安森美半导体(ONSemiconductor)推出8款新的MOSFET器件，专门为中等电压开关应用而设计。这些MOSFET非常适用于直流马达驱动、LED驱动器、电源、转换器、脉宽调制(PWM)控制和桥电路中，这些应用讲究二极管速度和换向安全工作区域
Vishay推出一款新型25Vn通道器件功率MOSFET系列SiR892DP和SiR850DPn
Vishay推出一款新型25Vn通道器件，从而扩展了其GenIIITrenchFET功率MOSFET系列，对于采用PowerPAKSO-8封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界的导通电阻以及导通电阻与栅极电荷之乘积。该SiR476D
IR推出具有基准低通态电阻的沟道型HEXFET功率MOSFET系列
IR推出具有基准低通态电阻(RDS(on))的沟道型HEXFET功率MOSFET系列。这些采用TO-247封装的MOSFET适用于同步整流、动态ORing及包括高功率DC马达、DC-AC转换器及电动工具等工业应用。新MOSFET的通态电阻(RDS(
时间：2008/11/5 阅读：892 关键词：MOSFET
全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(InternationalRectifier)宣布推出具有基准低通态电阻(RDS(on))的沟道型HEXFET功率MOSFET系列。这些采用TO-247封装的MOSFET适用于同步整流、动态ORi
分类：名企新闻 时间：2008/11/4 阅读：217 关键词：MOSFET
国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)宣布推出具有基准低通态电阻(RDS(on))的沟道型HEXFET功率MOSFET系列。这些采用TO-247封装的MOSFET适用于同步整流、动态ORing及包括高功率DC马达、
分类：名企新闻 时间：2008/11/3 阅读：918 关键词：MOSFET
MagnaChip为液晶电视推出互补型N-P通道MOSFET系列
MagnaChipSemiconductorLtd.近日宣布推出用于液晶(LCD)电视和液晶显示器背照灯元件的新型节能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）系列。这款N-P多芯片MOSFET系列拥有专为液晶电视和液晶显示器逆变器设计的N通道功
分类：新品快报 时间：2008/9/3 阅读：604 关键词：MOSFET
Vishay推出PowerPAK SC-75封装p通道功率MOSFET系列
日前，Vishay宣布推出采用PowerPAKSC-75封装的p通道功率MOSFET系列，该系列包括额定电压介于8V～30V的多个器件，这些是采用此封装类型的首批具有上述额定电压的器件。日前推出的这些器件包括首款采用PowerPAKSC-75封装的
国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)推出专为笔记本电脑、服务器CPU电源、图形，以及内存稳压器应用的同步降压转换器设计而优化的全新30VDirectFETMOSFET系列。新器件系列结合IR的30VHEXFE
IR推出适合CPU电源应用的30V DirectFET MOSFET系列
国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)推出专为笔记本电脑、服务器CPU电源、图形，以及内存稳压器应用的同步降压转换器设计而优化的全新30VDirectFETMOSFET系列。新器件系列结合IR的30VHEXFE
Vishay推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件
Vishay推出新型第三代TrenchFET®功率MOSFET系列的首款器件。该器件具有破纪录的导通电阻性能和导通电阻与栅极电荷乘积指标。新型TrenchFET第三代Si7192DP是一款采用PowerPAK®SO-8封装的N沟道器
Vishay推出Si7192DP第三代TrenchFET功率MOSFET系列器件
Vishay推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件。该器件具有破纪录的导通电阻性能和导通电阻与栅极电荷乘积指标。新型TrenchFET第三代Si7192DP是一款采用PowerPAKSO-8封装的N沟道器件，在4.5V栅极驱
英飞凌全新MOSFET系列为工业、消费和电信应用降低30%功耗
英飞凌科技股份公司近日宣布推出三个全新的功率半导体系列，进一步丰富广博的OptiMOSTM3N沟道MOSFET产品组合。OptiMOS340V、60V和80V系列可在导通电阻等重要功率转换指标方面提供业内的性能，使其能够在采用标准TO（晶体管外
分类：业界要闻 时间：2008/3/13 阅读：175 关键词：MOSFET
ST推出采用新STripFET技术的功率MOSFET系列产品
意法半导体(ST)推出两款适用于直流-直流转换器的全新功率MOSFET（金属互补氧化物场效应晶体管）产品。新产品采用ST独有的版STripFET制造技术，拥有极低的导通损耗和开关损耗，在一个典型的稳压模块内，两种损耗的减少可达3瓦。在同类竞争...
分类：新品快报 时间：2008/3/11 阅读：1082 关键词：MOSFET
ST采用新STripFET技术用于DC-DC转换器的功率MOSFET系列产品
意法半导体推出两款适用于直流—直流转换器的全新功率MOSFET（金属互补氧化物场效应晶体管）产品。新产品采用ST独有的版STripFET™制造技术，拥有极低的导通损耗和开关损耗，在一个典型的稳压模块内，两种损耗的减少可达3瓦。在同类
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV的ESD(HBM)电压保护，较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的架构。利
