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紫外线传感器UV10SF、UV10T2E10F

型号/规格：
紫外线传感器UV10SF、UV10T2E10F
品牌/商标：
HONEYWELL（霍尼韦尔）

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企业名：深圳华高微电子有限公司

类型：生产企业

电话： 0755-83370251

联系人：崔先生

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产品分类

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∟ 其他传感器(100)

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商品信息

Perkinelmer Excelitas传感器
热释电红外传感器：LHI778 LHI878 LHI968 LHI958 LHI874 LHI1148 LHI548 LHI908 LHI548 LHI906 LHI1128 LHI807 LHI944 PYD1096 PYD1388 PYD1398 PYD5131 PYD5731 PYQ1098 PYQ1398 PYQ1488 PYQ2898 PYQ5868 PYS3228 PYS3428 PYS3798 PYS3828 PYS4198
紫外线传感器：VTB5051UVVTB6061UVPYS3228TC/G2 PYS3228TC-G5/G20 UV10T2E10F JEC0.1 UV10SFUV10SUTB5051 UTB5051B UV10T2E10F UV10T2E10L
光电传感器：TP-IRL715
热电堆红外测温传感器：TPS333 TPS334 TPS434 TPS534 TPS535TPD1T0226IRA/3136 TPS336IRA/3136 TPD1T0216L5.5/3238 TPD1T0222/3500 TPS332/3500 TPD1T0122/3214 TPS232/3214 TPiD23B TPS23B TPD1T0224 TPD1T0214/3161 TPS334/3161 TPD1T1254 TPD1T252OTP538U OTP537F2 J11F5.5 K1C1F5.5 TS118-3
日本尼赛拉传感器：
热释电红外传感器： KP500B KP506B RE200B RE03B RE46B RE431B KB632-P D203S D203B KB632
红外处理IC： BISS0001 LP8072 CSC9803 LM324 LP0001

产品名称:	紫外线传感器
产品规格:	UV10SF、UV10T2E10F
产品介绍:	公司提供的紫外探测器能很好的探测200nm-400nm光谱范围的紫外线辐射，并产生光电流。但对这个光谱区域以外的紫外线辐射不敏感，例如可见太阳光以及室内照明光源。它的高灵敏度,宽响应光谱范围，密封封装，小尺寸，格，宽工作温度范围以及能长期暴露在紫外光辐射的特性很适合工业和消费类紫外线探测应用。一、特点： ·高灵敏度，140mA/W峰值 ·低温度系数 ·TO-5,TO-18，TO-46微小标准封装，光敏面尺寸有0.25x0.25 mm，0.5 x 0.5 mm (NEW)，1x1 mm和2x2mm，14.8mm2，37.7mm2，大可达100mm2光敏面积 ·各种滤波器窗口可选，能提供具有UV-A、UV-B、UV-C和 UV-BC(包括B&C波段)滤波器的标准产品 ·辐射类型，在度紫外辐射条件下，具备长期稳定性 ·带透镜类型，具有高的灵敏度，适合低强度紫外光探测 ·带前置放大器类型 ·高温二、典型应用： ·紫外火焰监测以及燃烧控制 ·太阳紫外线辐射测量 ·在水处理以及表面应用中，紫外光源的控制 ·紫外线固化应用时的光源控制 ·紫外线净化，紫外线，食品控制 ·紫外线激光器控制 ·紫外分光镜 ·电弧探测三、产品分类介绍： 1、 UV系列标准紫外线传感器，只包含对紫外线敏感的光电管,它的输出信号是同紫外线强度相对应的光电流，210-380nm，峰值响应140mA/W@280nm 型号：UV10SF，UV10S应用另外可以提供这种类型的0.08mm2、0.32mm2、1mm2光敏面积的PDU-S系列紫外探测器 2、UV系列内置放大器型紫外线传感器：UV10T2E10x 系列探测器包含一个内置放大器，它的输出是同紫外线强度相对应的电压值，210-380nm，响应灵敏度UV10T2E10F 4V/nW，UV10T2E10L 1V/nW 型号：UV10T2E10F，有各种封装和标准滤波窗口(>210nm)可选，其他的标准波长是 (210nm-380nm)，A0(310nm-390nm)，A1(290nm-390nm)，A2(280nm-390nm)，C1(210nm-300nm) 3、紫外增强型光电管，提供从0.31mm2以上，直到100mm2光敏面积的光电探测器，理想应用于验钞机以及大面积紫外线探测。型号：VTB5051UV，14.8mm2光敏面积紫外传感器，VTB6061UV，37.7mm2光敏面积紫外传感器另外，我们还提供0.31mm2、0.87mm2、2.03mm2、2.98mmm2、4.48mm2、10mm2、17.74mm2、 31mm2、42.86mm2、100mm2的光敏面积的紫外传感器，如果感兴趣，请联系！4、我们还提供应用的紫外传感器：UVA紫外光电管：在360nm以下，对紫外线具有一致的高量子效率的探测器(360nm以下，典型响应灵敏度150mA/W)；UVB紫外光电管：专门应用于280nm-320nm，探测太阳紫外线强度的探测器(300nm以下，典型响应灵敏度30mA/W)；UVC紫外光电管：专门应用于280nm以下，不受太阳紫外线辐射干扰的紫外线探测器(280nm以下，典型响应灵敏度20mA/W)如有兴趣，请联系！

