HY2120-OB
宏康
4.10V~4.50V ±25mV
3.90V~4.30V ±50mV
2.00V~3.20V ±80mV
2.30V~3.40V ±100mV
企业名:深圳市赛帆科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-82322478
0755-83372651
0755-82327907
手机:15220190236
18926477298
18925223127
联系人:许林敏/Bruce/Jack Jiang
邮箱:info@icfine.cn
地址:广东深圳罗湖区深南东路文华大厦东座20D/代理台湾宏康HYCON锂电池保护IC,常备大量现货,华强可送货。
HY2120
2 节锂离子/锂聚合物电池保护 IC
1. 概述
HY2120 系列 IC,内置高精度电压检测电路和延时电路,是用于 2 节串联锂离子/锂聚合物可再充电
电池的保护 IC。
此系列IC适合于对2节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护。
2. 特点
HY2120全系列IC具备如下特点:
(1)高精度电压检测电路
● 过充电检测电压VCUn(n=1,2) 4.10V~4.50V 精度 ±25mV
● 过充电释放电压VCRn(n=1,2) 3.90V~4.30V 精度 ±50mV
● 过放电检测电压VDLn(n=1,2) 2.00V~3.20V 精度 ±80mV
● 过放电释放电压VDRn(n=1,2) 2.30V~3.40V 精度 ±100mV
● 放电过流检测电压 (可选择)
● 充电过流检测电压 (可选择) 精度±30mV
● 负载短路检测电压 1.0V (固定) 精度±0.4V
(2)各延迟时间由内部电路设置(不需外接电容)
过充电检测延迟时间 典型值 1000ms
过放电检测延迟时间 典型值 110ms
放电过流检测延迟时间 典型值 10ms
充电过流检测延迟时间 典型值 7ms
负载短路检测延迟时间 典型值 250μs
(3)低耗电流(具有休眠功能的型号)
工作模式 典型值 5.0μA ,值 9.0μA(VDD=7.8V)
休眠模式 值 0.1μA(VDD=4.0V)
(4)连接充电器的端子采用高耐压设计(CS 端子和 OC 端子,额定值是 33V)
(5)向 0V 电池充电功能:可以选择“允许”或“禁止”
(6)宽工作温度范围:-40℃~+85℃
(7)小型封装:SOT-23-6
特性代码说明
特性代码 过充释放功能 休眠功能/过放自恢复功能
A 过充释放代码 1(详见 11.2.1 说明) 有休眠功能
B 过充释放代码 2(详见 11.2.2 说明) 有过放自恢复功能
C 过充释放代码 1(详见 11.2.1 说明) 有过放自恢复功能
E 过充释放代码 2(详见 11.2.2 说明) 有休眠功能
脚位 符号 说明
1 OD 放电控制用 MOSFET 门极连接端子
2 OC 充电控制用 MOSFET 门极连接端子
3 CS 过电流检测输入端子,充电器检测端子
4 VC 电池 1 负极、电池 2 正极连接端子
5 VDD 正电源输入端子,电池 1 正极连接端子
6 VSS 接地端,负电源输入端子,电池 2 负极连接端子
8. 额定值
(VSS=0V,Ta=25°C ,除非特别说明)
项目 符号 规格 单位
VDD 和 VSS 之间输入电压 VDD VSS-0.3~VSS+10 V
OC 输出端子电压 VOC VDD-33~VDD+0.3 V
OD 输出端子电压 VOD VSS-0.3~VDD+0.3 V
CS 输入端子电压 VCS VDD-33~VDD+0.3 V
工作温度范围 TOP -40~+85 ℃
储存温度范围 TST -40~+125 ℃
容许功耗 PD 250 mW
DS-HY2120-V15_S
DS-HY2120-V15_SC
9. 电气特性
(VSS=0V,Ta=25℃,除非特别说明)
项目 符号 条件 值 典型值 值 单
输入电压
VDD-VSS 工作电压 VDSOP1 - 1.5 - 10 V
VDD-CS 工作电压 VDSOP2 - 1.5 - 33 V
耗电流(有休眠功能的型号)
工作电流 IDD VDD=7.8V - 5.0 9.0 uA
休眠电流 IPD VDD=4.0V - - 0.1 uA
