
|
||
9
|
温度系数
|
参照上面 容量漂移
在±0.3%或0.05pF
(小于两者中较大者)
|
温度误系数=﹝（Ci-C3）/C3﹞/(Ti-T3)，
1、3和5步骤测量得到的误差的
|
|
10
|
端子电极的
粘着强度
|
端子电极无松动
及其它不良现象
|
将电容器焊接在玻璃环氧树脂上，
然后在端电极的侧面施加作用力。
|
|
11
|
耐振
动性
|
外观
|
无损坏或异常
|
电容器焊接在玻璃环氧树脂上，
电容器以毫米的振幅进行单谐运动，
并使其频率均匀地变化于10到55赫兹之间。
频率的变化应在大约1分钟的时间周期内，
10赫兹变化到55赫兹，然后再回到10赫兹。
3个互相垂直原方向分别施加2个小时
(总和为6个小时)。
|
容量
|
在规定的容量误差内
|
|||
Q值及D.F
|
Q≥5000
|
|||
12
|
弯曲
强度
|
|
无破裂或损坏的现象
|
使用混合焊锡，将电容器焊接在如图所示的
玻璃环氧树脂板上，施加如图所示的压力，
同时测量容量的变化率。
|
13
|
可焊性
|
|
端电极75%以上
均匀地焊上锡
|
电容器浸入助焊剂，然后将电容器在
80℃到120℃的温度预热10到30秒钟，
230℃±5℃的混合焊锡内2±0.5秒钟。
|
14
|
焊接的
耐热性
|
外观
|
无损坏的现象
|
以120℃至200℃的温度预热1分钟,预热后,
将电容器浸入260℃至265℃的混合焊锡中 10±1秒,浸入深度约10mm24±2小时。 |
容量变化
|
小于±2.5或±0.25pF。
(取较大者)
|
|||
Q/D．F
|
Q≥5000
|
|||
绝缘电阻
|
大于10GΩ)
|
|||
15
|
温度循环
|
外观
|
无损坏的迹象
|
用与第11项相同的方法将电容器
4种温度顺序进行5次循环。
然后将电容器在室温的环境下放置24±2小时。
|
容量变化
|
小于±2.5或±0.25pF。
(取较大者)
|
|||
Q值及D.F
|
Q≥5000
|
|||
绝缘电阻
|
大于10GΩ
|
|||
16
|
耐湿性
|
外观
|
无损坏的迹象
|
|
容量变化
|
小于±5%或±0.5pF。
(取较大者)
|
将电容器放置于置40±2℃、95%的温度
环境下500±12个小时。
取出电容器，在室温的环境下放置24±2
小时再进行测量。
|
||
Q值及D.F
|
Q≥5000；<![endif]>
|
|||
绝缘电阻
|
大于1000MΩ
|
|||
17
|
耐湿度
负载
|
外观
|
无损坏的迹象
|
在电容器上施加额定的电压，并放置于
40±2℃、95%的温度环境下500±12个小时。 取出电容器，在室温的环境下放置24±2
小时再进行测量。电容器的充电、放电电流 应小于50mA。
|
容量变化
|
小于±7.5%或±0.75pF。
(取较大者)
|
|||
Q值及D.F
|
Q≥5000；
|
|||
绝缘电阻
|
大于10000MΩ
|
|||
18
|
耐高温
负载
|
外观
|
无损坏的迹象
|
在工作温度±3℃的条件下，
持续1000±12小时向电容器上施加为
额定电压150%的电压。
然后将电容器，在室温的环境下放置24±2小时，
电容器的充电、放电电流应小于50mA。
|
容量变化
|
小于±2.5%或+0.25pF
|
|||
Q值及D.F
|
Q≥5000；
|
|||
绝缘电阻
|
大于10000 MΩ
|
|||
大容量陶瓷电容（COG/X7R/X5R/Y5V）
|
Seq No |
Previous Part Number |
Global Part Number |
Primary |
Secondary |
|---|---|---|---|---|
|
1 |
GHM1030C0G101J630 |
GRM31A5C2J101JW01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
2 |
GHM1030C0G151J630 |
GRM31A5C2J151JW01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
3 |
GHM1030C0G221J630 |
GRM31A5C2J221JW01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
4 |
GHM1030C0G331J630 |
GRM31A5C2J331JW01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
5 |
GHM1030C0G471J630 |
GRM31A5C2J471JW01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
6 |
GHM1030R101K1K |
GRM31AR33A101KY01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
7 |
GHM1030R102K630 |
GRM31BR32J102KY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
8 |
GHM1030R151K1K |
GRM31AR33A151KY01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
9 |
GHM1030R221K1K |
GRM31AR33A221KY01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
10 |
GHM1030R331K1K |
GRM31AR33A331KY01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
11 |
GHM1030R470K1K |
GRM31AR33A470KY01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
