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DRAM（MOS型动态存储器）

（共找到“50”条查询结果）
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ROM（只读存储器） QTP（掩膜ROM） OTP（一次可编程ROM） NVROM(非易失随机存储器） PROM（可编程ROM）

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型
深圳
源头工厂
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存储器 MT47H32M16NF-25EIT:H
存储器 MT47H32M16NF-25EIT:H
  • 系列：

    -

  • 类别：

    集成电路（IC）

  • 产品族：

    存储器

  • 电压：

    1.7 V ~ 1.9 V

MT47H32M16NF-25EIT:H介绍： 描述 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 详细描述 SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 400MHz 400ps 84-FBGA（8x12.5） 类别 集成电路（IC） 存储器 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 包装 带卷（TR） 零件状态 在...

MT49H16M18SJ-25:B TR Micron DRAM
MT49H16M18SJ-25:B TR Micron DRAM
  • 型号：

    MT49H16M18SJ-25:B TR

  • 品牌：

    Micron

  • 封装：

    144-FBGA（18.5x11）

  • 批号：

    20+

  • 电压 - 供电：

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度：

    0°C ~ 95°C（TC）

MT49H16M18SJ-25:B TR Micron DRAM 制造商 Micron Technology Inc. 制造商零件编号 MT49H16M18SJ-25:B TR MT49H16M18SJ-25:B TR Micron DRAM 一般信息 数据列表 MT49H32M9, 16M18, 8M...

原装WINBOND W972GG6JB-25 储存芯片
原装WINBOND W972GG6JB-25 储存芯片
  • 型号：

    W972GG6JB-25

  • 牌子：

    WINBOND

  • 封装：

    BGA84

原装WINBOND W972GG6JB-25 BGA84 DDR2 256MB颗粒 W97 2GG6JB是一个2G位DDR2 SDRAM，被组织成16777216个字，8个银行，16个比特。该设备实现高速传输速率高达1066 Mb/Sc/Pin（DDR2-1066），用于各种应用。W97 2GG6JB分为以下级别：18、25、25I、25A、25K、-3和-...

Micron动态存储器 MT41K256M8DA-125IT:K
Micron动态存储器 MT41K256M8DA-125IT:K
  • 型号：

    MT41K256M8DA-125IT:K

  • 制造商：

    Micron

  • 封装：

    FBGA-78

  • 描述：

    SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 800MHz 13.75ns 78-FBGA（8x10.5）

  • 包装：

    带卷（TR）

  • 包装数量：

    2000

Micron动态存储器 MT41K256M8DA-125IT:K 制造商 Micron Technology Inc. 型号 MT41K256M8DA-125IT:K TR 描述 SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 800MHz 13.75ns 78-FBGA...

集成电路（IC）存储器IS42S16100H-7TLI
集成电路（IC）存储器IS42S16100H-7TLI
  • 型号：

    IS42S16100H-7TLI

  • 品牌：

    ISSI

  • 批号：

    18+

  • 数量：

    12000

  • 备注：

    原装现货

半导体存储器(semi-conductor memory)是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器,内存储器就是由称为存储器芯片的半导体集成电路组成。按其功能可分为：随机存取存储器（简称RAM）和只...

K4B8G1646D-MYK0汉威，K4B8G1646D-MYK0原装现货
K4B8G1646D-MYK0汉威，K4B8G1646D-MYK0原装现货
  • 型号：

    K4B8G1646D-MYK0

  • 品牌：

    SAMSUNG

  • 包装：

    1120PCS

  • 批号：

    17+

型号：K4B8G1646D-MYK0 品牌：SAMSUNG 包装：1120PS 批号：17+ 容量：DDR3 8Gbit 汉威科技只做原装，假一罚十，联电话：13612395875 柯先生（微信同号） 经营范围： 1、存储，三星东芝美光，有些料我们会备库存。 2、MPS、天钰、国腾江波龙还有国内一些芯片的...

