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无限
电话:0755-83227865
手机:13798286228
T-80*
东洋
蓝膜、翻晶膜、UV蓝膜、T-80*蓝膜、T-80HB蓝膜、 半导体硅片/晶圆研磨胶带、晶圆切割蓝膜、UV膜、 蓝色磨砂保护膜、晶圆蓝膜、半导体硅片/晶圆蓝膜、 晶圆背面研磨蓝膜、晶圆切割蓝色保护膜、晶圆减薄蓝膜 二、特点...
电话:0755-27531696
手机:13528481385
全自动硅片*声波清洗机
KT-6150ST
科泰
电话:0755-81709666
手机:18818860316
美国UDM AKLC300系列光伏硅片洗涤剂浓缩液
美国UDM
美国UDM AKLC300系列光伏硅片洗涤剂浓缩液 l AKLC300洗涤剂浓缩液是一种可生物降解、水性、非碱性、非酸性物质 l PV wafer Cleaning after wafering 用于切片之后对光伏硅片进行清洗 l DI /RO water: Detergent dilu...
电话:0136-02588976
手机:13602588976
单槽硅片*声波清洗机
D-1020
帝旺德
日本
电话:0755-36626126
手机:13713960600
硅片
TK060
不发光
外延型
磷化铝镓铟AlGaInP
直插型
树脂封装
大功率
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调制二*管
*
58MIL
面接触型
砷化镓(GaAs)
功率型
树脂封装
大功率
手机:
1000
SC
蓝膜、翻晶膜、半导体硅片/晶圆研磨胶带、晶圆切割蓝膜、UV膜、晶圆研磨保护膜晶圆蓝膜、半导体硅片/晶圆蓝膜、晶圆背面研磨蓝膜、晶圆切割蓝色保护膜、蓝色磨砂保护膜二、特点: 蓝色保护胶带为半导体晶圆厂或封装...
电话:0755-27252527
手机:13699899722
6 / 8 /12 寸
*
直径:300±0.2 mm 表面状况:无划痕和粘污物 标准厚度:775±25 µm 边缘:无崩边,隐裂,微裂 TTV+TIR+Warp ≤40UM 8寸规格: 直径:200±0.2 mm 表面状况:无划痕和粘污物 标准厚...
电话:0755-13266668266
手机:13266668266
CYS-50D
楚粤机械
硅片激光切片机的工作原理:激光切片是利用*激光束照射在电池片/硅片表面,使被照射区域局部熔化、气化,在数控工作台的带动下进行激光切割,从而*切片目的。激光切片光束能量密度高,切片*,而且其*是非接触式的,对...
电话:0756-8818642
手机:15989797567
电话:0755-82543251
手机:15012457707
种类 光磊*缘硅片 特性 *缘 用途 散热/*缘 长期供应光磊*缘硅片 :、 CR-0055:55mil,9.8mil厚度CR-0055A:55MIL,5mil厚度CR-0055B:55MIL,4.0MIL厚度 CR-0060:60mil,4.0厚度 用于芯片垫底:增强散热功能,可以做...
电话:769-86453534
品牌:富士 化学类型:单晶硅太阳电池 外形尺寸:125*125 工作电压:0.5(V) 型号:125单晶硅片 用途:太阳能电池板 产品:CE 热转化率:17(%) 参考重量:13KG/箱(kg)品牌:富士类型:125单晶硅片规格:125*125B类片.色差或...
电话:0755-86325908
种类:元素半导体规格156*156单晶硅片材料:单晶硅成长方法:CZ类型/杂质:P型晶向:<100>电阻率:0.5-3ohm.cm, 3-6ohm.cm氧含量:≤1.0×1018at/cm3(20ppma)碳含量:&...
电话:750-6609618
品牌:OLEDSOLAR 化学类型:单晶硅太阳电池 工作电压:12(V) 型号:10*15太阳能光伏电池板 太阳能电池 硅太阳能电池分为单晶硅太阳能电池、多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池三种。单晶硅太阳能电池转换效率...
电话:0752-2841118
品牌:激光划片机 型号:AHL-HP50 产品用途:切割划片 适用材质:陶瓷,硅,半导体衬底材料 刻线深度:0.001-0.5(mm) 线割速度:10-100(mm/s)奥华激光的AHL-HP 50全自动激光划片机主要用于硅片、陶瓷片切割和划片,金...
电话:0755-81280099
硅片是太阳能电池片的载体,硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低。太阳能电池片的优劣需要通过测试分选,而对于不良的太阳能电池片,生产过程如何控制呢?下面是不良的太阳能电池片的控制流程: 1、领料时清点发料单上数量,档次(效率或功率)与实物是否相符; 2、拆...
本标准规定了太阳电池用多晶硅片的术语定义、符号及缩略语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于铸锭多晶切片垂直于长晶方向生产的太阳电池用多晶硅片。
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)提出并归口。