ENG1220
西安易恩电气
西安市高陵区
半导体测试设备原厂
电话:02987309001
手机:15249202572
西正
GA400DD120k
单向
三*
塑料封装
平底形
普通
带散热片
手机:
YB580-X
谊邦
YB580-X *缘栅双*晶体管(IGBT)测试系统,将G-E*间电流放大,分别提供 500A, 1000A和1250A的G-E*电流。 YB580-X IGBT测试系统,可测试IGBT参数包括了IC*、BVC*、IG*F、IG*R、VGETH、VGEON、VC*AT、ICON、VF、GFS等全直...
电话:029-68967080
手机:13759984767
品牌:东芝 型号:2000A/10KV 类型:风能逆变器 产品:CCC 电路拓扑结构:全桥式 输出电压波形:正弦波 输入电压范围:220V-10K(V) 输出电压:220K(V) 输出功率:3M(W) 逆变效率:98(%) 电压调整率:98(%) 负载调整率...
电话:029-85271826
品牌:SIEMENS/西门子 型号:西门康IGBT模块 用途:西门康IGBT模块 产品:西门康IGBT模块西门康模块型号技术指标批价/元西门康模块型号技术指标批价/元SKKT15/12E15A/1200V/2U120SKKT57/16E55A/1600V/2U190SKKT27/12E27A...
电话:029-86189022
0
优派克
*
无铅*型
直插式
1111
电话:029-86189022
手机:15191685951
品牌:TOSHIBA东芝 型号:MG50G2CL2 批号: 封装:S/M 营销方式:现货 产品性质:* 制作工艺:半导体集成 工作温度:-40~85(℃)本公司大量供应富士,东芝,三社,三菱,西门子,西门康,三垦等系列二手拆机模块,质优价廉,欢迎新...
电话:029-82525946
*
Schneider/施耐德
驱动板
CPU
三相AC380-400(V)
内置1A+1B滤波器
V/F闭环
低压
电话:029-88385235
2*300LB-060
FUJI富士
普通型
电话:029-15309210597
手机:15309210597
日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench I...
SPM31 智能功率模块 (IPM) 用于三相变频驱动应用,能实现更高能效和更佳性能 智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31 智能功率模块...
意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V,最高工作温度拓宽到175°C,更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。 新推出的 STPOWER IH2系列IGBT还提高了功率转换能效,相关参数十分出色,例如,...
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器,新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块,具有增强的保护功能,可确保安全可...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块,以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了4.5 kV XHP 3 IGBT模块,旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用...
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写,即绝缘栅双极型晶体管。它是一种功率半导体器件,结合了MOSFET和双极型晶体管的优点,可以在高电压和高电流条件下工作,因而被广泛应用于电力电子领域。 与MOSFET相比,IGBT具有更低的驱动电压和更高的开...
利用IGBT高速、低饱和电压特性的应用领域正在迅速扩大。它包括工业应用,例如太阳能系统逆变器和不间断电源 (UPS),以及消费类应用,例如等离子显示面板 (PDP) 中的照明控制、IH 烹饪加热器中的加热器控制、功率因数校正 (PFC) 电路空调中的逆变器以及相机中...
MOSFET 和 IGBT 技术 由于不存在少数载流子传输,MOSFET 可以以更高的频率进行开关。对此的限制由两个因素决定:电子穿过漂移区的传输时间以及对输入栅极和米勒电容充电和放电所需的时间。 IGBT 继承了 MOSFET 和 BJT 的优点。它作为 MOSFET 运行,在其...