12 |
GHM1030R471K1K |
GRM31BR33A471KY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
13 |
GHM1030R680K1K |
GRM31AR33A680KY01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
14 |
GHM1030R681K630 |
GRM31BR32J681KY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
15 |
GHM1030SL100D2K |
GRM31B1X3D100JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
16 |
GHM1030SL120J2K |
GRM31B1X3D120JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
17 |
GHM1030SL150J2K |
GRM31B1X3D150JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
18 |
GHM1030SL180J2K |
GRM31B1X3D180JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
19 |
GHM1030SL220J2K |
GRM31B1X3D220JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
20 |
GHM1035SL270J2K |
GRM32Q1X3D270JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
21 |
GHM1035SL330J2K |
GRM32Q1X3D330JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
22 |
GHM1035SL390J2K |
GRM32Q1X3D390JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
23 |
GHM1035SL470J2K |
GRM32Q1X3D470JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
24 |
GHM1035SL560J2K |
GRM32Q1X3D560JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
25 |
GHM1035SL680J2K |
GRM32Q1X3D680JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
26 |
GHM1035SL820J2K |
GRM32Q1X3D820JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
27 |
GHM1038C0G100J3K |
GRM42A5C3F100JW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
28 |
GHM1038C0G120J3K |
GRM42A5C3F120JW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
29 |
GHM1038C0G150J3K |
GRM42A5C3F150JW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
30 |
GHM1038C0G180J3K |
GRM42A5C3F180JW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
31 |
GHM1038C0G220J3K |
GRM42A5C3F220JW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
32 |
GHM1038C0G270J3K |
GRM42A5C3F270JW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
33 |
GHM1038C0G330J3K |
GRM42A5C3F330JW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
34 |
GHM1038C0G390J3K |
GRM42A5C3F390JW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
35 |
GHM1038C0G470J3K |
GRM42A5C3F470JW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
36 |
GHM1038SL560J3K |
GRM42D1X3F560JY02L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
37 |
GHM1038SL680J3K |
GRM42D1X3F680JY02L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
38 |
GHM1038SL820J3K |
GRM42D1X3F820JY02L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
39 |
GHM1040SL101J3K |
GRM43E1X3F101JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
40 |