耗电流(有过放自恢复功能的型号)
工作电流 IDD VDD=7.8V - 5.0 9.0 uA
过放电时耗电流 IPD VDD=4.0V - 5.0 9.0 uA
检测电压
过充电检测电压 n(*1) VCUn 4.1~4.5V,可调整 VCUn -0.025 VCUn VCUn +0.025 V
过充电释放电压 n(*1) VCRn 3.9~4.3V,可调整 VCRn -0.05 VCRn VCRn +0.05 V
过放电检测电压 n(*1) VDLn 2.0~3.2V,可调整 VDLn -0.08 VDLn VDLn +0.08 V
过放电释放电压 n(*1) VD n R 2.3~3.4V,可调整 VDRn -0.10 VDRn VDRn +0.10 V
VDIP<150mV VDIP -15 VDIP VDIP +15 mV 放电过流检测电压 V P VD 0 D 0 m DI VDIP≥150mV IP -3 VDIP V IP +3 V
负载短路检测电压 VSIP VDD-VSS=7.0V 0.6 1.0 1.4 V
VCIP>-150mV VCIP -15 VCIP VCIP +15 mV 充电过流检测电压 VCIP VCIP≤-150mV VCIP -30 VCIP VCIP +30 mV
10.电池保护 IC 应用电路示例
标记 器件名称 用途 值 典型值 值 说明
R1 电阻 限流、稳定VDD、加强ESD 100Ω 330Ω 470Ω *1
R2 电阻 限流、稳定VC、加强ESD 100Ω 330Ω 470Ω *1
R3 电阻 限流 1 kΩ 2kΩ 4kΩ *2
C1 电容 滤波,稳定VDD 0.01μF 0.1μF 1.0μF *3
C2 电容 滤波,稳定VDD 0.01μF 0.1μF 1.0μF *3
M1 N-MOSFET 放电控制 - - - *4
M2 N-MOSFET 充电控制 - - - *5
*1、R1或R2连接过大电阻,由于耗电流会在R1或R2上产生压降,影响检测电压精度。当充电器反接时,
电流从充电器流向IC,若R1或R2过大有可能导致VDD-VSS端子间电压超过额定值的情况发生。
*2、R3 连接过大电阻,当连接高电压充电器时,有可能导致不能切断充电电流的情况发生。但为控制充
电器反接时的电流,请尽可能选取较大的阻值。
*3、C1和C2有稳定VDD电压的作用,请不要连接0.01μF以下的电容。
*4、使用MOSFET的阈值电压在过放电检测电压以上时,可能导致在过放电保护之前停止放电。
*5、门极和源极之间耐压在充电器电压以下时,N-MOSFET有可能被损坏。
HY2120
11.工作说明
11.1.正常工作状态
此IC持续检测连接在VDD与VC端子之间电池 1 的电压、连接在VC与VSS端子之间电池 2 的电压,以
及CS与VSS端子之间的电压差,来控制充电和放电。当电池 1 和电池 2 的电压都在过放电检测电压(VDLn)
以上并在过充电检测电压(VCUn)以下,且CS端子电压在充电过流检测电压(VCIP)以上并在放电过流检
测电压(VDIP)以下时,IC的OC和OD端子都输出高电平,使充电控制用MOSFET和放电控制用MOSFET
同时导通,这个状态称为“正常工作状态”。此状态下,充电和放电都可以自由进行。
注意:初次连接电芯时,会有不能放电的可能性,此时,短接 CS 端子和 VSS 端子,或者连接充电
器,就能恢复到正常工作状态。
11.2.过充电状态
11.2.1. 过充释放代码 1 的型号
正常工作状态下的电池,在充电过程中,连接在VDD与VC端子之间电池1的电压或连接在VC与VSS
端子之间电池2的电压,超过过充电检测电压(VCUn),并且这种状态持续的时间超过过充电检测延迟时
间(TOC)时,IC的OC端子输出电压由高电平变为低电平,关闭充电控制用的MOSFET(OC端子),停
止充电,这个状态称为“过充电状态”。
过充电状态在如下两种情况下可以释放,OC端子输出电压由低电平变为高电平,使充电控制用
MOSFET导通。
(1)断开充电器,由于自放电使电池 1 和电池 2 的电压都降低到过充电释放电压(VCRn)以下时,
过充电状态释放,恢复到正常工作状态。
(2)断开充电器,连接负载,当电池 1 和电池 2 的电压都降低到过充电检测电压(VCUn)以下时,
