一、描述及参数

型号：FDMS86101

品牌：FAIRCHI

封闭：POWER56

类别：MOSFET晶体管

零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12.4A（Ta），60A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 6V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 55nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 3000pF @ 50V
Vgs（值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（值） 2.5W（Ta），104W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 8 毫欧 @ 13A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-PQFN（5x6）
封装/外壳 8-PowerTDFN
包装方式：卷带

标准包装数量：3000PCS

FDMS86101该N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺生产，这一先进工艺是专为限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 

二、特性
值 rDS(on) = 8 mΩ（VGS = 10 V, ID = 13 A

）
VGS = 6 V，ID = 9.5 A时，rDS(on) = 13.5mΩ
先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低rDS(on)和高效率
MSL1耐用封装设计
100%经过UIL测试
符合RoHS标准

三、封装示意图

四、实物图

企业名：深圳市凌旭科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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