GHM1040SL121J2K |
GRM43D1X3D121JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
41 |
GHM1040SL151J2K |
GRM43D1X3D151JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
42 |
GHM1040SL181J2K |
GRM43D1X3D181JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
43 |
GHM1040SL221J2K |
GRM43D1X3D221JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
44 |
GHM1520X7R102K250 |
GRM188R72E102KW07D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
45 |
GHM1525X7R102K250 |
GRM21AR72E102KW01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
46 |
GHM1525X7R103K250 |
GRM21BR72E103KW03L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
47 |
GHM1525X7R152K250 |
GRM21AR72E152KW01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
48 |
GHM1525X7R222K250 |
GRM21AR72E222KW01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
49 |
GHM1525X7R332K250 |
GRM21AR72E332KW01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
50 |
GHM1525X7R472K250 |
GRM21AR72E472KW01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
51 |
GHM1525X7R682K250 |
GRM21AR72E682KW01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
52 |
GHM1530X7R102K1K |
GRM31BR73A102KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
53 |
GHM1530X7R102K630 |
GRM31BR72J102KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
54 |
GHM1530X7R103K630 |
GRM31BR72J103KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
55 |
GHM1530X7R104K100 |
GRM31CR72A104KW03L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
56 |
GHM1530X7R152K1K |
GRM31BR73A152KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
57 |
GHM1530X7R152K630 |
GRM31BR72J152KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
58 |
GHM1530X7R153K250 |
GRM31BR72E153KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
59 |
GHM1530X7R153K630 |
GRM31CR72J153KW03L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
60 |
GHM1530X7R182K630 |
GRM31BR72J182KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
61 |
GHM1530X7R222K1K |
GRM31BR73A222KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
62 |
GHM1530X7R222K630 |
GRM31BR72J222KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
63 |
GHM1530X7R223K250 |
GRM31BR72E223KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
64 |
GHM1530X7R332K1K |
GRM31BR73A332KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
65 |
GHM1530X7R332K630 |
GRM31BR72J332KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
66 |
GHM1530X7R333K250 |
GRM31CR72E333KW03L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
67 |
GHM1530X7R471K1K |
GRM31BR73A471KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
