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DRAM(MOS型动态存储器)

(共找到“47”条查询结果)
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  • 型号:

    K4F8E3S4HD-MGCL

  • 品牌:

    SAMSUNG(三星半导体)

  • 封装:

    FBGA-200

  • 速率:

    4266 Mbps

  • 架构:

    x32

  • 存储容量:

    8 Gb

  • 工作温度:

    -25 ~ 85 °C

深圳市拓先达科技有限公司成立于2009年,是一家优质的电子元器件渠道现货商,致力于与客户所需电子元器件完美对接。公司有经验丰富的采购团队,能有效解决客户紧缺物料的问题,有经验...

  • 型号:

    CBM97D79TQ

  • 生产日期:

    2022+

  • 封装:

    TQFP-100

  • 供应商:

    深圳市宏芯光电子有限公司芯佰微厂家

深圳市宏芯光电子有限公司 工厂厂家 芯佰微渠道货源 CBM97D79TQ 生产日期2022+ USB2.0控制器 单片机(MCU/MPU/SOC) USB控制器 CBM9001A-48AG CBM9002A-100TIG CBM9002A-100TCG CBM9002A-56ILG CBM9002A-56IBG CBM9002A-56ISG CBM9002A-56LCG CBM9002A-56BCG CB...

  • 型号:

    MT41K256M8DA-125IT:K

  • 制造商:

    Micron

  • 封装:

    FBGA-78

  • 描述:

    SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 800MHz 13.75ns 78-FBGA(8x10.5)

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 包装数量:

    2000

Micron动态存储器 MT41K256M8DA-125IT:K 制造商 Micron Technology Inc. 型号 MT41K256M8DA-125IT:K TR 描述 SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 800MHz 13.75ns 78-FBGA...

  • 型号:

    IS43TR81280B-125JBL

  • 品牌:

    ISSI

  • 批号:

    18+

  • 数量:

    12000

  • 备注:

    原装现货

半导体存储器(semi-conductor memory)是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器,内存储器就是由称为存储器芯片的半导体集成电路组成。按其功能可分为:随机存取存储器(简称RAM)和只...

  • 零件编号:

    MT48LC8M16A2P-6A

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 描述:

    IC SDRAM 128MBIT 167MHZ 54TSOP

  • 湿气敏感性等级 (MSL):

    3(168 小时)

一般信息: 数据列表:MT48LCxMxA2; 标准包装:2,000 类别:集成电路(IC) 产品族:存储器 系列:- 规格: 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:SDRAM 存储容量:128Mb (8M x 16) 时钟频率:167MHz 写周期时间 - 字,页:12ns 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压...

  • 品牌:

    镁光

  • 封装:

    BGA

  • 数量:

    6000

  • 单价:

    面议

  • 包装:

    1080

说明: 动态随机存取存储器 DDR4 8G 512MX16 FBGA 制造商: Micron Technology 产品种类: 动态随机存取存储器 RoHS: 详细信息 类型: SDRAM - DDR4 数据总线宽度: 16 bit 组织: 512 M x...

  • 系列:

    -

  • 类别:

    集成电路(IC)

  • 产品族:

    存储器

  • 电压:

    1.7 V ~ 1.9 V

MT47H32M16NF-25EIT:H介绍: 描述 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 详细描述 SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 400MHz 400ps 84-FBGA(8x12.5) 类别 集成电路(IC) 存储器 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 包装 带卷(TR) 零件状态 在...

  • 存储容量:

    8 Gbit

  • 组织:

    512M×16

  • 封装:

    FBGA-16

  • 批次:

    20+

品牌 MICRON 批号 2020+ 封装 FBGA 数量 78900 QQ 2260634763 制造商 Micron Technology 产品种类 动态随机存取存储器 RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装 / 箱体 FBGA-96 数据总线宽度 16 bit 组织 512 M x 16 存储容量 8 Gbit 时钟频率+∞ 1333 MHz 电源电压+∞...

  • 型号:

    K4B4G1646E-BCMA

  • 封装:

    FGBA

  • 批次:

    18+

  • 环保:

    无铅环保

  • 厂家:

    三星

K4B4G1646E-BCMA 生产厂家 三星电子 产品分类 DRAM芯片 描述 DRAM芯片DDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.5V 96引脚FBGA 欧盟RoHS合规 DRAM类型DDR3 SDRAM 芯片密度(位)4G 组织256Mx16 内...

