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场效应MOS管

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块 GTR达林顿模块 其他场效应管模块

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全系列IR品牌原装*场效应MOS管
全系列IR品牌原装*场效应MOS管
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRF9Z34NPBF IRF9Z24NPBF

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    NF/音频(低频)

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    M*金属半导体

场效应MOS管,2N60,4N60,6N60C,8N60
场效应MOS管,2N60,4N60,6N60C,8N60
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    1N60,2N60,3N60,4N60,5N60,6N60,7N60

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    MOS-ARR/陈列组件

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

*童/IR场效应MOS管 场效应管
*童/IR场效应MOS管 场效应管

    型号:IRF840场效应管MOS、IGBT、系列：IR、Fairchild、ST、AOS封装:SMD/DIP电压:10V-200V电流:0.5A-200A常规料号:IRFP150/250/450/460、IRF530/540/630/634/640/644/730/740/830/840、IRF1010E、IRF3205、IRF2807、I...

    场效应MOS管，AOD417 TO-252-3 美国万代AOS原装*现货
    场效应MOS管，AOD417 TO-252-3 美国万代AOS原装*现货
    • 品牌/商标：

      AOS/美国万代

    • 型号/规格：

      AOD417

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      S/开关

    • 封装外形：

      SMD(SO)/表面封装

    • 材料：

      P-FET硅P沟道

    场效应MOS管 UTC1N60AL(TO-92B)
    场效应MOS管 UTC1N60AL(TO-92B)

      品牌:* 型号:UTC1N60AL(TO-92B) 种类:结型(JFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-TPBM/三相桥 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600（V）本公司经营UTC POWER MOSFET，质量*，欢迎...

      拆机场效应MOS管21N50C3
      拆机场效应MOS管21N50C3
      • 品牌：

        英飞凌

      • 型号：

        21N50C3 21N50

      品牌/商标 英飞凌 型号/规格 21N50C3 21N50 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插

      • 周水华

      • 供应商等级： 免费会员
      • 企业类型：经销商
      • 地区:广东汕头

        • 电话：0754-86679285

      现货供场效应MOS管 IRF730 TSP730
      现货供场效应MOS管 IRF730 TSP730

        品牌:Truesemi 型号:TSP730M 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 材料:N-FET硅N沟道1、韩系*场效应管。TO-220铁头封装，1K/盒。 2、现货*供应稳定。 5.5 Amps, 400 Volts N-CHANNEL POWER MOSFETD*C...

        IRFP460场效应MOS管
        IRFP460场效应MOS管
        • 品牌/商标：

          IR/国际整流器

        • 型号/规格：

          IRFP460 IRFP460A IRFP460APBF

        • 种类：

          结型(JFET)

        • 沟道类型：

          N沟道

        • 导电方式：

          耗尽型

        • 用途：

          NF/音频(低频)

        • 封装外形：

          CER-DIP/陶瓷直插

        • 材料：

          SENSEFET电流敏感

        场效应MOS管IRF530NPBF
        场效应MOS管IRF530NPBF
        • 型号/规格：

          IRF530NPBF

        • 用途：

          D/变频换流

        • 品牌/商标：

          IR代理分销

        • 沟道类型：

          N沟道

        • 种类：

          *缘栅(MOSFET)

        • 导电方式：

          增强型

        强势代理ST意法半导体 场效应MOS管 STP60NF06 原装现货热卖
        强势代理ST意法半导体 场效应MOS管 STP60NF06 原装现货热卖
        • 漏*电流：

          60

        • 材料：

          N-FET硅N沟道

        • 种类：

          *缘栅(MOSFET)

        • 耗散功率：

          1

        • 型号/规格：

          STP60NF06

        • 封装外形：

          CER-DIP/陶瓷直插

        • 开启电压：

          600

        • 品牌/商标：

          ST/意法

        • 庄丽敏

        • 供应商等级： 免费会员
        • 企业类型：经销商
        • 地区:广东东莞

          • 电话：0769-82127809

        *原装场效应MOS管2SK3528
        *原装场效应MOS管2SK3528
        • 品牌/商标：

          FUJI/富士通

        • 型号/规格：

          2SK3528

        • 种类：

          *缘栅(MOSFET)

        • 沟道类型：

          N沟道

        • 导电方式：

          耗尽型

        大功率开关管,低导通电阻,增强型场效应MOS管SVF8N60
        大功率开关管,低导通电阻,增强型场效应MOS管SVF8N60
        • 封装外形：

          SP/*外形

        • 型号/规格：

          SVF8N60

        • 材料：

          N-FET硅N沟道

        • 用途：

          SW-REG/开关电源

        • 品牌/商标：

          SILAN/士兰微

        • 沟道类型：

          N沟道

        • 种类：

          *缘栅(MOSFET)