68 |
GHM1530X7R472K1K |
GRM31BR73A472KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
69 |
GHM1530X7R472K630 |
GRM31BR72J472KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
70 |
GHM1530X7R473K250 |
GRM31CR72E473KW03L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
71 |
GHM1530X7R511K1K |
GRM31BR73A511KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
72 |
GHM1530X7R682K630 |
GRM31BR72J682KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
73 |
GHM1535X7R103K1K |
GRM32QR73A103KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
74 |
GHM1535X7R104K250 |
GRM32DR72E104KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
75 |
GHM1535X7R153K1K |
GRM32DR73A153KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
76 |
GHM1535X7R184K100 |
GRM32QR72A184KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
77 |
GHM1535X7R223K1K |
GRM32DR73A223KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
78 |
GHM1535X7R223K630 |
GRM32QR72J223KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
79 |
GHM1535X7R224K100 |
GRM32DR72A224KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
80 |
GHM1535X7R333K630 |
GRM32DR72J333KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
81 |
GHM1535X7R473K630 |
GRM32DR72J473KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
82 |
GHM1535X7R682K1K |
GRM32QR73A682KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
83 |
GHM1535X7R683K250 |
GRM32QR72E683KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
84 |
GHM1540X7R103K1K |
GRM43DR73A103KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
85 |
GHM1540X7R104K630 |
GRM43DR72J104KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
86 |
GHM1540X7R154K250 |
GRM43QR72E154KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
87 |
GHM1540X7R224K250 |
GRM43DR72E224KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
88 |
GHM1540X7R333K1K |
GRM43DR73A333KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
89 |
GHM1540X7R334K100 |
GRM43DR72A334KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
90 |
GHM1540X7R473K1K |
GRM43DR73A473KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
91 |
GHM1540X7R683K630 |
GRM43QR72J683KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
92 |
GHM1545X7R104K1K |
GRM55DR73A104KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
93 |
GHM1545X7R154K630 |
GRM55DR72J154KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
94 |
GHM1545X7R224K630 |
GRM55DR72J224KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
95 |
GHM1545X7R334K250 |
GRM55DR72E334KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
