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SK36

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2SK3611三*管
2SK3611三*管
  • 型号/规格：

    2SK3611

  • 品牌/商标：

    富士通

  • 封装形式：

    TO-247

  • *类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 金捷信电子有限公司

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东汕头

    • 电话：0754-84499947

    手机：15914144140

场效应三*管 2SK360
场效应三*管 2SK360
  • 型号/规格：

    2SK360

  • 品牌/商标：

    REN*AS

  • 封装形式：

    SOT23

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

2SK3673-01MR 场效应管
2SK3673-01MR 场效应管
  • 型号/规格：

    2SK3673-01MR 场效应管

  • 品牌/商标：

    FUJI

  • 封装形式：

    TO-220F

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

  • 功率特征：

    *率

2SK368-Y/音频高压放大/N沟道结型场效应管JFET/SOT-23/TOSHIBA
2SK368-Y/音频高压放大/N沟道结型场效应管JFET/SOT-23/TOSHIBA
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    2SK368-Y

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    NF/音频(低频)

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

NEC场效应管2SK3653
NEC场效应管2SK3653
  • 型号/规格：

    2SK3653

  • 品牌/商标：

    NEC

  • 封装形式：

    SMT

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特性：

    *率

  • 频率特性：

    高频

原装*2SK3649，大量现货，价格优势
原装*2SK3649，大量现货，价格优势
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    2SK1649

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    O/振荡

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

  • 方育槟

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东深圳

    • 电话：86 755 82799923

    手机：13421376910

场效应管 2SK3667,K3667,2SK3767,K3767
场效应管 2SK3667,K3667,2SK3767,K3767
  • 品牌/商标：

    Toshiba/东芝

  • 型号/规格：

    2SK3667

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    S/开关

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    硅(Si)

2SK360 IGE
2SK360 IGE
  • 应用范围：

    放大

  • 品牌/商标：

    *

  • 型号/规格：

    2SK360-IGE

  • 材料：

    锗(Ge)

  • 封装形式：

    贴片型

  • 集电*耗散功率PCM：

    1.5

  • 击穿电压VCBO：

    1

  • 集电*允许电流ICM：

    0.8

〖〗*二手2SK3679 K3679场效应管 TO-220 质量* 三*管
〖〗*二手2SK3679 K3679场效应管 TO-220 质量* 三*管
  • 品牌/商标：

    FUJI/富士通

  • 型号/规格：

    2SK3679

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 蔡创森(个体经营)

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东汕头

    • 手机：15019705509

场效应管(MOSFET) 2SK360 REN*AS 2SK360IGF
场效应管(MOSFET) 2SK360 REN*AS 2SK360IGF
  • 品牌：

    REN*AS/瑞萨

  • 型号：

    2SK360IGF

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    HF/高频(射频)放大

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

(纳谷电子）*2SK369原装
(纳谷电子）*2SK369原装
  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格：

    2SK369

  • 材料：

    GE-P-FET锗P沟道

  • 用途：

    NF/音频(低频)

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 导电方式：

    耗尽型

2SK360 IGE
2SK360 IGE
  • 是否提供加工定制：

    否

  • 品牌/商标：

    *

  • 型号/规格：

    2SK360-IGE

  • 应用范围：

    放大

  • 材料：

    锗(Ge)

  • *性：

    PNP型

  • 击穿电压VCBO：

    1（V）

  • 集电*允许电流ICM：

    0.8（A）

拆机2SK3659
拆机2SK3659
  • 是否提供加工定制：

    是

  • 品牌/商标：

    TI/德州仪器

  • 型号/规格：

    sdf

  • 应用范围：

    放大

  • 陈佩旋

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东

    • 手机：

2SK3683 k3683
2SK3683 k3683
  • 品牌/商标：

    FUJI/富士通

  • 型号/规格：

    2SK3683

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 朱崇亮

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东汕头

    • 手机：

2SK3638 K3638 主营场效应管，单片机，电子料配套
2SK3638 K3638 主营场效应管，单片机，电子料配套
  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格：

    K3638

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 用途：

    UNI/一般用途

  • 品牌/商标：

    NEC/日本电气

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

  • 朱钦元

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东深圳

    • 手机：

场效应管 2SK3697-01 2SK3697 K3697
场效应管 2SK3697-01 2SK3697 K3697
  • 品牌/商标：

    FUJI/富士通

  • 型号/规格：

    2SK3697-01,TO-247,DIP/MOS,N场,600V,42A,0.17Ω

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

厂家代理授权原装 2SK368
厂家代理授权原装 2SK368
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    2SK368

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

2SK3680 贴片三*管
2SK3680 贴片三*管
  • 结构：

    点接触型

  • 材料：

    硅(Si)

  • 加工定制：

    否

  • 击穿电压VCEO：

    `（V）

  • 应用范围：

    放大

  • 集电*耗散功率PCM：

    `（W）

  • *性：

    NPN型

  • 集电*允许电流ICM：

    `（A）

优势场效应晶体管2SK3664
优势场效应晶体管2SK3664
  • 品牌/商标：

    NEC/日本电气

  • 型号/规格：

    2SK3664

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    CHOP/斩波、限幅

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

销售场效应MOS管2SK3673 k3673
销售场效应MOS管2SK3673 k3673
  • 品牌/商标：

    FUJI/富士通

  • 型号/规格：

    K3673

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

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