特点： 实现了低通导电阻的*Photo MOS 

封装： DIP6

端子形状： Surface-Mount

包装方式： tape and reel packing(X)

连续负载电流： 0.4A

负载电压： 60 V

导通电阻(平均)： 0.74 ohm

输出端子间容量(平均)： 350 pF

国外标准： UL, C-UL

触点结构： 1a

耐电压： 1500V AC

导通电阻(*大)： 1.4 ohm

开路状态漏电流(*大)： 1μA

*大允许LED电流： 50mA

LED反向电压： 10V

*大正向电流： 1A

部允许损耗： 150mW

动作LED电流(平均)： 2.4mA

动作LED电流(*大)： 5mA

复位LED电流(*小)： 0.8mA

复位LED电流(平均)： 2.2mA

LED压降(*大)： 3V

动作时间(平均)： 0.41ms

复位时间(平均)： 0.08ms

*允许损耗： 410mW

使用环境温度： -40℃～+85℃

保存温度： -40℃～+100℃

输入/输出间端子容量(平均)： 1.3pF

输入/输出间端子容量(*大)： 3pF

输入/输出*缘电阻(*小)： 1000 M ohm

推荐动作条件(输入LED电流)： 10mA

 

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