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SRAM (MOS型静态存储器)

(共找到“32”条查询结果)
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您是不是要找: SRAM存储器

广东
源头工厂
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  • 品牌:

    Lyontek(来扬)

  • 品质保证:

    质保终身

  • 批次:

    两年内

  • 封装:

    tssop-32

LY62W1024RL-55SL 静态随机存储器 产品属性: SRAM(静态随机存储器) LY62W1024RL-55SL 静态随机存储器 产品图片: LY62W1024RL-55SL 静态随机存储器 供应商仓库: LY62W1024RL-55SL 静态随机存储器 供应商介绍: 深圳硅原半导体有限公司是一家电子元器件代理...

  • 型号:

    GS8342Q09BD-250I

  • 品牌:

    GSI

  • 封装:

    BGA-165

  • 批号:

    20+

  • 小工作温度:

    - 40 C

  • 大工作温度:

    + 85 C

GSI GS8342Q09BD-250I SRAM 制造商编号: GS8342Q09BD-250I 制造商: GSI Technology 规格 制造商: GSI Technology 产品种类: 静态随机存取存储器 存储容量: 36 Mbit 组织: 4 M x 9 ...

  • 型号:

    CBM92AD68-80-105-125

  • 生产日期:

    2022+

  • 商品目录:

    模数转换芯片ADC

  • A/D 位数:

    16位

  • 采样率(sps):

    125M

  • 输入通道:

    双通道

  • 输入类型:

    Differential

  • 读写接口类型:

    SPI

深圳市宏芯光电子有限公司 芯佰微芯片 ADC模拟数字转换器芯片 双通道16位处理器 产品特性  低功耗: 700 mW@125 MSPS  电源供电:1.8 V  输出电...

  • 型号:

    CAT24C02YI-GT3A

  • 品牌:

    ON

  • 封装:

    TSSOP8

  • 批号:

    17

CAT24C01 , CAT24C02 ,CAT24C04 , CAT24C08 ,CAT24C16 ,1 - KB , 2 - KB, 4 KB , 8 KB和16 KB I2Ç CMOS串行。 描述 该CAT24C01 / 02 /04/ 08/16为1 - KB, 2 - KB, 4 KB , 8 KB和16 KB分别组织CMOS串行EEPROM器件内部为8/16/32/64分别...

  • 型号:

    70V05S25PF

  • 品牌:

    IDT

  • 封装:

    64-LQFP

  • 标准包装数量:

    45

70V05S25PF IDT静态随机存取存储器 制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc 制造商零件编号 70V05S25PF 描述 IC SRAM 64KBIT 25NS 64TQFP SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 25ns 64-TQFP (14x14) 产品属性 类别 集成...

  • 电压 - 供电:

    2.2V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 封装/外壳:

    44-TSOP

  • 批号:

    新年份

  • 厂商:

    CYPRESS

亲爱的顾客朋友们 选择我们,选择敬业, 诚信经营品质保证<br style="font-family:tahoma, arial, 宋体, sans-serif;white-space:normal;backgrou...

  • 批号:

    20+

  • 封装:

    100-TQFP

  • 工作温度:

    0°C ~ 85°C (TJ)

  • 电源电压:

    1.14 V ~ 1.26 V

供应Xilinx,XC3S250E-4VQG100C嵌入式-FPGA,供应Xilinx,XC3S250E-4VQG100C嵌入式-FPGA 生产厂家 赛灵思公司 制造商零件编号 XC3S250E-4VQG100C 说明IC FPGA 66 I / O 100VQFP <span sty...

  • 型号:

    AS6C4008-55STIN

  • 品牌:

    Alliance

  • 封装:

    TSOP-32

  • 容量:

    4Mb

  • 包装:

    托盘

  • 类型:

    SRAM

AS6C4008-55STIN,Alliance SRAM 原厂原装 制造商:Alliance Memory 规格型号:AS6C4008-55STIN 英文名称:Static Random Access Memory,SRAM 中文名称:静态随机存取存储器 存储格...

  • 型号:

    71V416S10PHGI

  • 品牌:

    IDT

  • 批号:

    18+

  • 数量:

    1600

  • 备注:

    原装现货

型动态存储器71V416S10PHGI半导体存储器(semi-conductor memory)是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器,内存储器就是由称为存储器芯片的半导体集成电路组成。按其功能可分为:随机...

  • 系列:

    汽车级

  • 类别:

    分立半导体产品

  • 产品族:

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单

  • 电压:

    -

MMBT2222ALT1G 介绍: 描述 TRANS NPN 40V 0.6A SOT23 制造商标准提前期 50 周 详细描述 Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 600mA 300MHz 225mW Surface Mount SOT-23 类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 ON Semiconductor 系列 汽车级,AE...

