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DRAM(MOS型动态存储器)

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  • 型号:

    MT41K256M8DA-125IT:K

  • 制造商:

    Micron

  • 封装:

    FBGA-78

  • 描述:

    SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 800MHz 13.75ns 78-FBGA(8x10.5)

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 包装数量:

    2000

Micron动态存储器 MT41K256M8DA-125IT:K 制造商 Micron Technology Inc. 型号 MT41K256M8DA-125IT:K TR 描述 SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 800MHz 13.75ns 78-FBGA...

  • 品牌:

    镁光

  • 封装:

    BGA

  • 数量:

    6000

  • 单价:

    面议

  • 包装:

    1080

说明: 动态随机存取存储器 DDR4 8G 512MX16 FBGA 制造商: Micron Technology 产品种类: 动态随机存取存储器 RoHS: 详细信息 类型: SDRAM - DDR4 数据总线宽度: 16 bit 组织: 512 M x...

  • 型号:

    CBM97D79TQ

  • 生产日期:

    2022+

  • 封装:

    TQFP-100

  • 供应商:

    深圳市宏芯光电子有限公司芯佰微厂家

深圳市宏芯光电子有限公司 工厂厂家 芯佰微渠道货源 CBM97D79TQ 生产日期2022+ USB2.0控制器 单片机(MCU/MPU/SOC) USB控制器 CBM9001A-48AG CBM9002A-100TIG CBM9002A-100TCG CBM9002A-56ILG CBM9002A-56IBG CBM9002A-56ISG CBM9002A-56LCG CBM9002A-56BCG CB...

  • 型号:

    K4B4G1646E-BCMA

  • 封装:

    FGBA

  • 批次:

    18+

  • 环保:

    无铅环保

  • 厂家:

    三星

K4B4G1646E-BCMA 生产厂家 三星电子 产品分类 DRAM芯片 描述 DRAM芯片DDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.5V 96引脚FBGA 欧盟RoHS合规 DRAM类型DDR3 SDRAM 芯片密度(位)4G 组织256Mx16 内...

  • 型号:

    PIC12C509A-04I/SM

  • 品牌:

    MICROCHIP

  • 年份:

    22+

  • 货期:

    现货

  • 联系人:

    13640952252

富昌源电子(深圳)有限公司是亚太地区的电子元器件混合型分销商。经营各类主动元件( IC集成电路,存储芯片,二、三极管等)和被动元件(电容,电阻,电感等)及机电元件(连接器,开关器...

  • 零件编号:

    MT48LC8M16A2P-6A

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 描述:

    IC SDRAM 128MBIT 167MHZ 54TSOP

  • 湿气敏感性等级 (MSL):

    3(168 小时)

一般信息: 数据列表:MT48LCxMxA2; 标准包装:2,000 类别:集成电路(IC) 产品族:存储器 系列:- 规格: 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:SDRAM 存储容量:128Mb (8M x 16) 时钟频率:167MHz 写周期时间 - 字,页:12ns 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压...

  • 型号:

    MT41K256M16TW-107:P

  • 品牌:

    MICRON

  • 封装:

    BGA

  • 批号:

    19+

  • 数量:

    20000

制造商: Micron Technology 产品种类: 动态随机存取存储器 封装 / 箱体: FBGA-96 系列: MT41K 商标: Micron 安装风格: SMD/SMT 湿度敏感性: Yes 产品类型: DRAM 工厂包装数量: 1368 ...

  • 型号:

    K4F8E3S4HD-MGCL

  • 品牌:

    SAMSUNG(三星半导体)

  • 封装:

    FBGA-200

  • 速率:

    4266 Mbps

  • 架构:

    x32

  • 存储容量:

    8 Gb

  • 工作温度:

    -25 ~ 85 °C

深圳市拓先达科技有限公司成立于2009年,是一家优质的电子元器件渠道现货商,致力于与客户所需电子元器件完美对接。公司有经验丰富的采购团队,能有效解决客户紧缺物料的问题,有经验...

  • 系列:

    -

  • 类别:

    集成电路(IC)

  • 产品族:

    存储器

  • 电压:

    2.3 V ~ 2.7 V

W9412G6KH-5介绍: 描述 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II 详细描述 SDRAM - DDR 存储器 IC 128Mb (8M x 16) 并联 200MHz 50ns 66-TSOP II 类别 集成电路(IC) 存储器 制造商 Winbond Electronics 系列 - 包装 托盘 零件状态 在售 存储器类型 易失 存储器...

    NT5CB128M16HP是南亚(NANAY)公司推出的一款2GB-DDR3-H-dieDRAM,该芯片由16Mbit×16I/Os×8同步动态存储器构成,其数据传输率能达到2133Mb/s/pin。该芯片主要适用于需大量存储密度和高带宽的主内存的应用程序。 NT5CB128M16HP的主要功能特性包括: 1、1.35V-0.067V/+0.1V和1.5V的±0.075V(JEDEC...

