特色汇总 
●移动DDR SDRAM 
  - 双数据速率架构：每两个数据传输 
时钟周期 
●移动DDR SDRAM接口 
  - x16总线宽度 
  - 复用的地址（行地址和列地址） 
●电源电压 
  - 1.8V设备：VDD和VDDQ=1.7V到1.95V 
●记忆电池阵列 
  - 的256Mbit（x16设备）=大4M x4Bank×16的I / O 
●数据选通 
  - x16设备：LDQS和UDQS 
  - 双向，数据选通（DQS）传输和处理数据，以用于接收在捕获数据 
接收器 
  - 数据和数据掩膜引用的DQS两个边缘 
●低功耗特性 
  - PASR（部分阵列自刷新） 
  - 自动TCSR（温度补偿自刷新） 
  - DS（驱动力） 
  - DPD（深度掉电）：DPD是一项可选功能， 
 所以请联系海力士办公室的DPD功能 
●输入时钟 
  - 差分时钟输入（CK，CK） 
●数据屏蔽 
  - LDM和UDM：输入屏蔽信号的写入数据 
  - 糖尿病口罩写数据输入在上升沿和 
 数据选通脉冲的下降沿 
●模式RERISTER设置，扩展模式寄存器设置和状态寄存器读 
  - 保持在JEDEC的标准规定 
 （低功耗DDR SDRAM） 
●CAS延迟 
  - 可编程CAS延时2或3支持 
●突发长度 
  - 可编程突发长度2/4/8既连续的和交织模式 
●自动预充电 
  - 选项为每个突发访问 
●自动刷新和自刷新模式 
●时钟停止模式 
  - 时钟停止模式是由移动DDR支持的功能 
SDRAM。 
  - 保持在JEDEC的标准规定 
●初始化移动DDR SDRAM 
  - 发生在器件上电时或设备中断 
功率 
●包装 
  - H5MS2562JFR：60球FBGA，铅，无卤素 
●本产品符合该指令 
有关RoHS指令的。

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