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深圳市海天鸿电子科技有限公司                                                       李广
Shenzhen Hthong Electronices Co.,Ltd
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飞思卡尔SemiconductorTechnical DataDocument编号：MW7IC2040NRev。 1，11 / 2009RF LDMOS宽带IntegratedPower AmplifiersThe MW7IC2040N宽带集成电路设计与

- chipmatching这使得它可以使用1805年至1990年兆赫。这种多
  - stagestructure的额定电流为24至32伏操作和涵盖所有典型的蜂窝基站调制格式。
•典型单
  - 载波W
- CDMA性能：VDD = 28伏，IDQ1 = 130毫安，IDQ2 =330毫安，噘嘴= 4瓦平均，F = 1932.5，ChannelBandwidth = 3.84兆赫，输入信号PAR =7.5分贝@ 0.01％Probabilityon CCDF.Power增益
- 32 DBPOWER附加效率
- 17.5％，ACPR @ 5 MHz偏移
--50 dBc的在3.84 MHz带宽
•能够处理5：1 VSWR，@ 32 VDC，1960兆赫，50瓦电源CWOutput（3 dB输入过载额定从噘）
•稳定成3：1的VSWR。所有马刺以下 - 60 dBc的@ 100毫瓦到40 WattsCW噘嘴。
•典型噘嘴@ 1 dB压缩Point'30瓦CWGSM EDGE应用•典型的GSM EDGE性能：VDD = 28伏，IDQ1 = 90毫安，IDQ2 =430毫安，噘嘴= 16瓦的魅力，1805年至一八八○年MHzPower增益
- 33 DBPOWER附加效率
- 35％的频谱再生@ 400 kHz偏置= - 62 dBcSpectral愈合@ 600 kHz偏置= - 77 dBcEVM
  - 1.5％rmsGSM应用
•典型的GSM性能：VDD = 28伏，IDQ1 = 90毫安，IDQ2 =430毫安，噘嘴= 40瓦CW，一八〇五年至1880年MHz和1930年至1990年MHzPower增益 - 31 DBPOWER附加效率
- 50％的特点
•等效串联阻抗大特点
  - 信号阻抗参数及公共源的S - 参数
•开
  - 芯片匹配（50欧姆输入，直流阻塞，> 3欧姆输出）•集成的静态电流温度补偿与启用/禁用功能（1）•集成ESD保护
•225℃有能力塑料包装•符合RoHS
•在磁带和卷轴。 R1 =后缀每44毫米，13英寸卷轴500单位

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