火焰传感器/紫外线传感器/紫外线光敏管/紫外传感器/火焰探测器
	日本滨松	UV-R2868	C3704	紫外光敏(电)管

SSD-601 UV紫外线传感器

　

SSD-601 紫外线传感器 (插件式) .     简介SSD-601 紫外线传感器是一种P-N异质节光电二*管，是基于氮化镓宽禁带半导体材料制备而成的。氮化镓禁带宽度约为3.4电子伏，它不吸收可见光。该类传感器具有很强的可见光*干扰特性，在检测紫外线时不需附加滤光片来抑制可见光。其检测紫外线的主要响应区域覆盖了长波紫外线 (UVA, 波段范围420 nm-320 nm) 和中波紫外线 (UVB, 波段范围 320 nm-275 nm ) 的波段范围。
2.     用途：
a.       测试太阳光中的紫外线强度 (礼品、化妆品用具)；
b.       紫外线灯管的紫外线发生强度测试 (*器械或民用 *碗柜的*效率检验)；
3.     特点：
a.       对紫外线检测灵敏度高；
b.       感应重复性高；
c.       *可见光干扰强；
d.       体积微小；
e.       寿命长；
4.     适用人士：长期从事户外工作的*工程师、爱好旅游的人士、注重皮肤*的女性以及需要携同出行的婴幼儿；
5.     传感器参数

参数	*号	条件	*小值	中心值	*大值	单位
光谱带宽变化范围	l_b	—	290	—	400	nm
峰值灵敏度波长	lp	—	—	330	—	nm
暗光输出电压	V_dark	光强= 100 mW/m² lp= 330 nm	—	0	2	mV
灵敏度	Vs	R_L=1MΩ	3.9	4.0	4.1	mV/UVI
反向击穿电压	V_BR	—	30	40	100	V
正向电压	V_F	I_f=10mA	2.6	3.0	3.5	V
总电容	C_t	f=1MHz	—	6	—	pF
上升时间	t_r	R_L=1MΩ C_L=1000pF	—	10	—	mS
下降时间	t_f	R_L=1MΩ C_L=1000pF	—	500	—	mS

SSD-602 紫外线传感器

SSD-602 紫外线传感器 (贴片式)
1.     简介
SSD-602 紫外线传感器是一种P-N异质节光电二*管，是基于氮化镓宽禁带半导体材料制备而成的。氮化镓的禁带宽度约为3.4电子伏，它不吸收可见光。该类传感器具有很强的可见光*干扰特性，在检测紫外线时不需附加滤光片来抑制可见光。其检测紫外线的主要响应区域覆盖了长波紫外线 (UVA, 波段范围420 nm-320 nm) 和中波紫外线 (UVB, 波段范围 320 nm-275 nm ) 的波段范围。
2.     用途：
a.       测试太阳光中的紫外线强度 (礼品、化妆品用具)；
b.       紫外线灯管的紫外线发生强度测试 (*器械或民用 *碗柜的*效率检验)；
3.     特点：
a.       对紫外线检测灵敏度高；
b.       感应重复性高；
c.       *可见光干扰强；
d.       体积微小；
e.       寿命长；
4.     适用人士：长期从事户外工作的*工程师、爱好旅游的人士、注重皮肤*的女性以及需要携同出行的婴幼儿；
5.     传感器参数

参数	*号	条件	*小值	中心值	*大值	单位
光谱带宽变化范围	l_b	—	290	—	400	nm
峰值灵敏度波长	lp	—	—	330	—	nm
暗光输出电压	V_dark	光强= 100 mW/m² lp= 330 nm	—	0	2	mV
灵敏度	Vs	R_L=1MΩ	3.9	4.0	4.1	mV/UVI
反向击穿电压	V_BR	—	30	40	100	V
正向电压	V_F	I_f=10mA	2.6	3.0	3.5	V
总电容	C_t	f=1MHz	—	6	—	pF
上升时间	t_r	R_L=1MΩ C_L=1000pF	—	10	—	mS
下降时间	t_f	R_L=1MΩ C_L=1000pF	—	500	—	mS

UV Photodiodes GaN

UV-photodiodes based on GaN are intrinsic visible blind due to high bandgap material, extreme irradiation hardness