96 |
GHM1545X7R474K250 |
GRM55DR72E474KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
97 |
GRM110C0G010C50 |
ERF1DM5C1H1R0CD01B |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Capacitors |
|
98 |
GRM110C0G010C50 |
ERF1DM5C1H1R0CD01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Capacitors |
|
99 |
GRM110C0G010C50 |
ERF1DM5C1H1R0CD01B |
Microwave Components |
Monolithic Ceramic Capacitors |
|
100 |
GRM110C0G010C50 |
ERF1DM5C1H1R0CD01L |
Microwave Components |
Monolithic Ceramic Capacitors |
| ATC公司是一家开发设计生产优质陶瓷电容的高科技公司，凭独特处理技术为世界RF/微波领域提供高性能电容，从1964年起，ATC 电容已被广泛应用于及商业应用，包括导弹系统，卫星广播设备，移动电话，医疗电子、及民用飞机雷达和导航系统，甚至所有美国太空系统电路都有ATC的存在。 | |
|
100A系列陶瓷贴片电容 功能应用： 分路、耦合、调谐、反馈、阻抗匹配、直流阻隔 电路应用： 微波RF/IF放大器、混合器、振荡器、低噪声放大器、滤波网络、计时电路、延时线及医疗设备 电气规格： 容值：0.1pF-100pF 高Q值:Q＞10000@1MHz 耐压:150WVDC 温度系数:+90±20ppm/oC(-55oC至+125oC) 尺寸大小: 1.4mm×1.4mm 特性: 已改进低ESR/ESL性能表现 ATC高自振多层电容 |
|
100B系列陶瓷贴片电容 功能应用: 分路、耦合、调谐、反馈、阻抗匹配、直流阻隔 电路应用： 微波射频功率放大器、混合器、振荡器、低噪声放大器、滤波网络、计时电路、延时线及医疗设备 电气规格： 高Q值:＞10000@1MHz 耐压:高达500WVDC 温度系数: +90±20ppm/oC(-55oC至 +125oC) +90±30ppm/oC(+125oC至- +175oC) 尺寸大小: 2.79mm×2.79mm 特性: 新改进低ESR/ESL性能表现 加长工作温度至+175oC |
|
180R系列NPO超低ESR陶瓷贴片电容 功能应用: 分路、耦合、调谐、反馈、阻抗匹配、直流阻隔 电路应用： 射频功率放大器、振荡器、滤波网络、计时电路、延时线及医疗设备 电气规格： 容值：0.5pF-100pF 高Q值:Q＞10,000@1MHz 耐压: 高达500WVDC 温度系数: 0±30ppm/oC(-55oC至 +125oC) 0±60ppm/oC(+125oC至 +175oC) 尺寸大小: 1.78mm×2.67mm 特性: ATCESR电容 ATC自共振多层电容(MLC) |
|
100C系列高RF功率多层贴片电容(MLCs) 功能应用： 分路、耦合、调谐、反馈、阻抗匹配、直流阻隔 电路应用： VHF/UHF射频功率放大器、天线调谐、MRI线圈及医疗设备 电气规格： 容值：1pF-2700pF 高Q值:Q＞10,000(1pF至1000pF)@1MHz Q＞10,000(1100pF至1700pF)@1KHz 耐压:高达2500WVDC 温度系数:+90±30ppm/oC(-55oC至+125oC) 尺寸大小: 6.35mm×6.35mm 特性: 新改进低ESR/ESL性能表现 应用于高RF电流和电压电路中异常稳定 |
|
100E系列高RF功率多层贴片电容(MLCs) 功能应用: 分路、耦合、调谐、反馈、阻抗匹配、直流阻隔 电路应用： VHF/UHF射频功率放大器、天线调谐、MRI线圈及医疗设备 电气规格： 容值： 高Q值:Q＞10,000(1pF至1000pF)@1MHz Q＞10,000(1100pF至5100pF)@1KHz 耐压: 高达7200WVDC 温度系数: 0±30ppm/oC(-55oC至 +125oC) 0±60ppm/oC(+125oC至 +175oC) 尺寸大小: 9.65mm×9.65mm 特性: 新改进低ESR/ESL性能表现 应用于高RF电流和电压电路中异常稳定 |
|
700A系列NPO多层贴片电容(MLCs) 功能应用: 分路、耦合、调谐、阻抗匹配、直流阻隔 电路应用： 振荡器、滤波网络、计时电路、小信号射频功率放大器及医疗设备 电气规格： 容值：0.1pF-1000pF 高Q值: Q＞10,000(0.1pF至100pF)@1MHz Q＞2,000(110pF至1000pF)@1MHz 耐压: 高达150WVDC 温度系数:0±30ppm/oC(-55oC至+125oC) 尺寸大小: 1.4mm×1.4mm 特性: 新改进低ESR/ESL性能表现 在需要频率飘移的射频/微波电路应用中, 性能表现特别出色 |
|
700B系列NPO多层贴片电容(MLCs)
功能应用: 分路、耦合、调谐、阻抗匹配、直流阻隔 电路应用： 振荡器、滤波网络、计时电路、射频功率放大器及医疗设备 电气规格： 容值：0.1pF-5100pF 高Q值: Q＞10,000(0.1pF至200pF)@1MHz Q＞2,000(220pF至1000pF)@1MHz Q＞2,000(1100pF至5100pF)@1KHz 耐压: 高达500WVDC 温度系数: 0±30ppm/oC(-55oC至+125oC) 尺寸大小: 2.79mm×2.79mm 特性: 新改进低ESR/ESL性能表现 在需要频率飘移的射频/微波电路应用中, 性能表现特别出色 |
|
