1N4148
ST
DO-35
无铅*型
直插式
散装
V
电话:0755-83987377
手机:13723471355
BD4148WSP
丽智
贴片
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
小功率
50-100V
电话:0769-87927598
B*
JCST(长电)
SOT-23
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
电话:0755-33061015
手机:13554921817
品牌:UNION 型号:UN2K8-600L 应用范围:开关 结构:点接触型 材料:陶瓷 封装形式:直插型 封装材料:陶瓷封装 功率特性:大功率 频率特性:高频 正向工作电流:10(A) 反向电压:600(V)开关型放电管 开关次数可达10万次以...
电话:755-88367163
手机:13501596126
2N60
INFINEON(英飞凌)
TOO220
无铅*型
直插式
卷带编带包装
*功率
*频
电话:0755-82435350-8010
手机:13724342615
*童,IR ST
4N60
结型(JFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
电话:86 1369 2044093
手机:13692044093
开关管
否
SEMTECH/先科
4148
硅(Si)
直插件消费类电子产品
收音机,DVD,多媒体音箱,电视机,电源
4148
电话:86 769 22662050
300
30
直插型
1
三*管 2SC2246
硅(SI),硅(SI)
FUJI/富士通
功率
手机:13670546826
P-DIT/塑料双列直插
E13007
HEMT高电子迁移率
S/开关
STI美国半导体技术
N沟道
*缘栅(MOSFET)
耗尽型
手机:15816621184
35
520
1.5
直插型
TO
硅(Si)
国产
开关
手机:
亚成微
RM6203
结型(JFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
手机:
*
13005
结型(JFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
手机:15815004462
创佳CANCA
开关
大功率
低频
NPN型
硅(Si)
直插型
塑料封装
手机:
是
TINLY
13007S
开关
硅(Si)
NPN型
8(A)
85(W)
手机:13902760299
10000/小盒 100000/箱
1(℃)
1
2013
硅(SI),硅(SI)
是
2
IN4148
手机:13435410170
是
开关管
是
PHILIPS/飞利浦
1n4148
锗(Ge)
4148
开关管
手机:13688895825
开关管
否
SEMTECH/先科
1N4689 1N4687 1N4688
硅(Si)
玻封
-50-200(℃)
500MW
手机:13925775997
否
开关管
否
SEMTECH/先科
4148
硅(Si)
4148
收音机,DVD,多媒体音箱,电视机,电源
手机:
是
NEC/日本电气
D1557/2SD1557
功率
锗(Ge)
PNP型
达标(V)
达标(A)
电话:0755-61685982
手机:13418695776
C5027-R
国产
TO-220
无铅*型
直插式
管装
电话:0755-89629956
手机:13715298079
摘要:通过对绝缘外壳的空气击穿特性、固体介质沿面闪络特性的分析,给出了真空开关管绝缘外壳的设计要点,即绝缘外壳的最小高度是由冲击电压决定的,而爬电距离是由工作电压及环境条件决定的。绝缘外壳要同时满足这两方面的要求。关键词:真空开关管;击穿;沿面闪络
量研科技(QuantumResearchGroup)日前宣布推出电容式触摸传感系列的新产品——QT102,该芯片采用SOT-23-6封装,是内置开关管理和安全功能的单通道式触摸开/关传感芯片。这些功能完善发挥了功率管理较高要求的电池驱动应用和电
电容式触摸传感技术供应商量研科技(QuantumResearchGroup)日前宣布推出电容式触摸传感系列的新产品——QT102,该芯片采用SOT-23-6封装,是内置开关管理和安全功能的单通道式触摸开/关传感芯片。这些功能完善发挥了功率管理较
场效应开关管好坏及极性判别方法!判断场效应开关管好坏的方法是:将万用表电阻档量程拨至R×1k档,用黑表笔接D极,红表笔接S极,用手同时触及一下G、D极,场效应开关管应呈瞬时导通状态,即表针摆向阻值较小的位置;再用手触及一下G、S极,场效应开关管应无
日前,东芝中国方面向本报透露,其与广州白云电气集团有限公司(简称“广白电集团”)达成协议,将收购该公司在中国辽宁省锦州市投资建立的真空开关管制造和销售公司60%的股份,并设立新的合资公司。据了解,锦州华光真空开关管有限公司是广白电集团的100%控股
一般情况下普遍用于高端驱动的MOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压,而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电...
一、引言MOSFET作为主要的开关功率器件之一,被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析,有利于优化MOSFET损耗,提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗,反而会引起更严重的EMI问题,导致整个系统不能稳定工作。所以需要在减少MOSFET的损耗的同时需要...
今天,车企正在加快汽车技术创新步伐,开发出了电动汽车、网联汽车、自动驾驶汽车、共享汽车等全新的汽车概念。汽车电动化和数字化的大趋势包括区域控制架构、功率芯片驱动数字化、电池管理系统、功率电子和电源/能源管理。电控单元 (ECU)对更大功率、更高安全性的需求日益增长,推动系统设...