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DRAM(MOS型动态存储器)

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  • 型号:

    K4B8G1646D-MYK0

  • 品牌:

    SAMSUNG

  • 包装:

    1120PCS

  • 批号:

    17+

型号:K4B8G1646D-MYK0 品牌:SAMSUNG 包装:1120PS 批号:17+ 容量:DDR3 8Gbit 汉威科技只做原装,假一罚十,联电话:18682281331 刘小姐(微信同号) 经营范围: 1、存储,三星东芝美光,有些料我们会备库存。 2、MPS、天钰、国腾江波龙还有国内一些芯片的...

  • 型号:

    K4B4G1646E-BCMA

  • 封装:

    FGBA

  • 批次:

    18+

  • 环保:

    无铅环保

  • 厂家:

    三星

K4B4G1646E-BCMA 生产厂家 三星电子 产品分类 DRAM芯片 描述 DRAM芯片DDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.5V 96引脚FBGA 欧盟RoHS合规 DRAM类型DDR3 SDRAM 芯片密度(位)4G 组织256Mx16 内...

  • 产品:

    MMSC350

  • 品牌:

    华存

  • 容量:

    128GB-1TB

  • 快闪记忆体:

    新一代3DTLC

FLASH芯片是应用非常广泛的存储材料,与之容易混淆的是RAM芯片,我们经常在有关IT的文章里面谈到这两种芯片。由于它们的工作条件与方式不一样,决定它们性能和用途也有差异。大存储flash芯片参数:产品:MMSC350容量:128GB-1TB品牌:华存连续读取/写入速度:...

  • 型号:

    MT41K256M16TW-107:P

  • 品牌:

    MICRON

  • 封装:

    BGA

  • 批号:

    19+

  • 数量:

    20000

制造商: Micron Technology 产品种类: 动态随机存取存储器 封装 / 箱体: FBGA-96 系列: MT41K 商标: Micron 安装风格: SMD/SMT 湿度敏感性: Yes 产品类型: DRAM 工厂包装数量: 1368 ...

  • 品牌:

    镁光

  • 封装:

    BGA

  • 数量:

    6000

  • 单价:

    面议

  • 包装:

    1000

说明:动态随机存取存储器 8G - monolithic die 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 933MHz DDR3-1866bps/pin Commercial (Extended) (0 95 C) 96-ball FBGA 制造商: Alliance Memory 产品...

  • 类别:

    集成电路(IC)

  • 封装:

    96-FBGA

  • 批号:

    18+

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR3L

  • 存储容量:

    4Gb (256M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

深圳市宏源世纪科技有限公司 ★经营品牌: ADI( 亚德诺 )/AOS(美国万代)/ADS(韩国触摸)/DIODES(美台) ST(意法)/MPS(美国芯源)/RICHTEK(立琦)/ON(安森美) NXP(恩智普)...

  • 型号:

    AS4C32M16D1A-5TIN

  • 品牌:

    Alliance

  • 封装:

    TSOP-66

  • 容量:

    512Mb

  • 包装:

    托盘

  • 类别:

    SDRAM-DDR

AS4C32M16D1A-5TIN,Alliance DDR 原厂原装 制造商:Alliance Memory 规格型号:AS4C32M16D1A-5TIN 英文名称:Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,DDR SDRA...

  • 型号:

    AS4C32M16D1A-5TIN

  • 品牌:

    Alliance

  • 封装:

    TSOP-66

  • 容量:

    512Mb

  • 包装:

    托盘

  • 类别:

    SDRAM-DDR

AS4C32M16D1A-5TIN,Alliance DDR 原厂原装 制造商:Alliance Memory 规格型号:AS4C32M16D1A-5TIN 英文名称:Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,DDR SDRA...

  • 型号:

    IS42S16100H-7TLI

  • 品牌:

    ISSI

  • 批号:

    18+

  • 数量:

    12000

  • 备注:

    原装现货

半导体存储器(semi-conductor memory)是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器,内存储器就是由称为存储器芯片的半导体集成电路组成。按其功能可分为:随机存取存储器(简称RAM)和只...

  • 系列:

    -

  • 类别:

    集成电路(IC)

  • 产品族:

    存储器

  • 电压:

    1.7 V ~ 1.9 V

MT47H32M16NF-25EIT:H介绍: 描述 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 详细描述 SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 400MHz 400ps 84-FBGA(8x12.5) 类别 集成电路(IC) 存储器 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 包装 带卷(TR) 零件状态 在...

  • 型号:

    MT49H16M18SJ-25:B TR

  • 品牌:

    Micron

  • 封装:

    144-FBGA(18.5x11)

  • 批号:

    20+

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    0°C ~ 95°C(TC)

MT49H16M18SJ-25:B TR Micron DRAM 制造商 Micron Technology Inc. 制造商零件编号 MT49H16M18SJ-25:B TR MT49H16M18SJ-25:B TR Micron DRAM 一般信息 数据列表 MT49H32M9, 16M18, 8M...

