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DRAM（MOS型动态存储器）

（共找到“56”条查询结果）
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ROM（只读存储器） QTP（掩膜ROM） OTP（一次可编程ROM） NVROM(非易失随机存储器） PROM（可编程ROM）

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原装WINBOND W972GG6JB-25 储存芯片
原装WINBOND W972GG6JB-25 储存芯片
  • 型号：

    W972GG6JB-25

  • 牌子：

    WINBOND

  • 封装：

    BGA84

原装WINBOND W972GG6JB-25 BGA84 DDR2 256MB颗粒 W97 2GG6JB是一个2G位DDR2 SDRAM，被组织成16777216个字，8个银行，16个比特。该设备实现高速传输速率高达1066 Mb/Sc/Pin（DDR2-1066），用于各种应用。W97 2GG6JB分为以下级别：18、25、25I、25A、25K、-3和-...

集成电路（IC）存储器IS42S16100H-7TLI
集成电路（IC）存储器IS42S16100H-7TLI
  • 型号：

    IS42S16100H-7TLI

  • 品牌：

    ISSI

  • 批号：

    18+

  • 数量：

    12000

  • 备注：

    原装现货

半导体存储器(semi-conductor memory)是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器,内存储器就是由称为存储器芯片的半导体集成电路组成。按其功能可分为：随机存取存储器（简称RAM）和只...

8gddr4内存报价 海力士热卖中
8gddr4内存报价 海力士热卖中
  • 品牌：

    SK HYNIX/海力士

  • 型号：

    H5PS5162GFRS6C

  • VDD，VDDQ：

    1.8±0.1V

  • 刷新周期：

    8K/64ms

  • Jetec标准84球FBGA（x16）：

    7.5mm x 12.5mm

8gddr4内存报价 专用交流参数的具体说明(8gddr4内存报价 ) 1.用户可以选择通过MRS（位12）使用哪一个有功掉电退出定时。 txard预计用于fast有源掉电退出定时。TXARD预计将用于下一个...

Micron动态存储器 MT41K256M8DA-125IT:K
Micron动态存储器 MT41K256M8DA-125IT:K
  • 型号：

    MT41K256M8DA-125IT:K

  • 制造商：

    Micron

  • 封装：

    FBGA-78

  • 描述：

    SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 800MHz 13.75ns 78-FBGA（8x10.5）

  • 包装：

    带卷（TR）

  • 包装数量：

    2000

Micron动态存储器 MT41K256M8DA-125IT:K 制造商 Micron Technology Inc. 型号 MT41K256M8DA-125IT:K TR 描述 SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 800MHz 13.75ns 78-FBGA...

大存储flash芯片
大存储flash芯片
  • 产品：

    MMSC350

  • 品牌：

    华存

  • 容量：

    128GB-1TB

  • 快闪记忆体：

    新一代3DTLC

FLASH芯片是应用非常广泛的存储材料，与之容易混淆的是RAM芯片，我们经常在有关IT的文章里面谈到这两种芯片。由于它们的工作条件与方式不一样，决定它们性能和用途也有差异。大存储flash芯片参数：产品：MMSC350容量：128GB-1TB品牌：华存连续读取/写入速度：...

MT46V16M16P-5B:M TSOP66 存储器
MT46V16M16P-5B:M TSOP66 存储器
  • 类型：

    存储器

  • 包装：

    原装

  • 电压：

    1

  • 温度：

    1

  • 库存：

    现货

深圳市信通吉电子有限公司（SHENZHEN KINGTONG ELECTRONIC CO.,LTD），企业总部位于香港，成立于2001年，是一家电子元器件现货供应商！在香港设立业务部和进出口中心，并加入了HKI、T...

