品牌:ST 型号:TIP42 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:稳定电压 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-P-FET锗P沟道 开启电压:1(V) 夹断电压:1(V) 低频跨导:1(μS) *间电容:1(pF...
电话:0769-85338953
FAIRCHILD/*童
1N60,2N60,3N60,4N60,5N60,6N60,7N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-ARR/陈列组件
CHIP/小型片状
ALGaAS铝镓砷
电话:0769-85160256
型号:IRF840场效应管MOS、IGBT、系列:IR、Fairchild、ST、AOS封装:SMD/DIP电压:10V-200V电流:0.5A-200A常规料号:IRFP150/250/450/460、IRF530/540/630/634/640/644/730/740/830/840、IRF1010E、IRF3205、IRF2807、I...
电话:0769-85192252
60
N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
1
STP60NF06
CER-DIP/陶瓷直插
600
ST/意法
电话:0769-82127809
FUJI/富士通
2SK3528
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
电话:0769-84292222
意法半导体日前推出一款0N沟道场效应MOS晶体管——STx9NK60ZD,可用于高强度放电灯、高端镇流器和采用零压和零流开关技术的开关电源。STx9NK60ZD率先采用SuperFREDMesh新型高压工艺,由于这项先进技术在ST原有的基本高压系列