＜概要＞全球知名半导体制造商ROHM新开发出兼备业界低传导损耗※1和高速开关特性的650V耐压IGBT※2“RGTV系列（短路耐受能力※3保持版）”和“RGW系列（高速开关版）”，共...
分类：新品快报 时间：2018/4/19 阅读：872 关键词：ROHM
近日，赛晶电力电子集团成功研制出针对新能源汽车IGBT使用的驱动方案GU-C12-AB-12D-V1。该产品的成功研发，标志着赛晶集团的新能源汽车用IGBT驱动器技术已经处于行业地位，...
近几年来，各国都在大力推行新能源汽车的发展，而电动汽车的投入是的。截止到目前，已经有不少国家推出了禁止燃油车销售时间表，其中最为激进的是挪威和荷兰，他们要求2025...
分类：业界要闻 时间：2018/3/28 阅读：608 关键词：新能源汽车
英飞凌在日前宣布，携手上海汽车集团股份有限公司（以下简称“上汽集团”）在上海成立合资企业上汽英飞凌汽车功率半导体（上海）有限公司，其中英飞凌在合资公司中的占股比...
在未来几年，IGBT市场具有很好的投资价值。我们预计到2022年，全球IGBT市场总量将超过50亿美金，其主要增长将来自于功率模块的销售贡献。IGBT市场将得益于巨大的汽车市场影响，特别是在电动汽车（EV）和混合动力汽车（EHV）的电力传动部...
分类：行业趋势 时间：2018/1/22 阅读：578 关键词：IGBT
Infineon 推出面向单管IGBT的TRENCHSTOP™ Advanced Isolation封装
英飞凌科技股份公司推出全新封装技术TRENCHSTOP Advanced Isolation。TRENCHSTOP Advanced Isolation可用于TRENCHSTOP和TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT，确保一流的散热性能并简化制造流程。两个版本均经过性能优化，可取代全塑封封装（Ful...
分类：新品快报 时间：2017/7/19 阅读：513 关键词：Infineon
Infineon采用TO-247PLUS封装的高功率密度单管IGBT
英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）进一步壮大1200 V单管IGBT产品组合阵容，推出电流达75 A的新产品系列。TO-247PLUS封装同时还集成全额定电流反并联二极管。全新TO-247PLUS 3脚和4脚封装可满足对更高功率密度和更高效率不断...
分类：新品快报 时间：2017/7/19 阅读：582 关键词：Infineon
英飞凌的EconoPIM 3封装IGBT模块额定电流将提高至150 A
英飞凌科技股份公司进一步扩大EconoPIM 3封装IGBT模块产品系列，模块的额定电流从100 A增至150 A，提高了50%。新的功率模块可以在相同尺寸下，满足对更高功率密度与日俱增...
IGBT鼻祖巴利伽教授为你讲述IGBT器件的前世、今生及未来
能源短缺、环境污染和气候变化已成为全人类面临的共同问题，世界各国都在寻求解决之路，而节能减排与发展新能源是解决这些问题的主要途径，在这其中电子电力器件的核心作用...
分类：业界动态 时间：2017/7/13 阅读：391 关键词：IGBT
科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）进一步壮大1200 V单管产品组合阵容，推出电流达75 A的新产品系列。同时还集成全额定电流反并联二极管。全新TO-247PLUS 3脚和4脚封...
2017年开年以来有这样一些事件进入我们的视线:①2月,IGBT等电力电子功率器件被列入《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》。②3月14日,捷捷微电上市,主营晶闸管等功率半...
分类：业界动态 时间：2017/6/8 阅读：318 关键词：IGBT
Power Integrations推出紧凑、高效的SCALE-iDriver™ IC产品系列，可支持1700 V IGBT
中高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器技术的（纳斯达克股票代号：POWI）今天推出SCALE-iDriver系列电磁隔离的单通道门极驱动IC的扩展产品。新器件支持耐压为1700 V以内的IGBT，通常适用于400 VAC至690 VAC的应用。它们也适用于的三电...
分类：新品快报 时间：2017/5/26 阅读：416 关键词：IGBTIntegrationsPower
安森美半导体(ON Semiconductor )的全系列IGBT
安森美半导体是的功率器件半导体供应商，提供全面的功率器件，包括MOSFET、IGBT、二极管、宽带隙(WBG)等分立器件及智能功率模块(IPM)等功率模块，尤其在收购Fairchild半导体后，是全球第二大功率分立器件半导体供应商，在IGBT领域有着不...
Diodes 推出闸极驱动器 简化马达和电源供应器中 MOSFET 与 IGBT 的切换
Diodes 公司推出的 DGD2103M、DGD2104M、DGD2304 闸极驱动器，皆为浮点高侧驱动器，简化了半桥组态下两部 N 沟道 MOSFET 或两部 IGBT 的切换。这些驱动器产品适合工业自动...
Diodes推出闸极驱动器，简化马达和电源供应器中 MOSFET 与 IGBT 的切换
Diodes公司推出的 DGD2103M、DGD2104M、DGD2304 闸极驱动器，皆为浮点高侧驱动器，简化了半桥组态下两部 N 沟道 MOSFET 或两部 IGBT 的切换。这些驱动器产品适合工业自动化...