MT46V16M16P-5B:M TSOP66 存储器
MT46V16M16P-5B:M TSOP66 存储器
  • 类型：

    存储器

  • 包装：

    原装

  • 电压：

    1

  • 温度：

    1

  • 库存：

    现货

深圳市信通吉电子有限公司（SHENZHEN KINGTONG ELECTRONIC CO.,LTD），企业总部位于香港，成立于2001年，是一家电子元器件现货供应商！在香港设立业务部和进出口中心，并加入了HKI、T...

MT40A512M16LY-075:E
MT40A512M16LY-075:E
  • 品牌：

    镁光

  • 封装：

    BGA

  • 数量：

    6000

  • 单价：

    面议

  • 包装：

    1080

说明： 动态随机存取存储器 DDR4 8G 512MX16 FBGA 制造商: Micron Technology 产品种类: 动态随机存取存储器 RoHS: 详细信息 类型: SDRAM - DDR4 数据总线宽度: 16 bit 组织: 512 M x...

AS4C32M16D1A-5TIN Alliance原装SDRAM
AS4C32M16D1A-5TIN Alliance原装SDRAM
  • 型号：

    AS4C32M16D1A-5TIN

  • 品牌：

    Alliance

  • 封装：

    TSOP-66

  • 容量：

    512Mb

  • 包装：

    托盘

  • 类别：

    SDRAM-DDR

AS4C32M16D1A-5TIN，Alliance DDR 原厂原装 制造商：Alliance Memory 规格型号：AS4C32M16D1A-5TIN 英文名称：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，DDR SDRA...

MT40A512M16LY-075:E TR新到现货
MT40A512M16LY-075:E TR新到现货
  • 存储容量：

    8 Gbit

  • 组织：

    512M×16

  • 封装：

    FBGA-16

  • 批次：

    20+

品牌 MICRON 批号 2020+ 封装 FBGA 数量 78900 QQ 2260634763 制造商 Micron Technology 产品种类 动态随机存取存储器 RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装 / 箱体 FBGA-96 数据总线宽度 16 bit 组织 512 M x 16 存储容量 8 Gbit 时钟频率+∞ 1333 MHz 电源电压+∞...

MC74HC595ADTR2G移位寄存器
MC74HC595ADTR2G移位寄存器
  • 型号：

    MC74HC595ADTR2G

  • 品牌：

    ON

  • 封装：

    TSSOP-16

  • 批号：

    18+

  • 数量：

    10000

制造商:ON Semiconductor 产品种类:计数器移位寄存器 RoHS: 详细信息 计数顺序:Serial to Serial/Parallel 电路数量:2 位数:8 bit 封装 / 箱体:TSSOP-16 逻辑系列:74HC 逻辑类型:CMOS...

8gddr4内存报价 海力士热卖中
8gddr4内存报价 海力士热卖中
  • 品牌：

    SK HYNIX/海力士

  • 型号：

    H5PS5162GFRS6C

  • VDD，VDDQ：

    1.8±0.1V

  • 刷新周期：

    8K/64ms

  • Jetec标准84球FBGA（x16）：

    7.5mm x 12.5mm

8gddr4内存报价 专用交流参数的具体说明(8gddr4内存报价 ) 1.用户可以选择通过MRS（位12）使用哪一个有功掉电退出定时。 txard预计用于fast有源掉电退出定时。TXARD预计将用于下一个...

存储器 MT41K256M16TW-107:P WT:D MICRON
存储器 MT41K256M16TW-107:P WT:D MICRON
  • 型号：

    MT41K256M16TW-107:P

  • 品牌：

    MICRON

  • 封装：

    BGA

  • 批号：

    19+

  • 数量：

    20000

制造商: Micron Technology 产品种类: 动态随机存取存储器 封装 / 箱体: FBGA-96 系列: MT41K 商标: Micron 安装风格: SMD/SMT 湿度敏感性: Yes 产品类型: DRAM 工厂包装数量: 1368 ...