200A系列BX陶瓷贴电电容 功能应用: 分路、耦合、直流阻隔 电路应用： 开关电源、宽带耦合器、小信号放大器 电气规格： 容值：510pF-0.01MFd 耐压:50WVDC 温度系数:±15%(-55oC至+125oC) 尺寸大小: 1.4mm×1.4mm 特性: 新改进低ESR/ESL性能表现 新改进电流处理能力 |
|
200B系列BX陶瓷贴电电容 功能应用: 分路、耦合、直流阻隔 电路应用： 开关电源、宽带耦合器、功率放大器 电气规格： 容值：5000pF-0.1MFd 耐压:50WVDC 温度系数:±15%(-55oC至+125oC) 尺寸大小: 2.79mm×2.79mm 特性: 新改进低ESR/ESL性能表现 新改进电流处理能力 |
|
900C系列X7R陶瓷RF功率多层电容 功能应用: 分路、耦合、直流阻隔 电路应用： HF/RF功率放大器,开关电源、高频开关电源滤波器、医疗设备 电气规格： 容值：0.01MFd-1MFd 耐压:300WVDC 温度系数:±15%(-55oC至+125oC) 尺寸大小: 6.35mm×6.35mm 特性: 新改进低ESR/ESL性能表现 高效率,适合应用于为HF/RF功率电路 |
| 美国ATC公司推出全系列高功率平衡电阻及终端电阻。 ATC所有之电阻均采用没有毒性的 ， 环保的氮化铝材料。 | |
|
性能指标: 12 WATTS [1 KW 峰值功率] 型号: FR300-012SXXX-XX 频率: DC to 6.0 GHz 容值: 0.6 pF |
|
性能指标: 30 WATTS [2 KW 峰值功率] 型号: FR800-030SXXX-XX 频率: DC to 5.0 GHz 容值: 0.5 pF |
|
性能指标: 100 WATTS [4 KW 峰值功率] 型号: FR870-100SXXX-XX 频率: DC to 4.0 GHz 容值: 0.6 pF |
|
性能指标: 150 WATTS [4 KW 峰值功率] 型号: FR870-150SXXX-XX 频率: DC to 4.0 GHz 容值: 1.0 pF |
|
性能指标: 60 WATTS [2 KW 峰值功率] 型号: FT515-060S06 频率: DC to 6.0 GHz 驻波比(): 1.25:1 DC to 4.0 GHz 1.35:1 4.0 DC to 6.0 GHz |
|
性能指标: 100 WATTS [2 KW 峰值功率] 型号: FT800-100S04 频率: DC to 4.0 GHz 驻波比(): 1.15:1 |
|
TRONSER TRIMMER 公司于1951年在德国成立，很快的，他们的高质量微调电容受到用户的赞赏，产品世界各地，用户遍布40多个国家，是欧洲的微调电容厂家，已在国际市场上站稳阵脚。 优良的员工和的技术保证产品符合高质量标准，与客户不断的沟通迅速有效地满足客户的需求，速度、低成本及可靠性在日常操作中严格实施，是TRONSER 公司一贯坚持的宗旨。 如了解更多产品信息,请登陆下面的网址,谢谢! |
|
 |
管式空气可调电容 技术指标： 转子：经过机械加工之镀金黄铜管子，Q值高.拉管和整个转子螺纹接触面积大，此独特结构是高Q值的原因 定子：经过机械加工之镀金黄铜管子 介质：空气（气隙0.1mm） 绝缘体:打光高密度氧化铝(Al2O3) 温度范围：-65℃--+125℃ 寿命:＞75周 固定扭力:10Ncm、30Ncm、50Ncm 调整准确度：＜调整值1% 振动:60克@10-2000Hz 冲击:1500克-0.5ms |
 |
片式空气可调电器 技术指标： 转子与定子:由固体黄铜压出,经过精密机械加工及镀银 定子:焊接于缩合于陶瓷底座的固态黄铜铆钉上 典型Q值: 1MHz--8000、50MHz--6000、100MHz--4000、200MHz--1500 空气间隙：0.20mm 测试电压:300Vrms 绝缘电阻:＞25000MΩ 扭力:1.0--5.0Ncm 陶瓷底座:滑石瓷,L-423等级或更好,硅浸制 引线端子:防火镀锡,按照1EC28-2-20可焊性标准试验 |
| SEMCO是可靠高质金属云母包层电容的厂家，产品已广泛应用于世界RF/MICROWAVE领域。 | |
|
设计及构造： SEMCO“MCM”及“MIN”系列是固定金属包层浸制云母或镀银云母电容，带有低电感引线接头，可在千赫兹范围内运作。金属包层云母电容是利用的INDIA RUBY MUSCOVITE 云母制造的。这种特别材料使电容具有之高温特性及超卓之稳定性。 低容值单元是利用预定厚度的非镀银云母片叠加起来，然后用金属外壳和低电感引线端子夹合。 高容值单元是利用事先测试好之镀银云母片叠加起来，然后用金属外壳和低电感引线端子夹合。 金属包层云母有多种不同引线封装结构。所有引线及外壳均镀银，方便电极和引线的正电接触。 根据用户规格要求，金属包层云母电容都用高温蜡或硅浸制，“MCM”系列51PF及以下容值及“MIN”系列10PF及以下容值电容均采用TEFLON介质为材料。 电气规格： 1.容值范围: MCM系列：1pF至1000pF MIN系列：1pF至350pF 2.容值精度： ±0.5%,±1%,±2%,±5%,±10%,±20%。 100pF以下容值标准精度为±0.5PF。 3.介电强度： 电压为工作电压2倍时，电容可工作少5秒。 4.绝缘阻抗（IR）： 1000MΩUF,25oC时不需超过105MΩ。 主要应用： 射频功率放大器 |
|
EACO电容, 用于高频滤波, EACO各类功率电容，采用聚丙烯双面 |
SLH 系列 | |||||
|
|
|||||
|
应用
|
开关电源输入，输出滤波；谐振线路；高纹波电流应用 | |||||
|
|
||||||
|
特性
|
高可靠的电气特性，低ERS值 | |||||
| 高谐振频率，纹波电流可达30A | ||||||
|
|
||||||
| STD 系列 | ||||||
|
||||||
| 应用 | IGBT突波吸收；开关电源保护线路；感应加热； | |||||
| 高脉冲，大电流应用 | ||||||
| 特性 | 电容和引线间自身感抗小于1nH/mm | |||||
| 低ERS值，高du/dt | ||||||
