近日，微电子所微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士的科研团队在HfO2基铁电存储器研究领域取得了进展，提出了一种基于Hf0.5Z0.5rO2（HZO）材料的铁电二极管（Fe-diode），并实现了三维集成。 铁电存储器具有高速、低功耗、高可靠性的优点，是下一代非...
非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RAMTRON宣布德国嵌入式软件和硬件供应商Fimicro已在Active104新系列单板计算机以及智能I/O扩展模块中采用非易失性铁电存储器。FimicroO已将RAMTRON
RamtronInternationalCorporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM以8051为基础的微控制器(MCU)--VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa8501产品中，以进行快速可靠的非易
非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM以8051为基础的微控制器(MCU)-VRS51L3072。Ramtron将F-R
非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM以8051为基础的微控制器(MCU)--VRS51L3072。Ramtron将F-