过充电状态释放,恢复到正常工作状态。
备注:进入过充电状态的电池,如果仍然连接着充电器,即使电池 1 电压和电池 2 电压都低于过充电
释放电压(VCRn),过充电状态也不能释放。断开充电器,CS端子电压高于充电过流检测电压(VCIP)以
上时,过充电状态才能释放。
11.2.2. 过充释放代码 2 的型号
正常工作状态下的电池,在充电过程中,连接在VDD与VC端子之间电池1的电压或连接在VC与VSS
端子之间电池2的电压,超过过充电检测电压(VCUn),并且这种状态持续的时间超过过充电检测延迟时
间(TOC)时,IC的OC端子输出电压由高电平变为低电平,关闭充电控制用的MOSFET(OC端子),停
止充电,这个状态称为“过充电状态”。
过充电状态在如下两种情况下可以释放,OC端子输出电压由低电平变为高电平,使充电控制用
MOSFET导通。
(1)由于自放电使电池1电压和电池2电压都降低到过充电释放电压(VCRn)以下时,过充电状态释放,
恢复到正常工作状态。
(2)移走充电器并连接负载,当电池电压降低到过充电检测电压(VCUn)以下时,过充电状态释放,
恢复到正常工作状态
①当电池 1 或电池 2 的电压超过过充电检测电压(VCUn),断开充电器并连接负载,如果电池 1 或电
池 2 的电压仍不能降低到过充电检测电压(VCUn)以下,此时放电电流通过充电控制用MOSFET的寄生二
极管流过,当电池 1 和电池 2 的电压都降低到过充电检测电压(VCUn)以下时,OC端子输出电压由低电
平变为高电平,使充电控制用MOSFET导通。
②当电池 1 或电池 2 的电压超过过充电检测电压(VCUn),但在过充电检测延迟时间(TOC)之内,
电池 1 和电池 2 的电压又降低到过充电检测电压(VCUn)以下,则此时不进入过充电保护状态。
③OC端子高电平是上拉到VDD端子,OC端子低电平是下拉到CS端子。
11.3.过放电状态
11.3.1.有休眠功能的型号
正常工作状态下的电池,在放电过程中,连接在VDD与VC端子之间电池 1 的电压或连接在VC与VSS
端子之间电池 2 的电压,降低到过放电检测电压(VDLn)以下,并且这种状态持续的时间超过过放电检测
延迟时间(TOD)时,IC的OD端子输出电压由高电平变为低电平,关闭放电控制用的MOSFET(OD端子),
停止放电,这个状态称为“过放电状态”。
当关闭放电控制用 MOSFET 后,CS 由 IC 内部电阻上拉到 VDD,使 IC 耗电流减小到休眠时的耗电
流值(<0.1uA),这个状态称为“休眠状态”。
过放电状态在以下两种情况下可以释放,OD 端子输出电压由低电平变为高电平,使放电控制用
MOSFET 导通。
(1)连接充电器,若CS端子电压低于充电过流检测电压(VCIP),当电池 1 和电池 2 的电压都高于过
放电检测电压(VDLn)时,过放电状态释放,恢复到正常工作状态。
(2)连接充电器,若CS端子电压高于充电过流检测电压(VCIP),当电池 1 和电池 2 的电压都高于过
放电释放电压(VDRn)时,过放电状态释放,恢复到正常工作状态。
11.3.2.有过放自恢复功能的型号
正常工作状态下的电池,在放电过程中,连接在VDD与VC端子之间电池 1 的电压或连接在VC与VSS
端子之间电池 2 的电压,降低到过放电检测电压(VDLn)以下,并且这种状态持续的时间超过过放电检测
延迟时间(TOD)时,IC的OD端子输出电压由高电平变为低电平,关闭放电控制用的MOSFET(OD端子),
停止放电,这个状态称为“过放电状态”。
过放电状态的释放,有以下三种方法:
(1)连接充电器,若CS端子电压低于充电过流检测电压(VCIP),当电池 1 和电池 2 的电压都高于过
放电检测电压(VDLn)时,过放电状态释放,恢复到正常工作状态。
(2)连接充电器,若CS端子电压高于充电过流检测电压(VCIP),当当电池 1 和电池 2 的电压高于过
放电释放电压(VDRn)时,过放电状态释放,恢复到正常工作状态。
(3)没有连接充电器时,如果电池 1 和电池 2 的电压自恢复到都高于过放电释放电压(VDRn)时,过
放电状态释放,恢复到正常工作状态,即“有过放自恢复功能”。
注意:
①当电池 1 或电池 2 的电压低于过放电检测电压(VDLn),但在过放电检测延迟时间(TOD)之内,电