  • 型号:

    PIC12C509A-04I/SM

  • 品牌:

    MICROCHIP

  • 年份:

    22+

  • 货期:

    现货

  • 联系人:

    13640952252

富昌源电子(深圳)有限公司是亚太地区的电子元器件混合型分销商。经营各类主动元件( IC集成电路,存储芯片,二、三极管等)和被动元件(电容,电阻,电感等)及机电元件(连接器,开关器...

  • 型号:

    MC74HC595ADTR2G

  • 品牌:

    ON

  • 封装:

    TSSOP-16

  • 批号:

    18+

  • 数量:

    10000

制造商:ON Semiconductor 产品种类:计数器移位寄存器 RoHS: 详细信息 计数顺序:Serial to Serial/Parallel 电路数量:2 位数:8 bit 封装 / 箱体:TSSOP-16 逻辑系列:74HC 逻辑类型:CMOS...

  • 型号:

    MT41K256M16TW-107:P

  • 品牌:

    MICRON

  • 封装:

    BGA

  • 批号:

    19+

  • 数量:

    20000

制造商: Micron Technology 产品种类: 动态随机存取存储器 封装 / 箱体: FBGA-96 系列: MT41K 商标: Micron 安装风格: SMD/SMT 湿度敏感性: Yes 产品类型: DRAM 工厂包装数量: 1368 ...

  • 系列:

    -

  • 类别:

    集成电路(IC)

  • 产品族:

    存储器

  • 电压:

    2.3 V ~ 2.7 V

W9412G6KH-5介绍: 描述 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II 详细描述 SDRAM - DDR 存储器 IC 128Mb (8M x 16) 并联 200MHz 50ns 66-TSOP II 类别 集成电路(IC) 存储器 制造商 Winbond Electronics 系列 - 包装 托盘 零件状态 在售 存储器类型 易失 存储器...

  • 类别:

    集成电路(IC) 存储器

  • 制造商:

    Insignis

  • 系列:

    NDL86P

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR3L

  • 存储容量:

    8Gb

供应 NDL86PFG-8KIT TR DRAM产品属性类型描述选择 类别集成电路(IC)存储器存储器制造商Insignis Technology Corporation系列NDL86P包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制...

  • 型号:

    H9HCNNNCPUMLHR-NME

  • 制造商:

    SK Hynix /海力士

  • 封装:

    FBGA

  • 批次:

    23+

  • 无铅/环保:

    无铅/环保

原装H9HCNNNCPUMLHR-NME DRAM动态随机存储器 的技术参数: <span style="font-family:宋体;font-size:10.500...

  • 品牌:

    SK HYNIX/海力士

  • 型号:

    H5PS5162GFRS6C

  • VDD,VDDQ:

    1.8±0.1V

  • 刷新周期:

    8K/64ms

  • Jetec标准84球FBGA(x16):

    7.5mm x 12.5mm

8gddr4内存报价 专用交流参数的具体说明(8gddr4内存报价 ) 1.用户可以选择通过MRS(位12)使用哪一个有功掉电退出定时。 txard预计用于fast有源掉电退出定时。TXARD预计将用于下一个...

  • 品牌:

    SAMSUNG(三星)

  • 型号:

    K4B4G1646E-BCMA

  • 封装:

    BGA96

  • 批次:

    21+

  • 包装:

    托盘

供应K4B4G1646E-BCMA存储芯片 储存器 原装现货 供应商介绍 深圳市昱创芯城电子有限公司(简称“昱创芯诚”)成立于2020年,是一家以代理、海外渠道、原厂授权分销、现货库存模式共存...

    NT5CB128M16HP是南亚(NANAY)公司推出的一款2GB-DDR3-H-dieDRAM,该芯片由16Mbit&#215;16I/Os&#215;8同步动态存储器构成,其数据传输率能达到2133Mb/s/pin。该芯片主要适用于需大量存储密度和高带宽的主内存的应用程序。 NT5CB128M16HP的主要功能特性包括: 1、1.35V-0.067V/+0.1V和1.5V的&#177;0.075V(JEDEC...

    • 制造商:

      Texas Instruments

    • 封装:

      VSON-CLIP-8

    • 晶体管类型:

      1 N-Channel Power MOSFET

    • 子类别:

      MOSFETs

    • 系列:

      CSD16323Q3

    制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: VSON-CLIP-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压...

    • 型号:

      W9864G6KH-6

    • 系列:

      W9864G6KH

    • 安装风格:

      SMD/SMT

    • 封装:

      TSOP-54

    • 批号:

      20+

    W9864G6KH-6动态随机存取存储器 制造商: Winbond 产品种类: 动态随机存取存储器 RoHS: 详细信息 类型: SDRAM 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSOP-54 数据总线宽度: 16 bit 组织: 4 ...

    电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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