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DRAM（MOS型动态存储器）

（共找到“43”条查询结果）
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ROM（只读存储器） QTP（掩膜ROM） OTP（一次可编程ROM） NVROM(非易失随机存储器） PROM（可编程ROM）

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CBM97D79TQ 宏芯光芯佰微数字模拟转换器芯片 封装TQFP-100 双通道16位高速
CBM97D79TQ 宏芯光芯佰微数字模拟转换器芯片 封装TQFP-100 双通道16位高速
  • 型号：

    CBM97D79TQ

  • 生产日期：

    2022+

  • 封装：

    TQFP-100

  • 供应商：

    深圳市宏芯光电子有限公司芯佰微厂家

深圳市宏芯光电子有限公司 工厂厂家 芯佰微渠道货源 CBM97D79TQ 生产日期2022+ USB2.0控制器 单片机(MCU/MPU/SOC) USB控制器 CBM9001A-48AG CBM9002A-100TIG CBM9002A-100TCG CBM9002A-56ILG CBM9002A-56IBG CBM9002A-56ISG CBM9002A-56LCG CBM9002A-56BCG CB...

存储器 MT41K256M16TW-107:P WT:D MICRON
存储器 MT41K256M16TW-107:P WT:D MICRON
  • 型号：

    MT41K256M16TW-107:P

  • 品牌：

    MICRON

  • 封装：

    BGA

  • 批号：

    19+

  • 数量：

    20000

制造商: Micron Technology 产品种类: 动态随机存取存储器 封装 / 箱体: FBGA-96 系列: MT41K 商标: Micron 安装风格: SMD/SMT 湿度敏感性: Yes 产品类型: DRAM 工厂包装数量: 1368 ...

存储器 W9412G6KH-5 易失
存储器 W9412G6KH-5 易失
  • 系列：

    -

  • 类别：

    集成电路（IC）

  • 产品族：

    存储器

  • 电压：

    2.3 V ~ 2.7 V

W9412G6KH-5介绍： 描述 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II 详细描述 SDRAM - DDR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 200MHz 50ns 66-TSOP II 类别 集成电路（IC） 存储器 制造商 Winbond Electronics 系列 - 包装 托盘 零件状态 在售 存储器类型 易失 存储器...

MT40A512M16LY-075:E
MT40A512M16LY-075:E
  • 品牌：

    镁光

  • 封装：

    BGA

  • 数量：

    6000

  • 单价：

    面议

  • 包装：

    1080

说明： 动态随机存取存储器 DDR4 8G 512MX16 FBGA 制造商: Micron Technology 产品种类: 动态随机存取存储器 RoHS: 详细信息 类型: SDRAM - DDR4 数据总线宽度: 16 bit 组织: 512 M x...

K4B4G1646E-BCMA 原装现货！
K4B4G1646E-BCMA 原装现货！
  • 型号：

    K4B4G1646E-BCMA

  • 封装：

    FGBA

  • 批次：

    18+

  • 环保：

    无铅环保

  • 厂家：

    三星

K4B4G1646E-BCMA 生产厂家 三星电子 产品分类 DRAM芯片 描述 DRAM芯片DDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.5V 96引脚FBGA 欧盟RoHS合规 DRAM类型DDR3 SDRAM 芯片密度（位）4G 组织256Mx16 内...

微控制器芯片PIC12C509A-04I/SM
微控制器芯片PIC12C509A-04I/SM
  • 型号：

    PIC12C509A-04I/SM

  • 品牌：

    MICROCHIP

  • 年份：

    22+

  • 货期：

    现货

  • 联系人：

    13640952252

富昌源电子（深圳）有限公司是亚太地区的电子元器件混合型分销商。经营各类主动元件( IC集成电路，存储芯片，二、三极管等)和被动元件(电容，电阻，电感等)及机电元件(连接器，开关器...