    • 制造商:

      Omron

    • 产品种类:

      近程传感器

    • 感应方式:

      Inductive

    • 工作温度:

      + 85 C

    • 工作温度:

      - 40 C

    • 商标:

      Omron Automation and Safety

    产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Omron 近程传感器 E2E2-X5B1-M1 产品种类: 近程传感器 RoHS: 详细信息 感应方式: Inductive 感应距离: 5 mm 近程传感器 E2E2-X5B1-M1 安装风格: Ca...

    • 制造商:

      Littelfuse

    • 产品种类:

      近程传感器

    • 感应方式:

      Magnetic

    • 描述/功能:

      Vane sensor

    • 封装:

      Case

    • 商标:

      Hamlin / Littelfuse

    制造商: Littelfuse 产品种类: 近程传感器 近程传感器 59085-030 RoHS: 详细信息 感应方式: Magnetic 安装风格: Screw 输出配置: SPDT-CO 近程传感器 59085-030 工作温度: + 105 C 工...

    • 品牌:

      SAMSUNG(三星)

    • 型号:

      K4B4G1646E-BCMA

    • 封装:

      BGA96

    • 批次:

      21+

    • 包装:

      托盘

    供应K4B4G1646E-BCMA存储芯片 储存器 原装现货 供应商介绍 深圳市昱创芯城电子有限公司(简称“昱创芯诚”)成立于2020年,是一家以代理、海外渠道、原厂授权分销、现货库存模式共存...

    • 型号:

      DS1990A-F5

    • 封装:

      BUTTON

    • 品牌:

      \t MAXIM/美信

    • 年份:

      18+

    DS1990A-F5 存储卡 模块 深圳市中芯达智能科技有限公司,是一家大型而的IC电子元器件、气动元器件代理分销商。货源稳定价格合理,长年被评为业界经销商。 IC电子元器件主营品牌有:ST TI ATMEL AD MAXIM ON NXP VISHAY XILINX MICRON SAMSUNG等品牌的单片机、...

    • 品牌:

      三星/sansum

    • 容量:

      16G

    • 框架:

      X32

    • 速度:

      1866MBPS

    • 包装:

      960

    拓宽移动设备的应用领域 三星 LPDDR3 的高性能、超快速度和高能效已得到公认,它支持各种移动解决方案,从智能手机到物联网和可穿戴设备,不一而足。 专为多任务 处理而设计, 采用小...

    • 型号:

      MTC8C1084S1SC48BA1

    • 品牌:

      Micron

    • 产品种类:

      存储器模块

    • 产品:

      SODIMM

    • 存储容量:

      16 GB

    • 产品类型:

      Memory Modules

    • 标准包装:

      100

    为了满足广大客户的即时需求,公司在北京、深圳和香港等地都建立了自己的现货仓库,库存金额已接近一亿人民币。同时,公司通过强大的供货网络,可以随时从世界各地为客户调拨通用或紧...

    • 制造商:

      Texas Instruments

    • 封装:

      VSON-CLIP-8

    • 晶体管类型:

      1 N-Channel Power MOSFET

    • 子类别:

      MOSFETs

    • 系列:

      CSD16323Q3

    制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: VSON-CLIP-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压...

      制造过程 芯片制作完整过程包括芯片设计、晶片制作、封装制作、成本测试等几个环节,其中晶片制作过程尤为的复杂。 精密的芯片其制造过程非常的复杂 首先是芯片设计,根据设计的需求,生成的“图样” 1, 芯片的原料晶圆 晶圆的成分是硅,硅是由石英沙所精练出来的,晶圆便是硅元素加以纯化(99.999%),接着是将这些纯硅制...

      • 品牌:

        SK HYNIX/海力士

      • 型号:

        H5PS5162GFRS6C

      • VDD,VDDQ:

        1.8±0.1V

      • 刷新周期:

        8K/64ms

      • Jetec标准84球FBGA(x16):

        7.5mm x 12.5mm

      8gddr4内存报价 专用交流参数的具体说明(8gddr4内存报价 ) 1.用户可以选择通过MRS(位12)使用哪一个有功掉电退出定时。 txard预计用于fast有源掉电退出定时。TXARD预计将用于下一个...

      • 厂家:

        Micron

      • 封装:

        96-FBGA

      • 包装:

        卷带

      • 存储容量:

        4Gb (256M x 16)

      类别 集成电路(IC) 存储器 制造商 Micron Technology Inc. 存储器格式 DRAM 技术 SDRAM - DDR3L 存储容量 4Gb (256M x 16) 时钟频率 800MHz 写周期时间 - 字,页 - 访问时间 13.75ns 存储器接口 并联 电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V 工作温度 0°C...

      电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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