  • 型号:

    CY62128EV30LL-45ZX

  • 批次:

    22+

  • 品牌:

    CYPRESS

  • 数量:

    10000

深圳市星源微科技有限公司,成立于2008年10月,主营电子元器件领域国内外贸易和为客户提供剩余库存解决方案、批量采购。 只做原装,百分百自家现货,严格的品质管理、优异的技术支持服务,使得我们公司提供的货物品质一流,为您实现所有电子元件零退货,零缺...

  • 品牌:

    ISSI(美国芯成)

  • 封装:

    STSOPI-32

  • 批号:

    21+

  • 包装:

    2000/盘

深圳市奥利腾科技有限公司业务部专营各国品牌集成电路,IC,晶振。并具有着丰富的电子行业经验,在激烈的市场竞争中,以其独特的经营方式,优质的服务,逐渐闯出了一套属于自己的行业优势。 代理分销世界各国品牌的IC。以 :TOSHIBA、MAXIN、IR、PHI、ST、SAMS...

  • 系列:

    -

  • 类别:

    集成电路(IC)

  • 产品族:

    存储器

  • 电压:

    2.4 V ~ 3.6 V

IS61WV102416BLL-10TLI介绍: 描述 IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I 制造商标准提前期 8 周 详细描述 SRAM - 异步 存储器 IC 16Mb (1M x 16) 并联 10ns 48-TSOP I 类别 集成电路(IC) 存储器 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 包装 托...

  • 类型:

    SRAM

  • 封装:

    100-TQFP (14x14)

  • 内存:

    64Kb (4K x 16)

  • 电压:

    3V-3.6V

  • 等级:

    一级

制造商型号:CY7C024AV-20AXI 介绍:DUAL-PORT SRAM 4KX16 20NS 起订量:1 厂家:CYPRESS 包装:Tray 系列:- 零件状态:Obsolete 存储器类型:Volatile 存储器格式:SRAM 技术:SRAM...

  • 型号:

    NT5CB128M16JR-FL

  • 制造商:

    NANYA南亚

  • 封装:

    FBGA

  • 批次:

    23+

  • 无铅/环保:

    无铅/环保

NT5CB128M16JR-FL 全新原装 制造商NANYA框架128Mx16DRAN 类型DRAM DDR3存储器类型2Gbit工作电压1.5V针脚数96-Pin封装TFBGARoHS是 The 2Gb Double-Data-Rate-3 (DDR3(L)) is double da...

    参数 数值 产品分类 RF/IF 和 RFID &amp;gt;&amp;gt; 动态随机存取存储器 描述 动态随机存取存储器 128M (8Mx16) 143MHz S动态随机存取存储器, 3.3v IS42S16800E-7TLI PDF 制造商 ISSI 数据总线宽度 8 bit 组织 封装 / 箱体 TSSOP-54 存储容量 128 Mbit 时钟频率 143 MHz 访问时间 6.5 ns, 5.4 ns 电源电压- 3.6 V ...

    • 封装:

      SON8

    • Vds-漏源极击穿电压:

      30 V

    • 产品种类:

      MOSFET

    • Pd-功率耗散:

      12 W

    • 系列:

      CSD87350Q5D

    制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: LSON-CLIP-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 2 Channel Vds-漏源极击穿电压...

    • 制造商:

      Omron

    • 产品种类:

      近程传感器

    • 感应方式:

      Inductive

    • 封装:

      Bulk

    • 系列:

      E2E2

    • 零件号别名:

      E2E2X10MY1US

    产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Omron 近程传感器 E2E2-X10MY1-US 产品种类: 近程传感器 RoHS: 详细信息 感应方式: Inductive 感应距离: 10 mm 近程传感器 E2E2-X10MY1-US 输出配...

    • 制造商:

      Littelfuse

    • 产品种类:

      近程传感器

    • 感应方式:

      Magnetic

    • 系列:

      59060

    • 商标:

      Hamlin / Littelfuse

    • 工作电源电压:

      120 VAC, 175 V

    产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Littelfuse 产品种类: 近程传感器 近程传感器 59060-4-V-02-F RoHS: 详细信息 感应方式: Magnetic 感应距离: 6 mm 安装风格: Cable 输出配置: SPST...

    • 型号:

      K9NBG08U5A-PCB0

    • 品牌:

      SAMSUNG/三星

    • IC类别:

      FLASH-NAND

    • IC代码:

      4GX8NANDSLC

    • 脚位/封装:

      TSOP

    • 外包装:

      TRAY

    &amp;#65279; K9NBG08U5A-PCB0三星内存条ddr4一般的描述 制造商IC编号K9NBG08U5A-PCB0 厂牌SAMSUNG/三星 IC类别FLASH-NAND IC代码4GX8NANDSLC K9NBG08U5A-PCB0三星内存条ddr4参数...

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