SiC功率

SiC功率资讯

ROHM - 罗姆与纬湃科技签署SiC功率元器件长期供货合作协议

SiC(碳化硅)功率元器件领域的先进企业ROHM Co., Ltd. (以下简称“罗姆”)于2023年6月19日与全球先进驱动技术和电动化解决方案大型制造商纬湃科技(以下简称“Vitesco”)签署了SiC功率元器件的长期供货合作协议。根据该合作协议,双...

时间:2023/7/7 阅读:108 关键词:SiC功率元器件

Infineon - 英飞凌为布鲁姆能源公司的电解系统和燃料电池提供CoolSiC功率器件

当前的能源危机充分表明,全球迫切需要寻找替代能源来构建气候友好型的能源供应能力。近日,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)的CoolSiCMOSFET和CoolSiC二极管被总部位于加利福尼亚州的布鲁姆能源公司(Bloom Energ...

时间:2022/10/28 阅读:104 关键词:电子

盘点国内车用SiC功率器件厂商的产能情况

凭借优异的性能,第三代半导体在高温、高耐压等多领域实现应用,特别是新能源汽车领域,已成为SiC目前最大的下游应用市场。SiC在车用领域的主逆变器、车载充电器、快速充电...

分类:业界动态 时间:2022/7/29 阅读:8212

泰克解锁SiC功率器件动态测试系统,在美浦森半导体正式交付

日前,泰克在华南地区首台DPT1000A在深圳美浦森半导体正式交付。DPT1000A功率器件动态参数测试系统由泰克科技领先研发,一经推出就受到广大科研和企业用户的强烈关注。 DP...

分类:名企新闻 时间:2021/8/20 阅读:1180

CREE科锐GaN-on-SiC功率放大器结合MaxLinear线性化技术,高效赋能新型超宽带5G

供应品类 丰富、发货 快速的现货电子元器件分销商 Digi-Key Electronics,日前宣布主办 FastBond 工程大赛,这是一场推动工程创新的全新设计大赛,举办时间为 2021 年 7 月 5 日至 11 月 20 日。参赛者将竞逐多项大奖,奖品丰富,从电子...

分类:名企新闻 时间:2021/7/8 阅读:1432 关键词:CREE科锐

科锐GaN-on-SiC功率放大器结合MaxLinear线性化技术,高效赋能新型超宽带5G

新型GaN-on-SiC线性化解决方案赋能5G基站,支持更多移动通信用户并提供高速数据传输 2021年7月5日,美国北卡罗莱纳州达勒姆讯––全球碳化硅技术领先企业科锐Cree,In...

分类:名企新闻 时间:2021/7/6 阅读:3194

第三代半导体SiC功率器件加速新能源汽车产品升级

作为第三代半导体材料之一,碳化硅(SiC)具有耐高压、耐高温、能量损耗低而耐高频运行的特点,因此使用SiC功率器件可以大幅降低终端用户成本支出。现阶段,各厂商都对新一代...

分类:业界动态 时间:2020/8/26 阅读:1047 关键词:新能源汽车

ROHM的SiC功率元器件被应用于UAES的电动汽车车载充电器

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)的SiC功率元器件(SiC MOSFET*1)被应用于中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ,总部位于中国上海市,以下简称“UA...

分类:名企新闻 时间:2020/4/10 阅读:1662 关键词:ROHM电动汽车

SiC功率半导体市场提高,市场争夺战已悄然打响?

Cree宣布将投资10亿美元用于扩大SiC(碳化硅)产能,在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用技术的自动化200mm SiC(碳化硅)生产工厂和一座材料超级工厂。此次产...

分类:业界动态 时间:2019/5/10 阅读:887 关键词:SiC功率半导体

ROHM推出1700V 250A全SiC功率模块

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器,开发出实现业界※可靠性的额定值保证17...

分类:新品快报 时间:2018/12/8 阅读:872 关键词:ROHMSiC功率

SiC功率技术

SiC功率器件篇之SiC半导体

SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。 不仅绝缘击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型,所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。 SiC中存在各种...

基础电子 时间:2021/5/13 阅读:639

SiC功率器件的封装技术

具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料,与Si相比,它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙,SiC器件的工作温度可...

基础电子 时间:2009/3/13 阅读:3367

SiC功率产品