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mos管

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源头工厂
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  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    2N60

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    L/功率放大

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFB4115PBF

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    OC

  • 型号/规格:

    IRF630

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 夹断电压:

    200(V)

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AO8822

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    BF99N50

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标:

    比亚迪

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 品牌:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号:

    SPP04N60C3

品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 SPP04N60C3 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 M*金属半导体 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 跨导 1(&...

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 型号/规格:

    mos管8025

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 品牌/商标:

    泽胜

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    STD150NH02L

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    ATMEL/爱特梅尔

  • 型号/规格:

    2334

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    WAFER/裸芯片

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    IRFB4410ZPBF

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    L/功率放大

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    1N60,2N60,3N60,4N60,5N60,6N60,7N60

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 品牌/商标:

    NCE(新洁能)

  • 型号/规格:

    NCE0106G

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌:

    比亚迪

  • 型号:

    6N60

品牌/商标 比亚迪 型号/规格 6N60 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-FBM/全桥组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 -(V) 夹断电压 -(V) 跨导 -(&m...

  • 品牌/商标:

    APM/茂达

  • 型号/规格:

    APM4953

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    LLCC/无引线陶瓷片载

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    F13NM50N

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

    品牌:SI*-IC 型号:SE8209 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:AM/调幅 封装外形:SP/*外形 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600(V) 夹断电压:600(V) 低频跨导:60(μS) *间电容:800...

    • 品牌/商标:

      Alpha/阿尔法

    • 型号/规格:

      AO3415

    • 应用范围:

      功率

    • *性:

      PNP型

    • 集电*允许电流ICM:

      无(A)

    • 集电*耗散功率PCM:

      无(W)

    • 截止频率fT:

      无(MHz)

    • 结构:

      键型

    • 品牌/商标:

      ON/安森美

    • 型号/规格:

      11N03

    • 种类:

      绝缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      S/开关

    • 封装外形:

      SMD(SO)/表面封装

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

      规格:2500psc 品牌:瑞信 产地:台湾 型号:SI2301 SI2302 SI2300 SI2305 SI2306 SI2312 公司主营产品MOS管 电源管理IC 如:SI2301 SI2302 SI2300 SI2305 SI2306 SI2312 SI2304 AO3400 AO3401 AO3402 AO3406 AO3407 AO3...

      mos管行业资讯

      • 广州飞虹半导体,MOS管生产厂家

        2022年5月17日至19日,第十届中国电子信息博览会将在深圳会展中心举办。展会提供了全方位的展览展示平台,包含了电子信息产业zui新技术、产品和服务,提供了全产业链前沿资讯、发展趋势、潜在商机,协助各大企业、行业平台品牌进行推广,尽在CITE 2022。 ...

      • 2010年中国功率MOS管市场增长53%

        据iSuppli公司,由于2010年销售增长50%以上,而且产量有限,英飞凌、意法半导体和飞兆半导体等主要供应商的某些功率MOSFET对中国市场实行配给,而且交货期拉长。2010年中国功率MOSFET市场预计增长到24亿美元,比2009年的16亿美

      • 功率MOS管供应紧张将持续到2011年年初

        据iSuppli公司,由于2010年销售增长50%以上,而且产量有限,英飞凌、意法半导体和飞兆半导体等主要供应商的某些功率MOSFET对中国市场实行配给,而且交货期拉长。2010年中国功率MOSFET市场预计增长到24亿美元,比2009年的16亿美

      • Vishay推出600V N沟道功率MOS管

        威世(VishayIntertechnology,Inc.)近日宣布推出新款600V、47AN沟道功率MOSFET---SiHG47N60S,该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低导通电阻,栅极电荷减小到216nC,采用TO-24

      • 飞兆推出结合N沟道MOS管和肖特基二极管的器件

        随着手机市场的持续发展,以及智能电话的使用率和市场增长不断上升,设计人员面临着在总体设计中增加功能性,但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势,飞兆半导体(NYSE:FCS)开发出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件

      什么是mos管?

      mos管技术资料

      • MOS管的四种类型

        1. N沟道增强型前面已经提及,图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中,...

      • MOS 管的四种类型

        图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vC5=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中,用D S间断开的线段表示Vcs=0时...

      • 开关电源MOS管的工作损耗计算

        耗计算式计算: × RDS(on) × K × 截止损耗计算: × IDSS ×( 1-Don ) 会依 VDS(off) 变化而变化,如计算得到的漏源电压 VDS(off) 很大以至接近 V(BR)DSS 则可直接引用此值。 开启过程损耗计算: 开启过程 VDS(off_on)(t) 与 IDS(off_...

      电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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