详细说明

H5AN8G8NAFR-TFC SKhynix(海力士)DDR4存储芯片 原厂原装

生产商：SKhynix(海力士)

产品类别：集成电路-存储器

系列：-

存储格式：DRAM

存储技术：SDRAM-DDR4

存储容量：8Gb

存储接口：并联

SPEED(速度)：-

时钟频率：1.2GHz

写入时间：15ns

访问时间：19ns

电压-电源：1.14V~1.26V

工作温度：0°C ~ 95°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：FBGA-96

原厂包装：托盘

零件状态：批量生产

产品用途：SKhynix（海力士）的DDR4存储芯片主要应用于服务器，智能电视，视频监控，汽车电子，物联网设备，网络机顶盒，通信设备，平板电脑等消费类以及工业类电子设备，是全球第二大DRAM产品供应商。我司供应的产品包含SKhynix的DRAM,NAND闪存,嵌入式存储eMMC，eMCP等全系列存储产品。

DDR4

DDR，又称双倍速率SDRAM。Dual Data Rate SDRAM DDR SDRAM是一种高速CMOS动态随即访问的内存。美国JEDEC的固态技术协会于2000年6月公布了双数据速率同步动态存储器(DDR SDRAM)规范，JESD79由于它在时钟触发沿的上下沿都能进行数据传输，所以即使在1333MHz的总线频率下的带宽也能达到2.128GB/s。DDR不支持3.3V电压的LVTTL，而是支持2.5V的SSTL2标准，它仍然可以沿用现有SDRAM 的生产体系，制造成本比SDRAM 略高一些，但远小于Rambus的价格。DDR存储器代表着未来能与Rambu 相抗衡的内存发展的一个方向。

价格说明

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购买说明

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企业名：深圳市明锐微科技有限公司

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