MT49H16M18SJ-25:B TR Micron DRAM
MT49H16M18SJ-25:B TR Micron DRAM
  • 型号：

    MT49H16M18SJ-25:B TR

  • 品牌：

    Micron

  • 封装：

    144-FBGA（18.5x11）

  • 批号：

    20+

  • 电压 - 供电：

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度：

    0°C ~ 95°C（TC）

MT49H16M18SJ-25:B TR Micron DRAM 制造商 Micron Technology Inc. 制造商零件编号 MT49H16M18SJ-25:B TR MT49H16M18SJ-25:B TR Micron DRAM 一般信息 数据列表 MT49H32M9, 16M18, 8M...

存储器 MT41K256M16TW-107:P WT:D MICRON
存储器 MT41K256M16TW-107:P WT:D MICRON
  • 型号：

    MT41K256M16TW-107:P

  • 品牌：

    MICRON

  • 封装：

    BGA

  • 批号：

    19+

  • 数量：

    20000

制造商: Micron Technology 产品种类: 动态随机存取存储器 封装 / 箱体: FBGA-96 系列: MT41K 商标: Micron 安装风格: SMD/SMT 湿度敏感性: Yes 产品类型: DRAM 工厂包装数量: 1368 ...

存储器 MT47H32M16NF-25EIT:H
存储器 MT47H32M16NF-25EIT:H
  • 系列：

    -

  • 类别：

    集成电路（IC）

  • 产品族：

    存储器

  • 电压：

    1.7 V ~ 1.9 V

MT47H32M16NF-25EIT:H介绍： 描述 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 详细描述 SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 400MHz 400ps 84-FBGA（8x12.5） 类别 集成电路（IC） 存储器 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 包装 带卷（TR） 零件状态 在...

K9F1G08U0E-SCB0 原装现货
K9F1G08U0E-SCB0 原装现货
  • 型号：

    K9F1G08U0E-SCB0

  • 品牌：

    三星

  • 封装：

    tssop

  • 批号：

    17+

深圳市昊创电有限公司是多家国际半导体厂商在中国的现货供应商。公司目前致力于为广大产业伙伴提供全方位的半导体产品技术服务，公司代理分销ST、NUMONYX、MAXIM、TI、alterA、XILINX、NXP、CYPRESS等国际知名半导体产品，业务涉及CPLD/FPGA各种中高低端及现...

K4B8G1646D-MYK0汉威，K4B8G1646D-MYK0原装现货
K4B8G1646D-MYK0汉威，K4B8G1646D-MYK0原装现货
  • 型号：

    K4B8G1646D-MYK0

  • 品牌：

    SAMSUNG

  • 包装：

    1120PCS

  • 批号：

    17+

型号：K4B8G1646D-MYK0 品牌：SAMSUNG 包装：1120PS 批号：17+ 容量：DDR3 8Gbit 汉威科技只做原装，假一罚十，联电话：13612395875 柯先生（微信同号） 经营范围： 1、存储，三星东芝美光，有些料我们会备库存。 2、MPS、天钰、国腾江波龙还有国内一些芯片的...

MT40A512M16LY-075:E
MT40A512M16LY-075:E
  • 品牌：

    镁光

  • 封装：

    BGA

  • 数量：

    6000

  • 单价：

    面议

  • 包装：

    1080

说明： 动态随机存取存储器 DDR4 8G 512MX16 FBGA 制造商: Micron Technology 产品种类: 动态随机存取存储器 RoHS: 详细信息 类型: SDRAM - DDR4 数据总线宽度: 16 bit 组织: 512 M x...

MC74HC595ADTR2G移位寄存器
MC74HC595ADTR2G移位寄存器
  • 型号：

    MC74HC595ADTR2G

  • 品牌：

    ON

  • 封装：

    TSSOP-16

  • 批号：

    18+

  • 数量：

    10000

制造商:ON Semiconductor 产品种类:计数器移位寄存器 RoHS: 详细信息 计数顺序:Serial to Serial/Parallel 电路数量:2 位数:8 bit 封装 / 箱体:TSSOP-16 逻辑系列:74HC 逻辑类型:CMOS...

