FQB50N06 一般信息数据列表FQB50N06, FQI50N06;

标准包装  800包装  标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列QFET®其它名称FQB50N06TM-ND

FQB50N06TMFSTR

FQB50N06 规格FET 类型N 沟道技术MOSFET (Metal Oxide)漏源极电压（Vdss）60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）50A（Tc）Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)*不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）22 毫欧 @ 25A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）41nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）1540pF @ 25VFET 功能-功率耗散（值）*工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB供应商器件封装D2PAK

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