据三星官网新闻，韩国巨头宣布推出业界首款8GBLPDDR4DRAM成片。此次的8GBLPDDR4内存芯片采用16Gb颗粒，10nm级（10nm~20nm之间）工艺制造，可实现与20nm级4GB相似的封装面积...
分类：新品快报 时间：2016/10/20 阅读：1073 关键词：10nm
三星正在生产行业首款采用20纳米工艺制造的12GBLPDDR4移动DRAM芯片。ObjectiveAnalysis首席分析师JimHandy在EETime的邮件采访中说：“三星在LPDDR4上推出新的芯片密度这事...
分类：名企新闻 时间：2015/9/17 阅读：647
三星电子宣布，已经成功量产了个8Gb（1GB）容量的新一代LPDDR4移动内存颗粒，并采用了该公司的20nm工艺。这样的颗粒只需要4颗，就能组成4GB内存芯片，用于智能手机，而随着64位ARM架构、安卓5.0的相继投入实用，4GB内存也
分类：新品快报 时间：2014/12/23 阅读：689
导读：三星在智能手机市场是当之无愧的老大，而在芯片市场上也有不俗的表现。三星将开始更高密度LPDDR3芯片的量产。三星将出货3GB容量的LPDDR3芯片模组，这意味着下一代高端智能手机很可能将采用3GB内存。三星今天宣布，将开始更高密度LP...
分类：名企新闻 时间：2013/7/25 阅读：1331
据IHSiSuppli公司的研究，目前形式的移动DRAM可能不足以满足智能手机和平板电脑的需求，因其在处理各种应用时涉及大量数据。其它形式的移动DRAM正在浮现，可能取代现有解决方案。低功耗DDR2(LPDDR2)正在成为移动DRAM领域中的主要技
分类：行业趋势 时间：2011/4/6 阅读：372
尔必达发布采用40nm工艺制造的2Gbit LPDDR2型DRAM
尔必达发布了采用40nm工艺制造的2GbitLPDDR2型DRAM“DDR2MobileRAM”。该产品是面向智能手机及平板电脑市场开发的。据尔必达介绍，该产品将成为在广岛工厂40nm工艺生产线强化产能后的主力产品。尔必达009年9月发布了采用50
分类：新品快报 时间：2010/8/2 阅读：413 关键词：尔必达
尔必达公司今天宣布，他们已经开发出了一款新品2Gb容量DDR2移动存储芯片，号称全球最小的LPDDR2颗粒，FBGA封装后封装尺寸仅有10x11.5mm。该内存颗粒主要面向智能手机和平板机市场，运行在1.2V低压下，可实现1066Mbps的高数据传
JEDEC发布涵盖DRAM与非易失性内存的低电力内存“LPDDR2”标准
美国JEDEC固态技术协会（JEDECSolidStateTechnologyAssociation）宣布，面向低电力内存的新标准——“JESD209-2LowPowerDoubleDataRate2（以下简称LPDDR2)”已经公开。与此前的JE
分类：政策标准 时间：2009/4/7 阅读：1652
ARM公司近日发布了ARMPrimeCell低功耗DDR2（LPDDR2）动态存储控制器（PL342），该存储控制器为LPDDR2存储系统提供高性能接口，提供比LPDDR存储系统高两倍以上的带宽，并提供比标准DDR2存储器高得多的功耗效率。PL34
分类：名企新闻 时间：2008/10/29 阅读：1330
韩国海力士开发出符合LPDDR2规格的800Mbps 1Gbit移动DRAM
韩国海力士半导体（HynixSemiconductorInc.）开发出了DDR2方式的1Gbit移动DRAM，电源电压为1.2V，实现了800Mbps的数据传输速度（英文发布资料）。主要面向高性能的便携终端。该产品符合JEDEC（JointEl
分类：业界要闻 时间：2008/4/12 阅读：904