池 1 和电池 2 的电压又回升到过放电检测电压(VDLn)以上,则此时不进入过放电保护状态
②OD 端子高电平是上拉到 VDD 端子,OD 端子低电平是下拉到 VSS 端子。
11.4.放电过流状态(放电过流检测功能和负载短路检测功能)
正常工作状态下的电池,IC通过检测CS端子电压持续侦测放电电流。一旦CS端子电压超过放电过流
检测电压(VDIP),并且这种状态持续的时间超过放电过流检测延迟时间(TDIP),则OD端子输出电压由高电
平变为低电平,关闭放电控制用的MOSFET(OD端子),停止放电,这个状态称为“放电过流状态”。
而一旦CS端子电压超过负载短路检测电压(VSIP),并且这种状态持续的时间超过负载短路检测延迟时
间(TSIP),则OD端子输出电压也由高电平变为低电平,关闭放电控制用的MOSFET(OD端子),停止放
电,这个状态称为“负载短路状态”。
放电过流状态和负载短路状态的释放,连接在电池正极(PB+)和电池负极(PB-)之间的阻抗大于
450kΩ(typ.)时。
另外,即使连接在电池正极(PB+)和电池负极(PB-)之间的阻抗小于 450kΩ(typ.)时,当连接上
充电器,CS端子电压降低到放电过流保护电压(VDIP)以下,也会释放放电过流状态或负载短路状态,回
到正常工作状态。
11.5.充电过流状态
正常工作状态下的电池,在充电过程中,如果CS端子电压低于充电过流检测电压(VCIP),并且这种
状态持续的时间超过充电过流检测延迟时间(TCIP),则OC端子输出电压由高电平变为低电平,关闭充电
控制用的MOSFET(OC端子),停止充电,这个状态称为“充电过流状态”。
进入充电过流检测状态后,如果断开充电器使CS端子电压高于充电过流检测电压(VCIP)时,充电过
流状态被解除,恢复到正常工作状态。
12.特性(典型数据)
12.1过充电检测电压/过充电释放电压,过放电检测电压/过放电释放电压,放电过流检测电压/负载短路检
测电压,充电过流检测电压以及各延迟时间
(1)VCU1 vs. Ta (2)VCR1 vs. Ta
(3)VDL1 vs. Ta (4)VDR1 vs. Ta
(5)VCU2 vs. Ta (6)VCR2 vs. Ta
2 节锂离子/锂聚合物电池保护 IC
(15)TSIP vs. Ta
12.2 耗电流
(16)IDD vs. Ta (17)IPD vs. Ta
DS-HY2120-V15_SC
13.封装信息
SOT-23-6 封装尺寸规格。
13.1. SOT-23-6
说明:单位为 mm。
ALL DIMENSIONS IN
MILLIMETERS SYM
BOL MINIMUM NOMINAL MAXIMUM
A - 1.30 1.40
A1 0 - 0.15
A2 0.90 1.20 1.30
b 0.30 - 0.50
b1 0.30 0.40 0.45
b2 0.30 0.40 0.50
c 0.08 - 0.22
c1 0.08 0.13 0.20
D 2.90 BSC
E 2.80 BSC
E1 1.60 BSC
e 0.95 BSC
e1 1.90 BSC
L 0.30 0.45 0.60
L1 0.60 REF
L2 0.25 BSC
R 0.10 - -
R1 0.10 - 0.25
θ 0° 4° 8°
θ1 5° - 15°
θ2 5° - 15°
DS-HY2120-V15_SC
14. Tape & Reel 信息
14.1. Tape & Reel 信息---SOT-23-6(样式一)
说明:单位为 mm。
14.1.1. Reel Dimensions
14.1.2. Carrier Tape Dimensions
Reel
Dimensions Carrier Tape Dimensions SYMBOLS
A W1 A0 B0 K0 P0 P1 P2 E F D0 W
Spec. 178 9.0 3.30 3.20 1.50 4.00 4.00 2.00 1.75 3.50 1.50 8.00
Tolerance ±0.50 +1.50/-0 ±0.10 ±0.10 ±0.10 ±0.10 ±0.10 ±0.05 ±0.10 ±0.05 +0.1/-0 ±0.20
Note: 10 Sprocket hole pitch cumulative tolerance is ±0.20mm.
