ME501 陶瓷压阻 　 压力范围：*小0~0.5bar、*大0~50bar 压力测量：*对压、表压 直径：18.00mm 結构：齐平薄膜 (FLUSH ME*RANE ) 热补偿：≤ ± 0.04 %FS/K 信号输出：差分信号(DIFFERENTIAL SIGNAL) mV/V 英文型录 　 ME505 陶瓷压阻 　 压力范围：*小0~100bar、*大0~600bar 压力测量：密封压 直径：18.00mm 結构：齐平薄膜 (FLUSH ME*RANE ) 热补偿：≤ ± 0.04 %FS/K 信号输出：差分信号(DIFFERENTIAL SIGNAL) mV/V 　 英文型录 　 ME662 陶瓷压阻 　 压力范围：*小0~*ar、*大0~400bar 压力测量：表压 直径：18.00mm 結构：單片式(MO*LITHIC) 热补偿：≤ ± 0.075%FS/K no PTC 信号输出：差分信号(DIFFERENTIAL SIGNAL) mV/V 英文型录 　 511K 陶瓷压阻 压力范围：*小0~0.5bar、*大0~600bar 压力测量：*对压、表压、密封压 *大电流：4 mA 桥电阻：10 kΩ ± 20 % 电源电压：≤ 30 VDC stabilised 特点：优异的耐化学性、温度补偿、容易裝配 应用：气动、液压、厂房及机械工程、汽车工程、*工程 英文型录 　 8001 陶瓷压阻 压力范围：*小0~1.6bar、*大0~250bar :信号输出：2.3...3.5 mV/V 电源电压：max. 20 VDC 桥电阻：10 kΩ ±30 % 特点：氧化铝陶瓷传感器体、*高的耐化学性介质、相对或*对压力测量、*高的*缘电压、集成温度补偿、*点和温度补偿的激光修整、优异的性价比 应用：造船、发动机制造、铁路、机床、水力学、暖通空调、制冷、工艺技术、水处理、汽车行业、测试台、*爆、食品工业、高压*器 英文型录

压租式传感器与应变式传感器有什么区别?

压阻传感器是基于压阻效应制成的；压阻效应，是指当半导体受到应力作用时，由于载流子迁移率的变化，使其电阻率发生变化的现象。它是C.S史密斯在1954年对硅和锗的电阻率与应力变化特性测试中发现的。
压阻效应被用来制成各种压力、应力、应变、速度、加速度传感器，把力学量转换成电信号。例如：压阻加速度传感器是在其内腔的硅梁根部集成压阻桥（其布置与电桥相似），压阻桥的一端固定在传感器基座上，另一端挂悬着质量块。

电阻应变式传感器 利用电阻应变片变形时其电阻也随之改变的原理工作（图11）。主要由弹性元件、电阻应变片、测量电路和传输电缆4部分组成。电阻应变片贴在弹性元件上，弹性元件受力变形时，其上的应变片随之变形，并导致电阻改变。测量电路测出应变片电阻的变化并变换为与外力大小成比例的电信号输出。电信号经处理后以数字形式显示出被测物的质量。