AS4C32M16D1A-5TIN Alliance原装SDRAM
AS4C32M16D1A-5TIN Alliance原装SDRAM
  • 型号：

    AS4C32M16D1A-5TIN

  • 品牌：

    Alliance

  • 封装：

    TSOP-66

  • 容量：

    512Mb

  • 包装：

    托盘

  • 类别：

    SDRAM-DDR

AS4C32M16D1A-5TIN，Alliance DDR 原厂原装 制造商：Alliance Memory 规格型号：AS4C32M16D1A-5TIN 英文名称：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，DDR SDRA...

MT40A512M16LY-075:E TR新到现货
MT40A512M16LY-075:E TR新到现货
  • 存储容量：

    8 Gbit

  • 组织：

    512M×16

  • 封装：

    FBGA-16

  • 批次：

    20+

品牌 MICRON 批号 2020+ 封装 FBGA 数量 78900 QQ 2260634763 制造商 Micron Technology 产品种类 动态随机存取存储器 RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装 / 箱体 FBGA-96 数据总线宽度 16 bit 组织 512 M x 16 存储容量 8 Gbit 时钟频率+∞ 1333 MHz 电源电压+∞...

原装FM33256，FM33256B-G工作电压：2.7～3.6V，小型14脚环保SOIC(-G)封装
原装FM33256，FM33256B-G工作电压：2.7～3.6V，小型14脚环保SOIC(-G)封装
  • FM33256B-G：

    小型14脚环保SOIC(-G)封装

FM33256 概述方 便使用的结构配置 工作电压：2.7～3.6V 小型14脚环保SOIC(-G)封装 低工作电流,待机电流：50uA 工作温度：-40℃～+85℃ FM33256集成了铁电存储器FRAM和处理器外围系统最常用的一些功能。其主要功能特性包括非易失性存储器，实时时钟（RTC），低压复位，看门狗定时器，非易失性事件计数器，可锁定的64位串行数...

NA169NA SOT23
NA169NA SOT23

    制造过程 芯片制作完整过程包括芯片设计、晶片制作、封装制作、成本测试等几个环节，其中晶片制作过程尤为的复杂。 精密的芯片其制造过程非常的复杂 首先是芯片设计，根据设计的需求，生成的“图样” 1， 芯片的原料晶圆 晶圆的成分是硅，硅是由石英沙所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将这些纯硅制...

    DDR存储MT46V128M8P-6T IT:A
    DDR存储MT46V128M8P-6T IT:A
    • 存储器构架：

      DRAM

    • 类型：

      DDR

    • 封装：

      tsop66

    • 工作电压：

      2.3V ~ 2.7V

    • 内存大小：

      1Gb

    MT46V128M8P-6T IT:A MT46V128M8P-6T IT:A MT46V128M8P-6T IT:A MT46V128M8P-6T IT:A Features • V DD = 2.5V ±0.2V, V DD Q = 2.5V ±0.2V V DD = 2.6V ±0....

    MTC8C1084S1SC48BA1 存储器模块 Micron
    MTC8C1084S1SC48BA1 存储器模块 Micron
    • 型号：

      MTC8C1084S1SC48BA1

    • 品牌：

      Micron

    • 产品种类：

      存储器模块

    • 产品：

      SODIMM

    • 存储容量：

      16 GB

    • 产品类型：

      Memory Modules

    • 标准包装：

      100

    为了满足广大客户的即时需求，公司在北京、深圳和香港等地都建立了自己的现货仓库，库存金额已接近一亿人民币。同时，公司通过强大的供货网络，可以随时从世界各地为客户调拨通用或紧...

    MT41K256M16HA-125:E 内存芯片
    MT41K256M16HA-125:E 内存芯片
    • 厂家：

      Micron

    • 封装：

      96-FBGA

    • 包装：

      卷带

    • 存储容量：

      4Gb （256M x 16）

    类别 集成电路（IC） 存储器 制造商 Micron Technology Inc. 存储器格式 DRAM 技术 SDRAM - DDR3L 存储容量 4Gb （256M x 16） 时钟频率 800MHz 写周期时间 - 字，页 - 访问时间 13.75ns 存储器接口 并联 电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V 工作温度 0°C...

    电子元器件产品索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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