  • 存储容量:

    8 Gbit

  • 组织:

    512M×16

  • 封装:

    FBGA-16

  • 批次:

    20+

品牌 MICRON 批号 2020+ 封装 FBGA 数量 78900 QQ 2260634763 制造商 Micron Technology 产品种类 动态随机存取存储器 RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装 / 箱体 FBGA-96 数据总线宽度 16 bit 组织 512 M x 16 存储容量 8 Gbit 时钟频率+∞ 1333 MHz 电源电压+∞...

  • 系列:

    DDR3

  • 品牌:

    SAMSUNG

  • 型号:

    H5TC4G63CFR-PBA

  • 类型:

    存储器

  • 存储容量:

    4GB

  • 功率:

    标准

  • 针脚数:

    96球

  • 用途:

    仪器

<img src="http://file2.dzsc.com/product/19/12/13/17512_150312642...

  • 型号:

    H5TQ2G63FFR-PBC

  • 品牌:

    海力士SK Hynix

  • 封装:

    BGA96

  • 类别:

    128M × 16 双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器, PBGA96

型号 H5TQ2G63FFR-PBC 品牌 海力士SK Hynix 封装 BGA96 类别 128M &#215; 16 双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器, PBGA96 功能数量 1 端子数量 96 工作温度 85 Cel 工作温度 0.0 Cel 供电/工作电压 1.58 V 供电/工作电压 1.42 V 额定供电电压...

  • 型号:

    AS4C32M16D1A-5TIN

  • 品牌:

    Alliance

  • 封装:

    TSOP-66

  • 容量:

    512Mb

  • 包装:

    托盘

  • 类别:

    SDRAM-DDR

AS4C32M16D1A-5TIN,Alliance DDR 原厂原装 制造商:Alliance Memory 规格型号:AS4C32M16D1A-5TIN 英文名称:Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,DDR SDRA...

  • 型号:

    MC74HC595ADTR2G

  • 品牌:

    ON

  • 封装:

    TSSOP-16

  • 批号:

    18+

  • 数量:

    10000

制造商:ON Semiconductor 产品种类:计数器移位寄存器 RoHS: 详细信息 计数顺序:Serial to Serial/Parallel 电路数量:2 位数:8 bit 封装 / 箱体:TSSOP-16 逻辑系列:74HC 逻辑类型:CMOS...

  • FM33256B-G:

    小型14脚环保SOIC(-G)封装

FM33256 概述方 便使用的结构配置 工作电压:2.7~3.6V 小型14脚环保SOIC(-G)封装 低工作电流,待机电流:50uA 工作温度:-40℃~+85℃ FM33256集成了铁电存储器FRAM和处理器外围系统最常用的一些功能。其主要功能特性包括非易失性存储器,实时时钟(RTC),低压复位,看门狗定时器,非易失性事件计数器,可锁定的64位串行数...

  • 型号:

    W972GG6JB-25

  • 牌子:

    WINBOND

  • 封装:

    BGA84

原装WINBOND W972GG6JB-25 BGA84 DDR2 256MB颗粒 W97 2GG6JB是一个2G位DDR2 SDRAM,被组织成16777216个字,8个银行,16个比特。该设备实现高速传输速率高达1066 Mb/Sc/Pin(DDR2-1066),用于各种应用。W97 2GG6JB分为以下级别:18、25、25I、25A、25K、-3和-...

  • 品牌:

    SK HYNIX/海力士

  • 型号:

    H5PS5162GFRS6C

  • VDD,VDDQ:

    1.8±0.1V

  • 刷新周期:

    8K/64ms

  • Jetec标准84球FBGA(x16):

    7.5mm x 12.5mm

8gddr4内存报价 专用交流参数的具体说明(8gddr4内存报价 ) 1.用户可以选择通过MRS(位12)使用哪一个有功掉电退出定时。 txard预计用于fast有源掉电退出定时。TXARD预计将用于下一个...

  • 类型::

    SDRAM - DDR4

  • 数据总线宽度::

    16 bit

  • 组织::

    1 G x 16

  • 封装 / 箱体::

    FBGA-96

  • 存储容量::

    16 Gbit

  • 电源电压-::

    1.26 V

  • 电源电压-::

    1.14 V

  • 电源电流—值::

    120 mA

产品属性属性值搜索类似制造商:Micron Technology产品种类:动态随机存取存储器RoHS: 详细信息 类型:SDRAM - DDR4数据总线宽度:16 bit组织:1 G x 16封装 / 箱体:FBGA-96存储容量:16 Gb...

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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