14.1.3. Pin1 direction
14.2.Tape & Reel 信息---SOT-23-6(样式二)
说明:单位为 mm。
14.2.1. Reel Dimensions
14.2.2. Carrier Tape Dimensions
Reel
Dimensions Carrier Tape Dimensions SYMBOLS
A W1 A0 B0 K0 P0 P1 P2 E F D0 W
Spec. 178 9.4 3.17 3.23 1.37 4.00 4.00 2.00 1.75 3.50 1.55 8.00
Tolerance ±2.00 ±1.50 ±0.10 ±0.10 ±0.10 ±0.10 ±0.10 ±0.05 ±0.10 ±0.05 ±0.05 +0.30/-0.10
Note: 10 Sprocket hole pitch cumulative tolerance is ±0.20mm.
14.2.3. Pin1 direction
DS-HY2120-V15_SC
page18
.
HY2120
2 节锂离子/锂聚合物电池保护 IC
15.修订记录
以下描述本文件差异较大的地方,而标点符号与字形的改变不在此描述范围。
版本 页次 变更摘要
V04 - 新版发行
V05 All 增加新型号 HY2120-CB
15 修改封装尺寸
V06 All 增加新型号 HY2120-DB
V07 All 增加新型号 HY2120-EB
V08 7 修改 SOT-23-6 封装正印标记。
12 更新“特性(典型数据)”。
V09 All 增加新型号 HY2120-FB
V10 All 增加新型号 HY2120-GB
V11 All 增加新型号 HY2120-LB
V12 All 增加新型号 HY2120-HB
V13 All 增加新型号 HY2120-MB 及 HY2120-NB
V14 All 增加新型号 HY2120-OB
V15 All 修改 HY2120-HB 的 VDR,修改 HY2120 的延迟代码及说明。
17-18 增加 Tape & Reel 信息。
DS-HY2120-V15_SC
page19
.
产品详细描述:
2節鋰離子/鋰聚合物電池保護IC HY212 系列產品特性: 內建高精度電壓偵測與延時電路
低耗電流:
工作模式<9μA (VDD=7.8V)
休眠模式<0.1μA (VDD=4.0V)
連接充電器的端子採用高耐壓設計(CS和OC端子絕對額定值為33V)
0V 電池充電功能: 可選擇“允許”或“禁止”
小型封裝: SOT-23-6
寬工作溫度範圍: -40℃ to +85℃
所有產品皆採用無鹵素綠色環保封裝 應用類別:
2節串聯鋰離子可再充電電池組
2節串聯鋰聚合物可再充電電池組
企业名:深圳市赛帆科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-82322478
0755-83372651
0755-82327907
手机:15220190236
18926477298
18925223127
联系人:许林敏/Bruce/Jack Jiang
邮箱:info@icfine.cn
地址:广东深圳罗湖区深南东路文华大厦东座20D/代理台湾宏康HYCON锂电池保护IC,常备大量现货,华强可送货。
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司