高频炉
80Kw
*锋电气
河南许昌
电话:0374-2355679
手机:15993692891
是
力牌
gs-zp-300
中频感应加热电源
透热,淬火
电话:86 0371 53732142
手机:18737116920
IGBT小型熔炼炉
大好机电
通过感应,使贵金属*升温,*熔炼结果。单炉熔化1-50kg,单炉熔化时间2-20分钟,炉温可达1500-2000度。通自来水冷却(0.03mpa)即可,工作*,操作方便。 一、熔炼炉结构 1.熔炼炉电源主要包括:高频电源、中频电源 2....
电话:0379-62268896
手机:18638480453
WH-VI-30
力牌
力牌超音频感应加热机的优势: 1.加热快 最快加热速度不到1秒(速度快慢可调节控制); 2.安装方便 连接电源、感应圈和进出水管即可使用;体积小、重量轻,使用方便; 3.操作简单 几分钟即可学会; 4.启动快 通水通...
电话:0371-53732143
手机:15303839513
国产
CBBI
*薄膜
滤波
方块状
*率
高频
固定
手机:
品牌:型号:输出功率:(kw) 输入功率:(kw) 输出中频电压:(V) 输出中频电流:(A) 输出振荡频率:(HZ)IGBT逆变中频感应加热电源,是充分发挥我厂在电能变换技术方面的优势,新开发的更新换代产品。*突出的优点是...
电话:0379-62267733
品牌:力牌 型号:WH-VI-60 产品别名:高频淬火机 产品用途:淬火,加热,焊接 我公司生产淬火、淬火炉、高频淬火机、高频淬火炉、淬火设备。采用德国原装西门子IGBT功率模块;采用富士整流模块;采用环氧树脂浇注功率输出...
电话:0371-53732140
FAIRCHILD/*童
160N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MW/微波
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
电话:0371-66930171
/
EXB841
品牌/商标 / 型号/规格 EXB841 封装 13脚 批号 / 制作工艺 半导体集成 规格尺寸 /(mm) 工作温度 /(℃) 静态功耗 /(mW) 类型 驱动IC
电话:0379-65255269
鹤壁圣亚
CBB84
*薄膜
高频
方块状
固定
径向引出线
0.47-3
电话:0392-2183077
7*R10SA(*)120/LWH
富士
无铅*型
电话:0371-66951078
手机:13903841651
价格:面议 规格:各种 产地:洛阳市大好机电有限公司 型号:各种 数量:不限 IGBT逆变中频感应加热电源,是充分发挥我厂在电能变换技术方面的优势,新开发的更新换代产品。*突出的优点是:*,总转换率达85%(配普通炉体、...
电话:0379-62318896
日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench I...
SPM31 智能功率模块 (IPM) 用于三相变频驱动应用,能实现更高能效和更佳性能 智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31 智能功率模块...
意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V,最高工作温度拓宽到175°C,更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。 新推出的 STPOWER IH2系列IGBT还提高了功率转换能效,相关参数十分出色,例如,...
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器,新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块,具有增强的保护功能,可确保安全可...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块,以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了4.5 kV XHP 3 IGBT模块,旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用...
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写,即绝缘栅双极型晶体管。它是一种功率半导体器件,结合了MOSFET和双极型晶体管的优点,可以在高电压和高电流条件下工作,因而被广泛应用于电力电子领域。 与MOSFET相比,IGBT具有更低的驱动电压和更高的开...
利用IGBT高速、低饱和电压特性的应用领域正在迅速扩大。它包括工业应用,例如太阳能系统逆变器和不间断电源 (UPS),以及消费类应用,例如等离子显示面板 (PDP) 中的照明控制、IH 烹饪加热器中的加热器控制、功率因数校正 (PFC) 电路空调中的逆变器以及相机中...
MOSFET 和 IGBT 技术 由于不存在少数载流子传输,MOSFET 可以以更高的频率进行开关。对此的限制由两个因素决定:电子穿过漂移区的传输时间以及对输入栅极和米勒电容充电和放电所需的时间。 IGBT 继承了 MOSFET 和 BJT 的优点。它作为 MOSFET 运行,在其...