三维存储器设计取得进展

近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所相变存储器课题组在三维存储器设计领域取得进展，研究成果以A Single-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Cross Point PCM为题，发表在IEEE Transactions on Circuits and...

分类：行业趋势 时间：2017/9/14 阅读：218 关键词：三维存储器