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SDRAM(同步动态存储器)

(共找到“74”条查询结果)
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  • 型号/规格:

    W9864G6JH-6

  • 品牌/商标:

    Winbond

我司代理华邦SDRAM芯片,大量常备原装现货,价格优势,承诺假1赔10! W9864G6JH-6: 类型:SDRAM 速度:166MHz 电源电压:3V-3.6V 工作温度:0℃~70℃ 封装:54-TSOP II 批号:12+ 供货数量:86400 ===============================深圳市信泰瑞达科技有限公司/廖羽ADD:深圳市福田区华强北振兴路华发大厦5楼商务中心#香港...

  • 品牌:

    Micron

  • 封装:

    TSOP-54

  • 批次:

    1808+

  • 包装:

    2000

  • 时钟频率:

    167 MHz

MT48LC16M16A2P-6A IT:G 品种类: 动态随机存取存储器 RoHS: 符合RoHS 类型: SDRAM 数据总线宽度: 16 bit 组织: 16 M x 16 封装 / 箱体: TSOP-54 存储容量: 256 Mbit 时钟频率: 167 MH...

  • 品牌:

    华存

  • 连续读取/写入速度:

    高达550/450 MB/秒

  • 快闪记忆体:

    新一代3D TLC

  • 规格特色:

    足容

闪存是一种非易失性( Non-Volatile )内存,在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据,其存储特性相当于硬盘,这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。规格说明:MMSC350——128GB——Up to 550——Up to 450MMSC350——256GB——...

  • 系列:

    -

  • 类别:

    半导体产品

  • 产品族:

    二极管 - 桥式整流器

  • 电压:

    200V

KBU6D-E4/51介绍: 描述 RECTIFIER BRIDGE 6A 200V KBU 对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL) 1(无限) 详细描述 Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V...

  • 型号:

    H5TC8G63CMR-PBA

  • 品牌:

    SK HYNIX/海力士

  • 封装:

    BGA96

  • 类别:

    DDR3LP SDRAMIC

型号 H5TC8G63CMR-PBA 品牌 SK HYNIX/海力士 类别 DDR3LP SDRAMIC 代码 512MX16 LPDDR3 封装 BGA96 电压(伏) 1.35v 功能数量 1 端子数量 96 工作温度 85 Cel 工作温度 0.0 Cel 供电/工作电压 1.45 V 供电/工作电压 1.28 V 额定供电电压 1.35 V 加工封装描述 H...

  • 型号:

    MT48LC16M16A2P-7E IT:G

  • 品牌:

    Micron

  • 封装:

    54-TSOP II

  • 批号:

    20+

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 访问时间:

    5.4ns

MT48LC16M16A2P-7E IT:G Micron SDRAM 制造商 Micron Technology Inc. 制造商零件编号 MT48LC16M16A2P-7E IT:G 一般信息 数据列表 MT48LCxxM4/8/16A2; 标准包装 1,080 包装 托盘 零件...

  • 制造商:

    WINBOND

  • 产品族:

    存储器

  • 技术:

    SDRAM LPSDR

  • 容量:

    256MBIT

  • 封装:

    54VFBGA

WINBOND SDRAM 移动 LPSDR W988D6FBGX6I产品信息: 制造商:Winbond Electronics 制造商零件编号:W988D6FBGX6I 简要描述:IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA 对无铅要求的达标情况/对限...

  • 系列:

    DDR3

  • 品牌:

    海力士

  • 型号:

    H5TQ2G63GFR-RDC

  • 类型:

    运行IC

  • 存储容量:

    2GB

  • 针脚数:

    96

  • 封装:

    FBGA

  • 批号:

    NEW

购买说明 1、各位买家朋友,由于电子产品品种多、流量大、季节性很强、再加上厂家断货等等原因,缺货是正常情况,买家朋友在购买时请联系双方洽谈确认,以免没有货给您带来不必要的麻...

  • mfg:

    Samsung

  • pack:

    BGA

  • dc:

    15+

  • descript:

    原装现货

回收供应KMRC10015M-B809 深圳市惠盛科技有限公司长期回收工厂库存手机主板和手机芯片。MTK、QUALCOMM高通、SAMSUNG三星、展讯、现代、闪迪、海力士、东芝、镁光、博通等库存手机芯片和手机PCB板。正规公司,资金雄厚,信誉有保障,欢迎联系咨询。中介重酬。 ...

  • 型号:

    ATECC508A-MAHCZ-T

  • 品牌:

    Atmel

  • 电压:

    5.5v

  • 电压:

    2v

  • 数据速率:

    1Mb/s

  • 接口类型:

    1wire

  • 工作电流:

    3ma

  • 包装数量:

    15000

制造商: Atmel 产品种类: 安全IC/验证IC RoHS: 详细信息 电源电压-: 5.5 V 电源电压-: 2 V 工作温度: + 85 C 工作温度: - 40 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: UDFN-8 商标: Atmel ...

