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AOS场效应管

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源头工厂
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  • 型号/规格:

    AOD454

  • 品牌/商标:

    AOS

  • 封装形式:

    TO-252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AO4824

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 功率:

    2A

  • 批号:

    +13

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 电源电流:

    1

  • 针脚数:

    直插

  • 类型:

    电源模块

  • 封装外形:

    SOT-23

  • 型号/规格:

    AOT430

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    AO3403

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 结温:

    -50~+150℃

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AO4710

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    AOS/ALPHA

  • 型号/规格:

    AO4456 AO4459 AO4466

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AO3402

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AO3404

  • 低频噪声系数:

    33

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 漏*电流:

    33

  • 品牌:

    AOS/美国万代

  • 型号:

    AO7400

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AOD456(P)

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    AO3402

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AOD4104

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 型号/规格:

    AO3402

  • 品牌/商标:

    AOS

  • 封装形式:

    SMD

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

    品牌:AO 型号:AO4815 批号:2010+ 封装:SOP-8 营销方式:现货 产品性质:* 制作工艺:半导体集成

      品牌:ALPHA? 型号:AO3406L 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:MOS-HBM/半桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:P-FET硅P沟道 开启电压:321(V) 夹断电压:312(V) 低频跨导:3123(&mu...

      • 刘理秋

      • 供应商等级: 免费会员
      • 企业类型:经销商
      • 地区:广东深圳
      • 电话:0755-82794305

        型号:AOT430 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型代替STP75NF75,大量现货供应

          品牌:AO 型号:AO8802 批号:2010+ 封装:TSSOP 营销方式:现货 产品性质:新品 处理信号:模拟信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*性 集成程度:小规模 工作温度:0~70(℃)深圳市继盛达科技有限公司是一家以集成电路销...

            品牌:其他 型号:AO4946 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-HBM/半桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:30(V) 夹断电压:12(V) 低频跨导:1(μS) ...

              品牌:AOS 型号:AO4440 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:DUAL/配对管 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:原厂标准(V) 夹断电压:原厂标准(V) 低频跨导:原厂标准(&am...

              • 品牌/商标:

                AOS/美国万代

              • 型号/规格:

                AO4902

              • 种类:

                *缘栅(MOSFET)

              • 沟道类型:

                N沟道

              • 导电方式:

                增强型

              • 用途:

                V-FET/V型槽MOS

              • 封装外形:

                SMD(SO)/表面封装

              • 材料:

                N-FET硅N沟道

              电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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