集成电路(IC)
Power Integrations
TNY268GN-ND
TNY268GN
企业名:深圳市鸿裕兴电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
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零件编号 TNY268GN-ND
制造商 Power Integrations
制造商零件编号 TNY268GN
描述 IC OFFLINE SWIT OTP OCP HV 8SMD
扩展描述 Converter Offline Flyback Topology 132kHz SMD-8B
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
类别 集成电路(IC)
PMIC - AC-DC 转换器,离线开关
制造商 Power Integrations
系列 TinySwitch®-II
包装 ? 管件 ?
零件状态 不可用于新设计
输出隔离 隔离
内部开关 是
电压 - 击穿 700V
拓扑 回扫
电压 - 电源(Vcc/Vdd) -
占空比 65%
频率 - 开关 132kHz
功率(W) 23W
故障保护 限流,开环,超温,短路
控制特性 EN
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳 8-SMD(7 个接脚),鸥形翼
供应商器件封装 SMD-8B
安装类型 表面贴装
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1999年,美国Purdue大学在美国海军资助的MURI项目中,研制成功4.9kV的SiC功率SBD,使SBD在耐压方面取得了根本性的突破。
SBD的正向压降和反向漏电流直接影响SBD整流器的功率损耗,关系到系统效率。低正向压降要求有低的肖特基势垒高度,而较高的反向击穿电压要求有尽可能高的势垒高度,这是相矛盾的。因此,对势垒金属必须折衷考虑,故对其选择显得十分重要。对N型SiC来说,Ni和Ti是比较理想的肖特基势垒金属。由于Ni/SiC的势垒高度高于Ti/SiC,故前者有更低的反向漏电流,而后者的正向压降较小。为了获得正向压降低和反向漏电流小的SiCSBD,采用Ni接触与Ti接触相结合、高/低势垒双金属沟槽(DMT)结构的SiCSBD设计方案是可行的。采用这种结构的SiCSBD,反向特性与Ni肖特基整流器相当,在300V的反向偏压下的反向漏电流比平面型Ti肖特基整流器小75倍,而正向特性类似于NiSBD。采用带保护环的6H-SiCSBD,击穿电压达550V。
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