        • 导电方式：

          增强型

        IRFZ44N /IRFZZ24N 国际整流器IR场效应MOS管
        IRFZ44N /IRFZZ24N 国际整流器IR场效应MOS管
        • 品牌/商标：

          IR/国际整流器

        • 型号/规格：

          IRFZ44NPBF/IRFZ24NPBF

        • 种类：

          *缘栅(MOSFET)

        • 沟道类型：

          N沟道

        • 导电方式：

          增强型

        • 用途：

          SW-REG/开关电源

        • 封装外形：

          P-DIT/塑料双列直插

        • 材料：

          N-FET硅N沟道

        场效应MOS管 K2225 2SK2225
        场效应MOS管 K2225 2SK2225

          品牌:HIT日本日立 型号:K2225 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 开启电压:1500（V）型号:2SK2225,品牌:REN*AS(原HITACHI),变频器及开关电源*MOS管,1500V,2A,TO-*,百分百现货,原装, 深圳市伟隆达电...

          • 徐伟

          • 供应商等级： 免费会员
          • 企业类型：经销商
          • 地区:广东深圳

            • 电话：0755-28195839

          供场效应MOS管，FQP7N80C，FQP7N80
          供场效应MOS管，FQP7N80C，FQP7N80
          • 品牌：

            FAIRCHILD（*童）

          • 型号：

            FQP7N80C

          品牌/商标 FAIRCHILD（*童） 型号/规格 FQP7N80C 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 亿隆半导体有限公司是一家的电子元件供应商,专...

          场效应MOS管2SJ367
          场效应MOS管2SJ367

            品牌:NEC 型号:2SJ367 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装2SJ367可批量也可*售，现货供应,品种*,欢迎咨询,订购.经营电子元器件：贴片二三*管，电容，电阻，电感，磁珠，...

            • 颜少华

            • 供应商等级： 免费会员
            • 企业类型：经销商
            • 地区:广东深圳

              • 电话：0755-23815756

            热销CS1N60A1H 华晶TO-92场效应MOS管 低价批量热销 送样
            热销CS1N60A1H 华晶TO-92场效应MOS管 低价批量热销 送样
            • 品牌/商标：

              华晶

            • 型号/规格：

              CS1N60A1H

            • 种类：

              绝缘栅(MOSFET),绝缘栅(MOSFET)

            • 沟道类型：

              N沟道,N沟道

            • 导电方式：

              耗尽型,耗尽型

            • 用途：

              VR/可变电阻

            • 封装外形：

              SMD(SO)/表面封装,SMD(SO)/表面封装

            • 材料：

              N-FET硅N沟道,N-FET硅N沟道

            场效应MOS管FDG6322 FDG6323L
            场效应MOS管FDG6322 FDG6323L
            • 品牌/商标：

              FAIRCHILD/仙童

            • 型号/规格：

              FDG6322 FDG6323L

            • 种类：

              绝缘栅(MOSFET)

            • 沟道类型：

              N沟道

            • 导电方式：

              增强型

            • 用途：

              DC/直流

            • 封装外形：

              SMD(SO)/表面封装

            • 材料：

              ALGaAS铝镓砷

            仙童场效应MOS管，FQPF8N80C，FQPF8N80，8N80
            仙童场效应MOS管，FQPF8N80C，FQPF8N80，8N80
            • 品牌/商标：

              FAIRCHILD/仙童

            • 型号/规格：

              FQPF8N80C

            • 种类：

              绝缘栅(MOSFET)

            • 沟道类型：

              N沟道

            • 导电方式：

              增强型

            • 用途：

              L/功率放大

            • 封装外形：

              CER-DIP/陶瓷直插

            • 材料：

              GE-N-FET锗N沟道

            现货SI2306场效应MOS管可替换台湾震阳低压场效应管Z2306
            现货SI2306场效应MOS管可替换台湾震阳低压场效应管Z2306
            • 品牌/商标：

              台湾震阳

            • 型号/规格：

              Z2306

            • 种类：

              绝缘栅(MOSFET)

            • 沟道类型：

              N沟道

            • 导电方式：

              增强型

            • 用途：

              SW-REG/开关电源

            • 封装外形：

              CER-DIP/陶瓷直插

            • 材料：

              MES金属半导体

            场效应MOS管技术资料

            • 载流子寿命控制技术加快ST新型场效应MOS管的速度

              意法半导体日前推出一款0N沟道场效应MOS晶体管——STx9NK60ZD，可用于高强度放电灯、高端镇流器和采用零压和零流开关技术的开关电源。STx9NK60ZD率先采用SuperFREDMesh新型高压工艺，由于这项先进技术在ST原有的基本高压系列

            场效应MOS管相关产品

            电子元器件产品索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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