零件编号 IRF7306PBFTR-ND
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制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRF7306TRPBF
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 2 个 P 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 100 毫欧 @ 1.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 440pF @ 25V
功率 - 值 2W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SO



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资料图：在山西省右玉县石炮沟，60岁的造林人王占峰提着水桶，准备去给几株刚栽种的树苗浇水（2013年8月26日摄）。新华社记者彭昭之摄

为了植树，他们殚精竭虑，调动起一切力量——

１９５３年，第二任县委书记王矩坤面对的是一场罕见春荒，国家给右玉下拨了４０万公斤玉米。

王矩坤和班子成员商量：村民每种一亩树，发给８．５公斤玉米作为劳动报酬，让“救灾粮”变成“植树粮”。

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