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原装MOS管

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源头工厂
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  • 型号/规格:

    IRFZ44NPBF

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IPF9540N

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    VA/场输出级

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

  • 品牌/商标:

    Vishay/威世通

  • 型号/规格:

    IRF740PBF

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 漏*电流:

    10A

  • 应用范围:

    功率

  • 品牌/商标:

    长电

  • 型号/规格:

    A44

  • 材料:

    锗(Ge)

  • 封装形式:

    SOT-89-3L

  • 封装:

    SOT-89

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    NCE9435

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

  • 用途:

    S/开关

  • 品牌/商标:

    NCEPOWER/无锡新洁能

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 批号:

    12+

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 类型:

    其他IC

  • 型号/规格:

    APM9435

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 品牌/商标:

    APM/茂达

  • 用途:

    S/开关

  • 批号:

    10+

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 是否提供加工定制:

  • 型号/规格:

    IRF3710PBF

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 用途:

    HI-IMP/高输入阻*

  • 品牌/商标:

    ME

  • 型号/规格:

    ME15N10

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    SB肖特基势垒栅

  • 型号/规格:

    4N60

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 封装形式:

    SOT-252

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    *功率

  • 型号/规格:

    AOTF11N70

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 用途:

    HF/高频(射频)放大

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 沟道类型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物,MOSFET N 通道,金属氧化物

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    IRF3205

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 品牌/商标:

    FUJI/富士通

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    SILAN/士兰微

  • 型号/规格:

    SVF1N60

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 批号:

    13+

  • 封装:

    TO220

  • 品牌/商标:

    RUICHIPS

  • 型号/规格:

    RU190N10R

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 封装外形:

    LLCC/无引线陶瓷片载

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    NCE0106Z

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    L/功率放大

  • 品牌/商标:

    NCE

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF7335D1TRPBF

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 型号/规格:

    IRL3803S

  • 材料:

    IGBT*缘栅比*

  • 用途:

    HI-IMP/高输入阻*

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFZ24VPBF

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    TR/激励、驱动

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

  • 品牌:

    AOS/美国万代

  • 型号:

    AO4420 MDT4420

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DC/直流

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    SEMIWELL

  • 型号/规格:

    SFP75N08

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 型号/规格:

    SPW30N50C3

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

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