您现在的位置:首页 > 元器件(最新) > 半导体存储器 >

SRAM (MOS型静态存储器)

(共找到“39”条查询结果)
广告
广告

您是不是要找: SRAM存储器

所在地区
源头工厂
1/2 跳至 下一页
  • 存储容量:

    128GB~1TB

  • 快闪记忆体:

    新一代3DTC

  • 连续读取/写入速度:

    高达550/450MB/秒

  • 价格:

    来电咨询

工业固态硬盘是由控制单元(工业级主控芯片)和存储单元(工业级FASH芯片)组成,简单的说就是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘(目前容量为2T以上),固态硬盘的接口规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘的完全相同,在产品外形和尺寸上也完全与普通硬...

  • 型号:

    AS6C4008-55STIN

  • 品牌:

    Alliance

  • 封装:

    TSOP-32

  • 容量:

    4Mb

  • 包装:

    托盘

  • 类型:

    SRAM

AS6C4008-55STIN,Alliance SRAM 原厂原装 制造商:Alliance Memory 规格型号:AS6C4008-55STIN 英文名称:Static Random Access Memory,SRAM 中文名称:静态随机存取存储器 存储格...

  • 型号:

    AS6C4008-55STIN

  • 品牌:

    Alliance

  • 封装:

    TSOP-32

  • 容量:

    4Mb

  • 包装:

    托盘

  • 类型:

    SRAM

AS6C4008-55STIN,Alliance SRAM 原厂原装 制造商:Alliance Memory 规格型号:AS6C4008-55STIN 英文名称:Static Random Access Memory,SRAM 中文名称:静态随机存取存储器 存储格...

  • 型号:

    AS6C4008-55STIN

  • 品牌:

    Alliance

  • 封装:

    TSOP-32

  • 容量:

    4Mb

  • 包装:

    托盘

  • 类型:

    SRAM

AS6C4008-55STIN,Alliance SRAM 原厂原装 制造商:Alliance Memory 规格型号:AS6C4008-55STIN 英文名称:Static Random Access Memory,SRAM 中文名称:静态随机存取存储器 存储格...

  • 2.5V:

    5.5V

  • 512K:

    (64K*8)

  • -40°:

    85°

  • TR:

    卷带

型号 AT24C512C-SHD-T 制造商 ATMEL CORPORATION 描述 AT24C512C Series 512 Kb (64 K x 8) 2.5 V I2C-Compatible Serial EEPROM - SOIC-8 标准包装 2,000 特点:集成电路IC具有体积小,重量轻,引出线和焊接点少,寿命长,可靠性高,性能好等优点,同时成本...

  • 型号:

    CAT24C02YI-GT3A

  • 品牌:

    ON

  • 封装:

    TSSOP8

  • 批号:

    17

CAT24C01 , CAT24C02 ,CAT24C04 , CAT24C08 ,CAT24C16 ,1 - KB , 2 - KB, 4 KB , 8 KB和16 KB I2Ç CMOS串行。 描述 该CAT24C01 / 02 /04/ 08/16为1 - KB, 2 - KB, 4 KB , 8 KB和16 KB分别组织CMOS串行EEPROM器件内部为8/16/32/64分别...

  • 系列:

    LPDDR3

  • 品牌:

    弘晟达

  • 型号:

    K4E8E304EE-EGCF

  • 类型:

    存储器

  • 存储容量:

    8Gbit

  • 功率:

    3.3

  • 针脚数:

    178

  • 封装:

    FBGA-178

<img src="http://file2.dzsc.com/product/19/12/13/17512_150303579.pn...

  • 型号:

    H5GQ2H24AFR-R2C

  • 封装:

    BGA170

  • 品牌:

    海力士hynix

  • 类型:

    显存存储芯片IC

型号H5GQ2H24AFR-R2C 封装 BGA170 品牌 海力士hynix 关于我们: 安富利(深圳)实业发展有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺...

  • 型号:

    GS8342Q09BD-250I

  • 品牌:

    GSI

  • 封装:

    BGA-165

  • 批号:

    20+

  • 小工作温度:

    - 40 C

  • 大工作温度:

    + 85 C

GSI GS8342Q09BD-250I SRAM 制造商编号: GS8342Q09BD-250I 制造商: GSI Technology 规格 制造商: GSI Technology 产品种类: 静态随机存取存储器 存储容量: 36 Mbit 组织: 4 M x 9 ...

  • 系列:

    汽车级

  • 类别:

    分立半导体产品

  • 产品族:

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单

  • 电压:

    -

MMBT2222ALT1G 介绍: 描述 TRANS NPN 40V 0.6A SOT23 制造商标准提前期 50 周 详细描述 Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 600mA 300MHz 225mW Surface Mount SOT-23 类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 ON Semiconductor 系列 汽车级,AE...

    光隔离型数字量输出板 型号:PO-128L(PCI)H 功能:128通道输出集成在一块PCI总线短尺寸板上(占用1个插槽) 快速响应,响应时间低于200μsec 内置输出电流保护(电压波动、电流过载) 采用螺钉接插口 可另选96芯半间距专用连接线缆 其它参数: 输入通道:32、64、128 输入规格: 输入类型:光隔离输入(对应灌电流输出) 信号电平:12~...