存储芯片NT5CB128M16HP，NT5CB128M16HP原装现货
存储芯片NT5CB128M16HP，NT5CB128M16HP原装现货

    NT5CB128M16HP是南亚（NANAY）公司推出的一款2GB-DDR3-H-dieDRAM，该芯片由16Mbit×16I/Os×8同步动态存储器构成，其数据传输率能达到2133Mb/s/pin。该芯片主要适用于需大量存储密度和高带宽的主内存的应用程序。 NT5CB128M16HP的主要功能特性包括： 1、1.35V-0.067V/+0.1V和1.5V的±0.075V（JEDEC...

    DDR存储MT46V128M8P-6T IT:A
    DDR存储MT46V128M8P-6T IT:A
    • 存储器构架：

      DRAM

    • 类型：

      DDR

    • 封装：

      tsop66

    • 工作电压：

      2.3V ~ 2.7V

    • 内存大小：

      1Gb

    MT46V128M8P-6T IT:A MT46V128M8P-6T IT:A MT46V128M8P-6T IT:A MT46V128M8P-6T IT:A Features • V DD = 2.5V ±0.2V, V DD Q = 2.5V ±0.2V V DD = 2.6V ±0....

    K4E6E304EB-EGCF 三星 LPDDR3
    K4E6E304EB-EGCF 三星 LPDDR3
    • 品牌：

      三星/sansum

    • 容量：

      16G

    • 框架：

      X32

    • 速度：

      1866MBPS

    • 包装：

      960

    拓宽移动设备的应用领域 三星 LPDDR3 的高性能、超快速度和高能效已得到公认，它支持各种移动解决方案，从智能手机到物联网和可穿戴设备，不一而足。 专为多任务 处理而设计， 采用小...

    MT41K256M16HA-125:E 内存芯片
    MT41K256M16HA-125:E 内存芯片
    • 厂家：

      Micron

    • 封装：

      96-FBGA

    • 包装：

      卷带

    • 存储容量：

      4Gb （256M x 16）

    类别 集成电路（IC） 存储器 制造商 Micron Technology Inc. 存储器格式 DRAM 技术 SDRAM - DDR3L 存储容量 4Gb （256M x 16） 时钟频率 800MHz 写周期时间 - 字，页 - 访问时间 13.75ns 存储器接口 并联 电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V 工作温度 0°C...

    NA169NA SOT23
    NA169NA SOT23

      制造过程 芯片制作完整过程包括芯片设计、晶片制作、封装制作、成本测试等几个环节，其中晶片制作过程尤为的复杂。 精密的芯片其制造过程非常的复杂 首先是芯片设计，根据设计的需求，生成的“图样” 1， 芯片的原料晶圆 晶圆的成分是硅，硅是由石英沙所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将这些纯硅制...

      近程传感器 E2E2-X5B1-M1
      近程传感器 E2E2-X5B1-M1
      • 制造商：

        Omron

      • 产品种类：

        近程传感器

      • 感应方式：

        Inductive

      • 工作温度：

        + 85 C

      • 工作温度：

        - 40 C

      • 商标：

        Omron Automation and Safety

      产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Omron 近程传感器 E2E2-X5B1-M1 产品种类: 近程传感器 RoHS: 详细信息 感应方式: Inductive 感应距离: 5 mm 近程传感器 E2E2-X5B1-M1 安装风格: Ca...

      大存储flash芯片
      大存储flash芯片
      • 产品：

        MMSC350

      • 品牌：

        华存

      • 容量：

        128GB-1TB

      • 快闪记忆体：

        新一代3DTLC

      FLASH芯片是应用非常广泛的存储材料，与之容易混淆的是RAM芯片，我们经常在有关IT的文章里面谈到这两种芯片。由于它们的工作条件与方式不一样，决定它们性能和用途也有差异。大存储flash芯片参数：产品：MMSC350容量：128GB-1TB品牌：华存连续读取/写入速度：...

      电子元器件产品索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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