	Spectral range	Chip size	Package	Note
GUVA-S10GD	200 - 370 nm	0.16 mm²	SMD 3528	Si window
GUVB-S11GD	200 - 320 nm	0.16 mm²	SMD 3528	Si window
GUVA-T11GD	200 - 370 nm	0.16 mm²	TO-46	quartz window
GUVB-T11GD	200 - 320 nm	0.16 mm²	TO-46	quartz window
GUVA-S12GD	240 - 370 nm	0.16 mm²	SMD 3528	silicon window
GUVA-S22ED	290 - 370 nm	0.16 mm²	SMD 1608	silicon/epoxy window
GUVC-T10GD	200 - 290 nm	0.16 mm²	TO-46	quartz window

UV Sensor Modules GaN

UV Sensor Modules based on GaN

	Spectral range	Size	Note	Data sheet
GUVA-S22EM-3	290 - 370 nm	8 x 8 x 2 mm³	*all size	request
GUVA-T11GM-LA	220 - 370 nm	28 x 17 x 9 mm²	basic	request
GUVA-T11GM-2	220 - 370 nm	36 x 22 x 7 mm²	adjustable gain	request

UV Photodiodes AlGaN

UV photodiodes based on AlGaN

	Spectral range	Chip size	Package	Note
GaN-UVA-SMD	220 - 370 nm	0.076 mm²	SMD 3228	peak at 350 nm
AlGaN-UVB	225 - 317 nm	0.076 mm²	TO-18	peak at 300 nm

UV Photodiodes SIC

UV-photodiodes based on SiC (Silicon Carbide) are intrinsic visible blind due to high bandgap material, extreme irradiation hardness, versions with integrated UVA, UCB or UVC filters on request

	Spectral range	Active Area	Package	Note
SIC01S	210 - 380 nm	0.054 mm²	TO-18	peak at 285 nm
SIC01S-C	230 - 285 nm	0.054 mm²	TO-39	peak at 270 nm
SIC01S-HAT	210 - 380 nm	0.054 mm²	TO-18	peak at 285 nm
SIC01S-ISO	210 - 380 nm	0.054 mm²	TO-18	pins are isolated
SIC01M	220 - 360 nm	0.22 mm²	TO-18	peak at 280 nm
SIC01M-C	230 - 285 nm	0.22 mm²	TO-39	peak at 270 nm
SIC01M-LENS	220 - 360 nm	0.22 mm²	TO-39	flame detection
SIC01L-5	220 - 360 nm	0,96 mm²	TO-5	peak at 280 nm
SIC01L-18	220 - 360 nm	0,96 mm²	TO-18	peak at 280 nm
SIC01L-5-C	230 - 285 nm	0,96 mm²	TO-39	peak at 270 nm
SIC02S	210 - 380 nm	0.054 mm²	stainless steel V2A	peak at 285 nm
ERYF-STAR			TO-18	erythema sensor, for accurate sun-UV dosimetry

UV Photodiodes SIC - large area arrays

UV photodiode array based on 4 parallel SiC detector chips for ultra low level UV radiation sensitivity, active area: 3.84 mm², peak response at 280 nm

	Spectral range	Chip size	Package	Note
SIC01L4-5	210 - 380 nm	3.84 mm²	TO-5	peak at 285 nm, Id 20 fA, 800 pF
SIC01L4-5-C	230 - 285 nm	3.84 mm²	TO-5	peak at 270 nm, Id 20 fA, 800 pF

UV Photodiodes SIC with TIA

UV photodiode based on SiC with integrated transimpedance amplifier for ultra low level UV radiation detection, peak response at 280 nm

		Spectral range	Package	Note
	UV-TIAMO-BL	210 - 380 nm	TO-5	sensitivity 0.5V/nW, gl* lens

UV Photodiodes GaP

UV photodiodes based on GaP

	Spectral range	Active Area	Package	Note
EPD-150-0/2.5	130 - 550 nm	4.8 mm²	TO-39	sapphire window
EPD-150-0/3.6	130 - 550 nm	10.9 mm²	TO-39	sapphire window
EPD-440-0/0.9	190 - 550 nm	0.51 mm²	TO-46
EPD-440-0/1.4	190 - 550 nm	1.2 mm²	TO-46
EPD-440-0/2.5	190 - 550 nm	4.8 mm²	TO-39
EPD-440-0/3.6	190 - 550 nm	10.9 mm²	TO-39
EPD-280-0-0.3-1	220 - 380 nm	0.056 mm²	TO-46
EPD-270-0-0.3-2	230 - 285 nm	0.056 mm²	TO-39
EPD-365-0/0.9	245 - 405 nm	0.51 mm²	TO-46	UG11 filter
EPD-365-0/1.4	245 - 405 nm	1.2 mm²	TO-46	UG11 filter
EPD-365-0/2.5	245 - 405 nm	4.8 mm²	TO-39	UG11 filter
EPD-365-0/3.6	245 - 405 nm	10.9 mm²	TO-39	UG11 filter
EPD-310-0-0.3-2	290 - 330 nm	0.056 mm²	TO-39
EPD-360-0-0.3-2	230 - 400 nm	0.056 mm²	TO-39