MT48LC8M16A2P-6A 128MB TSOP-54 存储器 原装现货
MT48LC8M16A2P-6A 128MB TSOP-54 存储器 原装现货
  • 零件编号：

    MT48LC8M16A2P-6A

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 描述：

    IC SDRAM 128MBIT 167MHZ 54TSOP

  • 湿气敏感性等级 （MSL）：

    3（168 小时）

一般信息: 数据列表:MT48LCxMxA2; 标准包装:2,000 类别:集成电路（IC） 产品族:存储器 系列:- 规格: 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:SDRAM 存储容量:128Mb （8M x 16） 时钟频率:167MHz 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压...

CSD16323Q3 Texas Instruments
CSD16323Q3 Texas Instruments
  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 封装：

    VSON-CLIP-8

  • 晶体管类型：

    1 N-Channel Power MOSFET

  • 子类别：

    MOSFETs

  • 系列：

    CSD16323Q3

制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: VSON-CLIP-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压...

8gddr4内存报价 海力士热卖中
8gddr4内存报价 海力士热卖中
  • 品牌：

    SK HYNIX/海力士

  • 型号：

    H5PS5162GFRS6C

  • VDD，VDDQ：

    1.8±0.1V

  • 刷新周期：

    8K/64ms

  • Jetec标准84球FBGA（x16）：

    7.5mm x 12.5mm

8gddr4内存报价 专用交流参数的具体说明(8gddr4内存报价 ) 1.用户可以选择通过MRS（位12）使用哪一个有功掉电退出定时。 txard预计用于fast有源掉电退出定时。TXARD预计将用于下一个...

MT41K256M16HA-125:E 内存芯片
MT41K256M16HA-125:E 内存芯片
  • 厂家：

    Micron

  • 封装：

    96-FBGA

  • 包装：

    卷带

  • 存储容量：

    4Gb （256M x 16）

类别 集成电路（IC） 存储器 制造商 Micron Technology Inc. 存储器格式 DRAM 技术 SDRAM - DDR3L 存储容量 4Gb （256M x 16） 时钟频率 800MHz 写周期时间 - 字，页 - 访问时间 13.75ns 存储器接口 并联 电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V 工作温度 0°C...

原装H9HCNNNCPUMLHR-NME 动态随机存储器
原装H9HCNNNCPUMLHR-NME 动态随机存储器
  • 型号：

    H9HCNNNCPUMLHR-NME

  • 制造商：

    SK Hynix /海力士

  • 封装：

    FBGA

  • 批次：

    23+

  • 无铅/环保：

    无铅/环保

原装H9HCNNNCPUMLHR-NME DRAM动态随机存储器 的技术参数： <span style="font-family:宋体;font-size:10.500...

W9864G6KH-6动态随机存取存储器
W9864G6KH-6动态随机存取存储器
  • 型号：

    W9864G6KH-6

  • 系列：

    W9864G6KH

  • 安装风格：

    SMD/SMT

  • 封装：

    TSOP-54

  • 批号：

    20+

W9864G6KH-6动态随机存取存储器 制造商: Winbond 产品种类: 动态随机存取存储器 RoHS: 详细信息 类型: SDRAM 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSOP-54 数据总线宽度: 16 bit 组织: 4 ...

存储芯片NT5CB128M16HP，NT5CB128M16HP原装现货
存储芯片NT5CB128M16HP，NT5CB128M16HP原装现货

    NT5CB128M16HP是南亚（NANAY）公司推出的一款2GB-DDR3-H-dieDRAM，该芯片由16Mbit&#215;16I/Os&#215;8同步动态存储器构成，其数据传输率能达到2133Mb/s/pin。该芯片主要适用于需大量存储密度和高带宽的主内存的应用程序。 NT5CB128M16HP的主要功能特性包括： 1、1.35V-0.067V/+0.1V和1.5V的&#177;0.075V（JEDEC...