所以说，应变式传感器是压阻传感器中的一种

压阻式传感器　　压阻式传感器
　　piezoresistance t*e transducer
　　利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。单晶硅材料在受到力的作用后，电阻率发生变化，通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。压阻式传感器用于压力、拉力、压力差和可以转变为力的变化的其他物理量（如液位、加速度、重量、应变、流量、真空度）的测量和控制（见加速度计）。
　　压阻效应 当力作用于硅晶体时，晶体的晶格产生变形,使载流子从一个能谷向另一个能谷散射,引起载流子的迁移率发生变化，扰动了载流子纵向和横向的平均量，从而使硅的电阻率发生变化。这种变化随晶体的取向不同而异，因此硅的压阻效应与晶体的取向有关。硅的压阻效应不同于金属应变计（见电阻应变计），前者电阻随压力的变化主要取决于电阻率的变化，后者电阻的变化则主要取决于几何尺寸的变化（应变），而且前者的灵敏度比后者大50～100倍。
　　压阻式压力传感器的结构 这种传感器采用集成工艺将电阻条集成在单晶硅膜片上,制成硅压阻芯片,并将此芯片的周边固定封装于外壳之内，引出电*引线（图1）。压阻式压力传感器又称为固态压力传感器，它不同于粘贴式应变计需通过弹性敏感元件间接感受外力，而是直接通过硅膜片感受被测压力的。图1 中硅膜片的一面是与被测压力连通的高压腔，另一面是与大气连通的低压腔。硅膜片一般设计成周边固支的圆形，直径与厚度比约为20～60。在圆形硅膜片(N型)定域扩散4条P杂质电阻条,并接成全桥，其中两条位于压应力区，另两条处于拉应力区，相对于膜片中心对称。图2中是两种微型压力传感器的膜片，图中数字的单位为毫米。此外，也有采用方形硅膜片和硅柱形敏感元件的。硅柱形敏感元件也是在硅柱面某一晶面的*方向上扩散制作电阻条　，两条受拉应力的电阻条与另两条受压应力的电阻条构成全桥。
　　发展状况 1954年C.S.史密斯详细研究了硅的压阻效应，*开始用硅制造压力传感器。早期的硅压力传感器是半导体应变计式的。后来在 N型硅片上定域扩散P型杂质形成电阻条，并接成电桥,制成芯片。此芯片仍需粘贴在弹性元件上才能敏感压力的变化。采用这种芯片作为敏感元件的传感器称为扩散型压力传感器。这两种传感器都同样采用粘片结构，因而存在滞后和蠕变大、固有频率低、不适于动态测量以及难于小型化和集成化、精度不高等缺点。70年代以来制成了周边固定支撑的电阻和硅膜片的一体化硅杯式扩散型压力传感器。它不*克服了粘片结构的固有缺陷，而且能将电阻条、补偿电路和信号调整电路集成在一块硅片上，甚至将微型处理器与传感器集成在一起，制成智能传感器（见单片微型计算机）。这种新型传感器的优点是:①频率响应高(例如有的产品固有频率达1.5兆赫以上),适于动态测量;②体积小（例如有的产品外径可达0.25毫米），适于微型化；③精度高，可达0.1～0.01％；④灵敏高,比金属应变计高出*，有些应用场合可不加放大器；⑤无活动部件，*性高，能工作于振动、冲击、腐蚀、强干扰等恶劣环境。其缺点是温度影响较大（有时需进行温度补偿）、工艺较复杂和造价高等。
　　应用 压阻式传感器广泛地应用于航天、航空、航海、石油化工、动力机械、生物*工程、气象、地质、地震测量等各个领域。在航天和航空工业中压力是一个关键参数,对静态和动态压力,局部压力和整个压力场的测量都要求很高的精度。压阻式传感器是用于这方面的较理想的传感器。例如,用于测量直升飞机机翼的气流压力分布，测试发动机进气口的动态畸变、叶栅的脉动压力和机翼的抖动等。在飞机喷气发动机中心压力的测量中，使用专门设计的硅压力传感器,其工作温度达500℃以上。在波音客机的大气数据测量系统中采用了精度*0.05％的配套硅压力传感器。在尺寸缩小的风洞模型试验中，压阻式传感器能密集安装在风洞*处和发动机进气管道模型中。单个传感器直径*2.36毫米，固有频率*300千赫,非线性和滞后均为全量程的±0.22％。在生物*方面,压阻式传感器也是理想的检测工具。已制成扩散硅膜薄到10微米,外径*0.5毫米的*针型压阻式压力传感器和能测量心血管、颅内、尿道、*和眼球内压力的传感器。图3是一种用于测量脑压的传感器的结构图。压阻式传感器还*地应用于*压力和冲击波的测量、真空测量、监测和控制汽车发动机的性能以及诸如测量*炮膛内压力、发射冲击波等兵器方面的测量。此外，在油井压力测量、随钻测向和测位地下密封电缆故障点的检测以及流量和液位测量等方面都广泛应用压阻式传感器。随着微电子技术和计算机的进一步发展，压阻式传感器的应用还将*发展。