零件编号 SI4116DY-T1-GE3TR-ND
现有数量 12,500 
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制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI4116DY-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 46 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 25V 18A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO




类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 2.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 56nC @ 10V
Vgs（值） ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1925pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（值） 2.5W（Ta），5W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 8.6 毫欧 @ 10A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）






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