否
国产
2SC5196 2SA1939
功率
硅(Si)
N/P型
6(A)
60(W)
电话:0571-63342995
品牌:OC 型号:2SC5200/2SA1943 应用范围:功率 功率特性:大功率 频率特性:高频 *性:NPN型 结构:平面型 材料:硅 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 型号:2SC5200/2SA1943 NPN硅大功率晶体管 封装形式:TO-*L 电特性...
电话:0571-63342995
晶体管的击穿现象:从晶体管的输出特性曲线可知,对于某一条输出特性曲线,当c-e之间电压增大到一定数值时,晶体管将产生击穿。一次击穿:而且IB愈大,击穿电压愈低,称这种击穿为“一次击穿”。二次击穿:晶体管一次击穿后,集电极电流会聚然增大,若不加以限制
低频功率输出级按功放管的工作状态为甲类、乙类、丙类三种。它们各有特点:(1).甲类功率输出级主要优点是失真小,主要缺点是效率低。它的输出功率Po,电源功耗PD,集电极功耗Pcmax和效率分别为:Po=Ec2/2RLPD=2Ec2/RLPcmax