    • 上海艾斯达电子
    • 供应商等级:
    • 企业类型:经销商
    • 地区:上海上海市
    • 电话:021-51035787

      手机:13764678882

    • 型号:

      71V416S10PHGI

    • 品牌:

      IDT

    • 批号:

      18+

    • 数量:

      1600

    • 备注:

      原装现货

    型动态存储器71V416S10PHGI半导体存储器(semi-conductor memory)是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器,内存储器就是由称为存储器芯片的半导体集成电路组成。按其功能可分为:随机...

    • 型号:

      K9NBG08U5A-PCB0

    • 品牌:

      SAMSUNG/三星

    • IC类别:

      FLASH-NAND

    • IC代码:

      4GX8NANDSLC

    • 脚位/封装:

      TSOP

    • 外包装:

      TRAY

    &amp;#65279; K9NBG08U5A-PCB0三星内存条ddr4一般的描述 制造商IC编号K9NBG08U5A-PCB0 厂牌SAMSUNG/三星 IC类别FLASH-NAND IC代码4GX8NANDSLC K9NBG08U5A-PCB0三星内存条ddr4参数...

    • 品牌:

      IDT

    • 封装:

      PLCC52

    • 批次:

      13+

    • 数量:

      2400

    • 仓库:

      深圳

    IDT存储器 IC IDT71321SA55JG全新现货 制造商: IDT (Integrated Device Technology) 产品种类: 静态随机存取存储器 RoHS: 详细信息 存储容量: 16 kbit 组织: 2 k x 8 访问时间: 55 ns...

    • 容量:

      ··

    • 封装:

      ··

    • 品牌:

      MICRON

    • 包装:

      ··

    类别 集成电路(IC) 产品族 存储器 系列 - 规格 存储器类型 非易失 存储器格式 闪存 技术 FLASH - NAND 存储容量 1Gb (64M x 16) 写周期时间 - 字,页 - 访问时间 - 存储器接口 并联 电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V 工作温度 -40&#176;C ~ 85&#176;C...

      参数 数值 产品分类 RF/IF 和 RFID &amp;gt;&amp;gt; 动态随机存取存储器 描述 动态随机存取存储器 128M (8Mx16) 143MHz S动态随机存取存储器, 3.3v IS42S16800E-7TLI PDF 制造商 ISSI 数据总线宽度 8 bit 组织 封装 / 箱体 TSSOP-54 存储容量 128 Mbit 时钟频率 143 MHz 访问时间 6.5 ns, 5.4 ns 电源电压- 3.6 V ...

      • 制造商:

        Cypress Semiconductor

      • 产品种类:

        NVRAM

      • 系列:

        CY14B11

      • 存储器类型:

        非易失

      • 存储容量:

        16Mb

      制造商编号:CY14B116N-ZSP45XI 制造商:Cypress Semiconductor 产品种类:NVRAM 系列:CY14B11 封装:Tray 商标:Cypress Semiconductor 湿度敏感性:Yes 产品类型:NVRAM 工厂包装数量:108...

      • 型号:

        MT48LC32M16A2TG(P)

      • 品牌:

        MICRON

      • 封装:

        TSOP-54

      • 内存大小:

        32MX16

      • 工作温度:

        -40°C ~ 85°C(TA)

      • 电压 - 供电:

        3V ~ 3.6V

      ...

      • 品牌:

        ISSI(美国芯成)

      • 厂家型号:

        IS61LV5128AL-10TLI

      • 封装规格:

        TSOP(II)-44

      • 包装方式:

        托盘

      品牌:ISSI(美国芯成) 厂家型号:IS61LV5128AL-10TLI 封装规格:TSOP(II)-44 商品毛重:1.378克(g) 包装方式:托盘 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:4M(512K x 8) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.6 V 工作温度:-40...

      • 型号:

        IDT7024L20GB

      • 品牌:

        IDT

      • 封装:

        PGA-84

      • 类型:

        SRAM

      • 数量:

        1099

      供应IDT 7024L20GB 静态随机存取存储器SRAM原装优势现货! IDT7024L20GB 静态随机存取存储器SRAM. 产品属性: 制造商:IDT (Integrated Device Technology) 产品种类:静态随机存取存储...

      热门产品推荐

      电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

      在采购SRAM (MOS型静态存储器)进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

      免责声明:以上所展示的SRAM (MOS型静态存储器)信息由会员自行提供,SRAM (MOS型静态存储器)内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。维库网不承担任何责任。

      友情提醒:为规避购买SRAM (MOS型静态存储器)产品风险,建议您在购买SRAM (MOS型静态存储器)相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"DZSC委托交易服务",买卖都安全。

      广东
      浙江
      新疆
      河北
      内蒙古
      山西
      吉林
      黑龙江
      江苏
      辽宁
      安徽
      福建
      江西
      山东
      河南
      湖北
      湖南
      广西
      海南
      贵州
      云南
      西藏
      四川
      青海
      陕西
      甘肃
      宁夏
      台湾
      澳门
      香港