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分立半导体产品 SIR422DP-T1-GE3 晶体管

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VIP会员 第 9
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产品分类
商品信息 更新时间:2018-04-20

SIR422DP-T1-GE3介绍;

描述 MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

详细描述 表面贴装 N 沟道 40V 40A(Tc) 5W(Ta),34.7W(Tc) PowerPAK® SO-8

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc)

驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 48nC @ 10V

Vgs(值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 1785pF @ 20V

FET 功能 -

功率耗散(值) 5W(Ta),34.7W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 6.6 毫欧 @ 20A,10V

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PowerPAK® SO-8

封装/外壳 PowerPAK® SO-8


安富利(深圳)商贸有限公司介绍;

安富利(深圳)商贸有限公司,全球的配单。一手货源!价格优势!所出的物料,原装!放心购买!

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philips)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦等等。            

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由于点接触型晶体管制造工艺复杂,致使许多产品出现故障,它还存在噪声大、在功率大时难于控制、适用范围窄等缺点。为了克服这些缺点,肖克莱提出了用一种“整流结”来代替金属半导体接点的大胆设想。半导体研究小组又提出了这种半导体器件的工作原理。1950年,第一只“PN结型晶体管”问世了,它的性能与肖克莱原来设想的完全一致。今天的晶体管,大部分仍是这种PN结型晶体管。(所谓PN结就是P型和N型的结合处。P型多空穴。N型多电子。)1956年,肖克利、巴丁、布拉顿三人,因发明晶体管同时荣获诺贝尔物理学奖。




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