FAIRCHILD/*童
*童场效应管f75842P
结型(JFET)
N沟道
增强型
S/开关
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
手机：
TOSHIBA/东芝
2SJ143
结型(JFET)
P沟道
增强型
DC/直流
CER-DIP/陶瓷直插
P-FET硅P沟道
手机：13342712478
IXY美国电报半导体
IXTQ22N60P
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
D-G双栅四*
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机：15018363241
TOSHIBA/东芝
J334,2SJ334
*缘栅(MOSFET)
P沟道
耗尽型
/
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电话：754-84497561
IXY美国电报半导体
IXTQ22N60P
品牌/商标 IXY美国电报半导体 型号/规格 IXTQ22N60P 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 D-G双栅四* 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道
电话：0754-89970252
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，常用于放大、开关和调节电流。其工作原理基于半导体中的电场调制效应，主要有三种类型：金属氧化物场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET）、绝缘栅...
为使 N 沟道结型场效应管能正常工作，应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压；在漏-源之间aD5,加正向电压ups，以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点，又实现了。u.对沟道电流的控制。 u下面通过栅-源电压uc和...
1．判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外曲个电极，进行测量。 (3)判断：若两次测得的电阻阻值近似相等，则表明该黑表笔接的是栅极G，另外两个电极分别是源极S和漏极D...
