IR
IRF8010PBF
TO220
65600
请来电
企业名:湖人半导体(深圳)有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-82578272
0755-82577852
手机:16670529611
13302942150
联系人:王小姐/雷小姐
邮箱:hurenbandaoti@chinaxilinx.com
地址:广东深圳深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场6010A
IRF8010PBF
产品应用
高频直流-直流转换器
UPS和电机控制
无铅
IRF8010PBF
产品好处
低栅极 - 漏极电荷降低
开关损耗
充分界定电容含有效的COSS为简化设计, (见应用程序。注AN1001 )
充分界定雪崩电压和电流
典型RDS ( ON)= 12mΩ
IRF8010PBF
产品信息
N 通道功率 MOSFET 100V,Infineon
Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供系统效率。
IRF8010
产品一般信息
数据列表IRF8010PbF;标准包装50包装管件类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列HEXFET®规格FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)80A(Tc)驱动电压( Rds On, Rds On)10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)120nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)3830pF @ 25VVgs(值)±20VFET 功能-功率耗散(值)260W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)15 毫欧 @ 45A,10V工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3
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