  • 型号:

    AS4C4M16SA-7TCN

  • 品牌:

    Alliance

  • 封装:

    TSOP-54

  • 容量:

    64Mb

  • 包装:

    托盘

  • 类型:

    SDRAM

AS4C4M16SA-7TCN,Alliance SDRAM 原厂原装 制造商:Alliance Memory 规格型号:AS4C4M16SA-7TCN 英文名称:synchronous dynamic random-access memory,SDRAM 中文名称:同步动态随...

  • 型号:

    AS4C4M16SA-7TCN

  • 品牌:

    Alliance

  • 封装:

    TSOP-54

  • 容量:

    64Mb

  • 包装:

    托盘

  • 类型:

    SDRAM

AS4C4M16SA-7TCN,Alliance SDRAM 原厂原装 制造商:Alliance Memory 规格型号:AS4C4M16SA-7TCN 英文名称:synchronous dynamic random-access memory,SDRAM 中文名称:同步动态随...

  • 型号:

    AS4C4M16SA-7TCN

  • 品牌:

    Alliance

  • 封装:

    TSOP-54

  • 容量:

    64Mb

  • 包装:

    托盘

  • 类型:

    SDRAM

AS4C4M16SA-7TCN,Alliance SDRAM 原厂原装 制造商:Alliance Memory 规格型号:AS4C4M16SA-7TCN 英文名称:synchronous dynamic random-access memory,SDRAM 中文名称:同步动态随...

  • 型号:

    IS43DR16640C-25DBLI

  • 品牌:

    ISSI

  • 封装:

    BGA84

  • 批号:

    19+

  • 数量:

    1200

制造商: ISSI 产品种类: 动态随机存取存储器 RoHS: 详细信息 类型: SDRAM - DDR2 封装 / 箱体: BGA-84 系列: IS43DR16640C 封装: Reel 商标: ISSI 湿度敏感性: Yes 产品类型: DRAM 工...

  • 型号:

    MT48LC16M16A2P-6A IT:G

  • 厂家:

    MICRON

  • 封装:

    TSOP54

  • 丝印:

    48LC16M16A2P-6A IT:G

  • 供应:

    进口原盒包装现货直销

  • 提供:

    集成电路板电子元器件配套

MT48LC16M16A2P-6A IT:G SDRAM存储器 micron 全新进口原包装现货直销 承接集成电路板电子元器件配套 MT48LC16M16A2P-6A IT:G SDRAM存储器 micron 全新进口原包装现货直销 承接集成电...

  • 型号:

    MT46V64M8FN-6:D

  • 品牌:

    镁光

  • IC 类别:

    DDR1 SDRAM

  • IC代码:

    64MX8 DDR1

  • 脚位/封装:

    FBGA

  • 电压(伏):

    2.5 V

  • 位组织:

    x8

镁光内存条8g价格 MT46V64M8FN-6:D镁光内存条8g一般信息 制造商IC编号MT46V64M8FN-6:D 厂牌MICRON/美光 IC 类别DDR1 SDRAM IC代码64MX8 DDR1 MT46V64M8FN-6:D镁光内存条8g规格参数 脚...

  • 类型::

    SDRAM - DDR4

  • 数据总线宽度::

    16 bit

  • 组织::

    512 M x 16

  • 封装 / 箱体:

    FBGA-96

  • 时钟频率:

    1200 MHz

  • 电源电压-:

    1.26 V

  • 电源电压-::

    1.14 V

  • 电源电流—值:

    100 mA

产品属性属性值搜索类似制造商:Micron Technology产品种类:动态随机存取存储器RoHS: 详细信息 类型:SDRAM - DDR4数据总线宽度:16 bit组织:512 M x 16封装 / 箱体:FBGA-96存储容量:8 G...

  • 型号:

    MT46H32M16LFBF-5 IT:C

  • 品牌:

    Micron

  • 封装:

    60-VFBGA

  • 最小包装数量:

    1782pcs

MT46H32M16LFBF-5 IT:C 制造商 Micron Technology Inc. 制造商零件编号 MT46H32M16LFBF-5 IT:C 描述 IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 5.0ns 60-VFBGA (8x9) 特征 •VDD和VDDQ = 1.70–...

  • 型号:

    IS42S16800E-7TLI

  • 品牌:

    ISSI

  • 批号:

    09+

  • 环保类型:

    环保无铅

  • 安装类型:

    TSSOP-54

  • 包装类型:

    托盘

产品分类 : RF/IF 和 RFID >> 动态随机存取存储器 描述: 动态随机存取存储器 128M (8Mx16) 143MHz S动态随机存取存储器, 3.3v 制造商: ISSI 数据总线宽度: 8 b...

    MT48LC64M4A2 概述 MT48LC64M4A2是一款256Mb高速CMOS SDRAM,共有268,435,456 bits。MT48LC64M4A2的内部结构为具有同步接口的四组(quad-bank)DRAM,所有信号都在时钟信号(CLK)的上升沿触发。MT48LC64M4A2每组密度67,108,864-bit,结构为8,192行乘2,048列乘4位带宽。 MT48LC64M4A2采用2n-prefetch架构,可在每个时钟周期改变...

    电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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