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IRF8707TRPBF分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单

供应IRF8707TRPBF分立半导体产品	 晶体管 - FET,MOSFET - 单
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产品分类
商品信息

零件编号 IRF8707TRPBFTR-ND

现有数量 24,000

可立即发货

制造商

Infineon Technologies

制造商零件编号

IRF8707TRPBF

描述 MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

制造商标准提前期 26 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta)

驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2.35V @ 25μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 9.3nC @ 4.5V

Vgs(值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 760pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散(值) 2.5W(Ta)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 11.9 毫欧 @ 11A,10V

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-SO

封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

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2018年,人们对人工智能技术会更关注落地,公众的关注点会从下围棋和图像识别等比赛型活动慢慢转移到用人工智能真正解决世界面临的问题。在这个背景下,不少人工智能创业公司会面临挑战。但大浪淘沙下会有活下来的创业公司,这些公司和成功转型的传统企业可能会成为未来人工智能产业的。


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