LM5165DRCR是一款易于使用的紧凑型 3V 至 65V、超低 IQ 同步降压转换器，可在整个宽输入电压和负载电流范围内保持高效率。该器件集成有高侧和低侧功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，LM5165DRCR可提供高达 150mA 的输出电流，输出电压有固定式（3.3V 或 5V）和可调节式两种可供选择。该转换器设计旨在简化实现方案，同时优化目标应用的性能。脉频调制 (PFM) 模式可确保在轻负载条件下获得效率，恒定导通时间 (COT) 控制可实现近似恒定的工作频率。这两种控制方案都不需要环路补偿，同时还能够针对较高的降压转换比实现出色的线路和负载瞬态响应以及短暂的脉宽调制 (PWM) 导通时间。

高侧 P 沟道 MOSFET 可以 100% 占空比工作以确保压降，而且不需要使用自举电容进行栅极驱动。另外，还可以调节电流限制设定值来优化电感选择，从而满足特定的输出电流要求。可选/可调节启动时序选项包括短延迟（无软启动）、内部固定值 (900μs) 以及可通过外部电容编程设定的软启动。可以使用开漏 PGOOD 指示器进行排序和输出电压监视。LM5165 符合汽车类 AEC-Q100 1 级标准，并且采用引脚间距为 0.5mm 的 VSON-10 封装。产品特性宽输入电压范围：3V 至 65V固定式（3.3V 或 5V）或可调节式两种输出电压输出电流高达 150mA无负载时的静态电流为 10.5μA结温范围：-40°C 至 150°C脉频调制 (PFM) 或恒定导通时间 (COT) 两种工作模式可供选择开关频率高达 600kHz二极管仿真模式以及用于在轻负载时确保超高效率的脉冲跳跃模式集成 2Ω P 型金属氧化物半导体 (PMOS) 降压开关支持 100% 占空比，LM5165DRCR可实现低压降支持 100% 占空比，可实现低压降集成 1Ω N 型金属氧化物半导体 (NMOS) 同步整流器无需使用外部整流二极管无需使用外部整流二极管可编程的电流限制设定值（4 级）1.223V 内部电压基准900μs 内部软启动或可编程的软启动针对预偏置输出的单调性启动无环路补偿或引导组件带滞后功能的精密使能/输入欠压锁定 (UVLO)开漏电源正常指示器针对低电磁干扰 (EMI) 的有效转换率控制带滞后功能的热关断保护10 引脚、3mm x 3mm 超薄小外形尺寸无引线 (VSON) 封装应用4mA–20mA 回路供电传感器汽车类和电池供电类设备高电压低降压稳压器 (LDO) 的替代产品工业控制系统通用偏置电源

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