| 电压等级：700-3000Vdc | ||||||
|
|
||||||
| STM 系列 | ||||||
|
||||||
| 应用 | IGBT突波吸收；开关电源保护线路；感应加热； | |||||
| 高脉冲，大电流应用； | ||||||
| 特性 | 电容和引线间自身感抗小于1nH/mm | |||||
| 低ERS值，高du/dt | ||||||
| 电压等级：700-3000Vdc | ||||||
|
|
||||||
| SHF 系列 | ||||||
|
||||||
| 应用 | 高纹波电流存在的PMW线路滤波。 | |||||
| 特性 | 高频，高纹波电流 | |||||
| 低ERS值 | ||||||
|
|
||||||
| SHV 系列 | ||||||
|
|
||||||
| 应用 | 倍增线路，比如医疗器械，示波仪，高压开关电源 | |||||
| 特性 | 有良好的自愈特性，无感 | |||||
| 电压 4000-20000Vdc | ||||||
| 容量：0.001-1.5MDF | ||||||
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
抑制电磁干扰电容器金属化聚丙烯膜卷绕，镀锡包钢引线，难燃塑料外壳，阻燃环氧树脂灌封。体积小，介质损耗低，可承受瞬间浪涌电流和脉冲电压，电气性能优良。八国安全及CQC。广泛应用于电源滤波器、开关电源、电动工具等电气设备。
超高压薄膜电容器螺栓式高压电容 -- 选用聚苯乙烯薄膜作介质、铝箔为电极卷绕而成。聚苯乙烯膜自包封、铜质螺栓引出线。具有工作电压高、容量大、绝缘电阻大、介质损耗很小等特点。应用场合：大功率的高压静电植绒设备、高压静电除尘设备、工业/商业静电式空气净化器、高压电气测量设备等等。
本公司为销售电阻、电容的公司，生产产品广泛应用於:通讯、电视、电脑、仪器仪表、电器产品、专用电源等；具体产品型号如下：
1、CL11（薄膜电容）、CL21；CL21X；CL22；CL61；CL81；CH21； CBB13、CBB21、CBB62、CBB81、CBBB1 （点火）金属化薄膜电容。
2、CBB60、CBB61、CBB65（电机启动电容）等聚脂膜、聚 丙烯膜金属化薄膜电容。
3、250VAC、275VAC（X型、Y型）安规电容。
4、高压高频、高频感应、高压变频等用Hi-Vol型AC/DC（10000V、15000V）高压、高频电源专用金属化电容器。
全部产品均通过CQC（民用标准），UL；VDE；ISO9002，我们的宗旨：为客户提供高品质、低价格的产品，完善的售後服务
高频可调电容供贴片可调电容有MURATA、AVX等品牌，直径有2mm、3mm等多种型号，适用于各种精密射频通讯、微波通讯电子电器产品中。传统插脚式可调电容有AAVX等品牌，供应直径为3mm、6mm等多种型号，欢迎查询。
| 日立滤波电容 | |||||||||||||||||||||||
|
|||||||||||||||||||||||
 日立无感电容
|
|||||||||||||||||||||||
|
|||||||||||||||||||||||
|
|
销售：金属化薄膜电容，高压高频电容，大电流电容，电机起动电容，电解质钽电容，普通民用金属膜电阻、金属氧化膜电阻、军用金属膜电阻、精密、高精密电阻；高压电阻；大功率电阻；线绕电阻；高精密线绕电阻；精密玻璃釉电位器；精密线绕电位器；电阻网络，电容网络，具体产品型号如下：
一、RJ13、RJ13S、RJ14、RJ14S、RJ15、 RJ15S、RJ16、RJ16S、RJ17RJ24A、RJ25A型金属膜电阻。
二、RJ23、RJ23B、RJ24、RJ24B、RJ25、RJ25B、RJ57、RJ57B、RJ58、RJ58B型高稳定型金属膜电阻，
三、RY20（RYG1）、RY21（RYG2）型金属氧化膜
电阻器。RY94、RY95、RY97、RY98、RY99耐电冲击金属氧化膜电阻。
四、J-RJ13、J-RJ14、J-RJ15、J-RJ16、J-RJ17、G-RJ13、G-RJ14、G-RJ15、G-RJ16、G-RJ17；RJ23、RJ24、RJ25、RJ57、RJ58军用色环电阻。
五、RI40型玻璃釉电阻，
六、RI12型玻璃釉电阻，
七、RI42型玻璃釉电阻，
八、RI80型高压高阻玻璃釉电阻器，
九、RI80F型高压高阻玻璃釉电阻分压器，
十、RJK（RNC）型有可靠性指标的精密金属膜电阻器，
十一、RII-8（EE）型高精密塑封金属膜电阻器，
十二、RII-8A型无引线电阻器，
十三、RII-9（RE）型高精密金属膜电阻，
十四、RJ711、RII-18、RII-26型高精密合金箔电阻器，
十五、RII-29合金带电阻器，
十六、RN系列单、双列插电阻网络（排阻）、电容网络
（排容），军用片式3216、2012、1608电阻
十七、RII-29C（1-20W）瓷壳无感取样电阻，
十八、CL21、CL21X、CL22、CL61、CL81、CH21、CBB13、CBB21、CBB62、CBB81、CBBB1（机车点火）、CBB60、CBB61、CBB65（电机启动电容）等DC（直流）/AC（交流）聚脂膜、聚丙烯膜金属化薄膜电容。
十九、Hi-Vol高压AC/DC金属化膜电容器(高压高频电容器）。
二十、JCAK（CAK）系列有可靠性指标的军民用固体电解质钽电容，
二十一、CA、CCA、系列固体（非固体）、（树脂包封）军 民用电解质钽电容，
二十二、CII-40型容量组合式非固体电解质钽电容，
二十三、3296、3323、3006、3386、3329、3266;3362等(商业级;工业级;军用级)高精密玻璃釉电位器，
全部产品均通过GJB（军用标准）体系人证; CQC（民用标准），长城安全人证，IS09001、ISO9002，UL，VDE等.我们的宗旨：为客户提供高品质、低价格的产品，完善的售後服务。
|
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