    NDL86PFG-8KIT TR DRAM
    NDL86PFG-8KIT TR DRAM
    • 类别：

      集成电路（IC） 存储器

    • 制造商：

      Insignis

    • 系列：

      NDL86P

    • 包装：

      卷带（TR）

    • 存储器类型：

      易失

    • 存储器格式：

      DRAM

    • 技术：

      SDRAM - DDR3L

    • 存储容量：

      8Gb

    供应 NDL86PFG-8KIT TR DRAM产品属性类型描述选择 类别集成电路（IC）存储器存储器制造商Insignis Technology Corporation系列NDL86P包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制...

    近程传感器 E2E2-X5B1-M1
    近程传感器 E2E2-X5B1-M1
    • 制造商：

      Omron

    • 产品种类：

      近程传感器

    • 感应方式：

      Inductive

    • 工作温度：

      + 85 C

    • 工作温度：

      - 40 C

    • 商标：

      Omron Automation and Safety

    产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Omron 近程传感器 E2E2-X5B1-M1 产品种类: 近程传感器 RoHS: 详细信息 感应方式: Inductive 感应距离: 5 mm 近程传感器 E2E2-X5B1-M1 安装风格: Ca...

    近程传感器 59085-030
    近程传感器 59085-030
    • 制造商：

      Littelfuse

    • 产品种类：

      近程传感器

    • 感应方式：

      Magnetic

    • 描述/功能：

      Vane sensor

    • 封装：

      Case

    • 商标：

      Hamlin / Littelfuse

    制造商: Littelfuse 产品种类: 近程传感器 近程传感器 59085-030 RoHS: 详细信息 感应方式: Magnetic 安装风格: Screw 输出配置: SPDT-CO 近程传感器 59085-030 工作温度: + 105 C 工...

    DS1990A-F5 存储卡 模块
    DS1990A-F5 存储卡 模块
    • 型号：

      DS1990A-F5

    • 封装：

      BUTTON

    • 品牌：

      \t MAXIM/美信

    • 年份：

      18+

    DS1990A-F5 存储卡 模块 深圳市中芯达智能科技有限公司，是一家大型而的IC电子元器件、气动元器件代理分销商。货源稳定价格合理，长年被评为业界经销商。 IC电子元器件主营品牌有：ST TI ATMEL AD MAXIM ON NXP VISHAY XILINX MICRON SAMSUNG等品牌的单片机、...

    K4E6E304EB-EGCF 三星 LPDDR3
    K4E6E304EB-EGCF 三星 LPDDR3
    • 品牌：

      三星/sansum

    • 容量：

      16G

    • 框架：

      X32

    • 速度：

      1866MBPS

    • 包装：

      960

    拓宽移动设备的应用领域 三星 LPDDR3 的高性能、超快速度和高能效已得到公认，它支持各种移动解决方案，从智能手机到物联网和可穿戴设备，不一而足。 专为多任务 处理而设计， 采用小...

    MTC8C1084S1SC48BA1 存储器模块 Micron
    MTC8C1084S1SC48BA1 存储器模块 Micron
    • 型号：

      MTC8C1084S1SC48BA1

    • 品牌：

      Micron

    • 产品种类：

      存储器模块

    • 产品：

      SODIMM

    • 存储容量：

      16 GB

    • 产品类型：

      Memory Modules

    • 标准包装：

      100

    为了满足广大客户的即时需求，公司在北京、深圳和香港等地都建立了自己的现货仓库，库存金额已接近一亿人民币。同时，公司通过强大的供货网络，可以随时从世界各地为客户调拨通用或紧...

    NA169NA SOT23
    NA169NA SOT23

      制造过程 芯片制作完整过程包括芯片设计、晶片制作、封装制作、成本测试等几个环节，其中晶片制作过程尤为的复杂。 精密的芯片其制造过程非常的复杂 首先是芯片设计，根据设计的需求，生成的“图样” 1， 芯片的原料晶圆 晶圆的成分是硅，硅是由石英沙所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将这些纯硅制...

      电子元器件产品索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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