标准包装 3,000

FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点 Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS） 30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C 85A

Rds（）@ ID，VGS 1.8 mOhm @ 20A, 10V

VGS（TH）（）@ Id 2.2V @ 250μA

栅极电荷（Qg）@ VGS 60nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的 2719pF @ 15V

功率 - 7.3W

安装类型 Surface Mount

包/盒 8-VDFN Exposed Pad

供应商器件封装 8-DFN-EP (5x6)

包装材料 Tape & Reel (TR)

FET特点 Logic Level Gate

封装 Tape & Reel (TR)

安装类型 Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 85A (Tc)

的Vgs（th ） （）@ Id 2.2V @ 250μA

供应商设备封装 8-DFN (5x6)

其他名称 785-1364-2

开态Rds（）@ Id ，V GS 1.8 mOhm @ 20A, 10V

FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 7.3W

标准包装 3,000

漏极至源极电压（Vdss） 30V

输入电容（Ciss ） @ VDS 2719pF @ 15V

闸电荷（Qg ） @ VGS 60nC @ 10V

封装/外壳 8-PowerVDFN

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

企业名：深圳立创商成电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

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